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山田 道洋 (ヤマダ ミチヒロ,YAMADA Michihiro)

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論文  
No.論文タイトル誌名(出版物名)開始ページ終了ページ出版年月DOI査読の有無
1Fabrication of crack-free strained SiGe/Ge multiple quantum wells on Ge-on-Si(111) by the patterning method Materials Science in Semiconductor Processing 177 108300 108300 2024年07月 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1083001
2Enhancement of room temperature electroluminescence from strained SiGe/Ge(111) multiple quantum wells light emitting diodes Materials Science in Semiconductor Processing 176 108299 108299 2024年06月 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1082991
3Al–Ge-paste-induced liquid phase epitaxy of Si-rich SiGe(111) for epitaxial Co-based Heusler alloys Materials Science in Semiconductor Processing 174 2024年05月 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1082321
4Growth of all-epitaxial Co2MnSi/Ge/Co2MnSi vertical spin-valve structures on Si Materials Science in Semiconductor Processing 173 108140 108140 2024年04月 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1081401
5Effect of Sn doping on low-temperature growth of Ge epilayers on half-metallic Co2FeSi Materials Science in Semiconductor Processing 2024年03月 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.1079871
6Dzyaloshinskii-Moriya interaction at epitaxial ferromagnet/semiconductor interface Physical Review B 2023年09月28日 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.0944411
7Isotropic Spin Hall Effect in an Epitaxial Ferromagnet Physical Review Letters 131 2023年08月17日 https://doi.org/10.1103/physrevlett.131.0767021
8Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain Materials Science in Semiconductor Processing 167 15 107763 2023年08月 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.1077631査読有り 
9Half‐Metallic Heusler Alloy/GaN Heterostructure for Semiconductor Spintronics Devices Advanced Electronic Materials 2023年05月09日 https://doi.org/10.1002/aelm.2023000451査読有り 
10Significant reduction of crack propagation in the strained SiGe/Ge(111) induced by the local growth on the depth-controlled area patterning Applied Physics Express 16 015502 015502 2023年01月01日 https://doi.org/10.35848/1882-0786/aca7511査読有り 
11Strong room-temperature EL emission from Ge-on-Si (1 1 1) diodes Journal of Crystal Growth 594 2022年09月15日 https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.1267661査読有り 
12Effect of Strain on Room-Temperature Spin Transport in Si0.1Ge0.9 Physical Review Applied 18 2022年07月 https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.18.0240051査読有り 
13Semiconductor spintronics with Co2-Heusler compounds MRS Bulletin 47 584 592 2022年06月 https://doi.org/10.1557/s43577-022-00351-01査読有り 
14Mechanism of crack formation in strained SiGe(111) layers Journal of Crystal Growth 589 126672 2022年04月 https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.1266721査読有り 
15Significant effect of interfacial spin moments in ferromagnet-semiconductor heterojunctions on spin transport in a semiconductor Physical Review B 105 19 195308 2022年04月 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.1953081査読有り 
16Strain engineering of heteroepitaxial SiGe/Ge on Si with various crystal orientations ECS Transactions 109 197 204 2022年 https://doi.org/10.1149/10904.0197ecst1査読有り 
17Temperature dependence of two-terminal local magnetoresistance in Co-based Heusler alloy/Ge lateral spin-valve devices IEEE Transactions on Magnetics 58 2022年 https://doi.org/10.1109/tmag.2022.31453931査読有り 
18Magnetoresistance ratio of more than 1% at room temperature in germanium vertical spin-valve devices with Co2FeSi Applied Physics Letters 119 19 192404 192404 2021年11月08日 https://doi.org/10.1063/5.00615041査読有り 
19Experimental extraction of donor-driven spin relaxation in n-type nondegenerate germanium Physical Review B 104 11 2021年09月01日 https://doi.org/10.1103/PHYSREVB.104.1153011査読有り 
20Effect of Fe atomic layers at the ferromagnet–semiconductor interface on temperature-dependent spin transport in semiconductors Journal of Applied Physics 129 18 2021年05月14日 https://doi.org/10.1063/5.00483211査読有り 
21Room-temperature two-terminal magnetoresistance ratio reaching 0.1% in semiconductor-based lateral devices with L21-ordered Co2MnSi Applied Physics Letters 118 16 162404 162404 2021年04月19日 https://doi.org/10.1063/5.00452331査読有り 
22A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si Applied Physics Express 14 2021年 https://doi.org/10.35848/1882-0786/ABD4C51査読有り 
23Experimental estimation of the spin diffusion length in undoped p-Ge on Fe3Si using vertical spin-valve devices Journal of Applied Physics 129 2021年 https://doi.org/10.1063/5.00353231査読有り 
24Spin injection through energy-band symmetry matching with high spin polarization in atomically controlled ferromagnet/ferromagnet/semiconductor structures NPG Asia Materials 12 2020年12月01日 https://doi.org/10.1038/s41427-020-0228-51査読有り 
25(Invited) Strain Engineering of Si/Ge Heterostructures on Ge-on-Si Platform ECS Transactions 98 267 276 2020年09月23日 https://doi.org/10.1149/09805.0267ecst1査読有り 
26Increased Critical Thickness for Strained SiGe on Ge-on-Si(111) ECS Transactions 98 499 503 2020年09月 https://doi.org/10.1149/09805.0499ecst1査読有り 
27Enhancement of the Spin Hall Angle by Interdiffusion of Atoms in Co2FeAl0.5Si0.5 / n - Ge Heterostructures Physical Review Applied 14 2020年08月31日 https://doi.org/10.1103/physrevapplied.14.0240961査読有り 
28Inverse local magnetoresistance effect up to room temperature in ferromagnet-semiconductor lateral spin-valve devices Materials Science in Semiconductor Processing 113 105046 105046 2020年07月 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1050461査読有り 
29Suppression of Donor-Driven Spin Relaxation in Strained Si0.1Ge0.9 Physical Review Applied 13 2020年05月11日 https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.13.0540251査読有り 
30Spin transport in antimony-doped germanium detected using vertical spin-valve structures Applied Physics Express 13 2020年02月01日 https://doi.org/10.35848/1882-0786/ab6ca81査読有り 
31Crack formation in strained SiGe grown on Ge-on-Si (111) and its suppression by patterning substrates Materials Science in Semiconductor Processing 117 2020年 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1051531査読有り 
32Germanium pn junctions between ferromagnetic CoFe and Fe<inf>3</inf>Si layers for spintronic applications Materials Science in Semiconductor Processing 116 2020年 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1050661査読有り 
33Critical thickness of strained Si1-xGex on Ge(111) and Ge-on-Si(111) Applied Physics Express 12 081005 2019年08月 https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab2db81査読有り 
34Nonmonotonic bias dependence of local spin accumulation signals in ferromagnet/semiconductor lateral spin-valve devices Physical Review B 100 024431 2019年07月29日 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.0244311査読有り 
35Room-temperature local magnetoresistance effect in n-Ge devices with low-resistive Schottky-tunnel contacts Applied Physics Express 12 033002 2019年03月 https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab02521査読有り 
36Crystal orientation effect on spin injection/detection efficiency in Si lateral spin-valve devices Journal of Physics D: Applied Physics 52 085102 2019年02月 https://doi.org/10.1088/1361-6463/aaf37c1査読有り 
37Observation of local magnetoresistance signals in a SiGe-based lateral spin-valve device Semiconductor Science and Technology 33 11 2018年10月16日 https://doi.org/10.1088/1361-6641/aae34f1査読有り 
38Correlation between spin transport signal and Heusler/semiconductor interface quality in lateral spin-valve devices Physical Review B 98 11 115304 2018年09月17日 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.1153041査読有り 
39Fabrication of arrays of tapered silicon micro-/nano-pillars by metal-assisted chemical etching and anisotropic wet etching Nanotechnology 29 28 2018年05月11日 https://doi.org/10.1088/1361-6528/aac04b1査読有り 
40Spin absorption effect at ferromagnet/Ge Schottky-tunnel contacts Materials 11 150 2018年01月17日 https://doi.org/10.3390/ma110101501査読有り 
41Pure spin current transport in a SiGe alloy Applied Physics Express 11 053006 2018年 https://doi.org/10.7567/APEX.11.0530061査読有り 
42Spin transport and relaxation in germanium Journal of Physics D: Applied Physics 51 39 393001 2018年 https://doi.org/10.1088/1361-6463/aad5421査読有り 
43Local Magnetoresistance at Room Temperature in Si$⟨100⟩$Devices IEEE Transactions on Magnetics 54 11 2018年 https://doi.org/10.1109/TMAG.2018.28497531査読有り 
44Control of electrical properties in Heusler-alloy/Ge Schottky tunnel contacts by using phosphorous δ-doping with Si-layer insertion Materials Science in Semiconductor Processing 70 83 85 2017年11月 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.07.0251査読有り 
45Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurements APPLIED PHYSICS EXPRESS 10 2017年09月 https://doi.org/10.7567/APEX.10.0930011査読有り 
46Spin Transport and Relaxation up to 250 K in Heavily Doped n-Type Ge Detected Using Co2FeAl0.5Si0.5 Electrodes PHYSICAL REVIEW APPLIED 014007 2017年07月 https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.8.0140071査読有り 
47Large impact of impurity concentration on spin transport in degenerate n-Ge PHYSICAL REVIEW B 95 16 161304 2017年04月 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.1613041査読有り 
48Temperature-independent spin relaxation in heavily doped n-type germanium PHYSICAL REVIEW B 94 24 245302 2016年12月 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.2453021査読有り 
49A low-temperature fabricated gate-stack structure for Ge-based MOSFET with ferromagnetic epitaxial Heusler-alloy/Ge electrodes JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 063001 2016年06月 https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0630011査読有り 
50Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon Japanese Journal of Applied Physics 55 031304 2016年03月 https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0313041査読有り 
51Suppression of surface segregation of the phosphorous delta-doping layer by insertion of an ultra-thin silicon layer for ultra-shallow Ohmic contacts on n-type germanium APPLIED PHYSICS LETTERS 107 13 132101 2015年09月 https://doi.org/10.1063/1.49319391査読有り 

 

MISC  
No.MISCタイトル誌名開始ページ終了ページ出版年月(日)
1Ge-on-Si(111)LEDからの室温EL発光ピークに注入電流が与える影響 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年 
2強磁性ホイスラー合金/n+-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年 
3縦型半導体スピン素子を目指したCo2FeSi上の高品質Ge成長と室温磁気抵抗比の増大 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年 
4縦型半導体スピン素子のための単結晶Co2FeSi上Ge薄膜の高品質化 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年 
5歪みGe-on-Si(111)ダイオード構造からの室温EL発光 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年 
6Ge-on-Si(111)LEDの熱処理による室温EL発光強度増大 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年 
7選択成長を用いたGe-on-Si(111)基板上への高品質な歪みSiGe層の作製 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年 
8Ge-on-Si基板のパターニングによる歪みSiGe層中クラック発生の抑制 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年 
9強磁性体/半導体スピン素子の性能と界面磁性の相関 日本磁気学会学術講演概要集 43rd 2019年 
10強磁性Fe3Si上へのゲルマニウムPN接合の作製 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年 
11Ge-on-Si(111)及びGe(111)基板上の歪みSi1-xGexの臨界膜厚 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年 
12強磁性体/半導体スピン素子におけるスピン蓄積信号の非線形バイアス依存性 日本磁気学会学術講演概要集 43rd 2019年 
13Ge(111)基板上の歪みSi1-xGex膜成長と臨界膜厚の評価 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.19p‐P10‐5 2018年03月05日 
14ゲルマニウム中の電子スピン伝導とスピン緩和 日本磁気学会学術講演概要集 41st 110 2017年09月05日 
15低RAショットキートンネル接合電極を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導検出 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6a‐C18‐4 2017年08月25日 
16Schottkyトンネル接触を使ったn+-Ge中の電気スピン注入と検出 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年 
173次元アトムプローブ法によるGe中のドーパント分布評価 東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM) 33 68‐69 2016年 
18Co2FeSi0.5Al0.5ホイスラー合金電極を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導観測 日本金属学会講演概要(CD-ROM) 157th ROMBUNNO.P177 2015年09月02日 
19PデルタドープしたGe基板の3次元アトムプローブ評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.13P-2W-6 2015年08月31日 
20Co2FeSi0.5Al0.5/n+‐Geショットキートンネル接合を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導検出 日本磁気学会学術講演概要集 39th 286 2015年08月25日 
21n‐GeへのPデルタドーピングにおけるSi挿入によるその偏析抑制効果 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.12A-D5-5 2015年02月26日 
22Co2FeSi0.5Al0.5ホイスラー合金電極を用いたn-Ge中の室温スピン伝導観測 日本金属学会講演概要(CD-ROM) 157th 2015年 
23アトムプローブ法によるGe中にデルタドープしたPの3次元分布評価 東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM) 32 75‐76 2015年 
24Pデルタドープによるn型Geへの極浅オーミック接触の形成 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.18P-F6-6 2014年03月03日 
25金属アシスト化学エッチングを用いたシリコンナノワイヤの作製 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd ROMBUNNO.12A-F1-7 2012年08月27日 

 

講演・口頭発表等  
No.講演・口頭発表タイトル会議名発表年月日主催者開催地
1縦型半導体スピン素子を目指したCo2FeSi上の高品質Ge成長と室温磁気抵抗比の増大 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月25日 
2Long-distance spin-drift transport in strained SiGe 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月23日 
3強磁性ホイスラー合/n+-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月23日 
4Two-terminal magnetoresistance ratio in Co-based Heusler alloy/germanium lateral spin-valve devices 2022 Joint MMM-Intermag 2022年01月10日 
5縦型半導体スピン素子のための単結晶Co2FeSi上Ge薄膜の高品質化 第26回半導体スピン工学の基礎と応用 2021年12月20日 
6Influence of non-magnetic layers at Co2FeAl0.5Si0.5/Ge interface on spin injection/detection efficiency 第84回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月12日 
7Room-temperature two-terminal magnetoresistance ratios in Ge-based vertical spin-valve devices with Co2FeSi 第84回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月12日 
8Room-temperature spin diffusion length in strained SiGe 第84回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月12日 
9Annealing tolerance of Co-based Heusler alloys/Fe/Ge spin injection interfaces 第84回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月12日 
10縦型半導体スピン素子のための単結晶Co2FeSi 上Ge 薄膜の高品質化 第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月12日 

 

受賞  
No.受賞年月授与機関賞名(対象業績)タイトル
12018年09月 応用物理学会 応用物理学会優秀論文賞 
22018年03月 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞 
32014年11月 応用物理学会結晶工学分科会 分科会発表奨励賞 
42010年03月 慶應義塾大学理工学部 藤原賞 

 

共同研究・競争的資金等の研究課題  
No.提供機関制度名課題名等資金種別研究期間
1日本学術振興会 科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽) 半導体スピン素子における低抵抗バンドマッチスピン注入技術の創出  2021年07月 - 2023年03月 
2戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ 革新的スピン注入技術を用いた縦型半導体スピン素子の創成  2020年12月 - 2023年03月 
3日本学術振興会 科学研究費助成事業 国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B)) ホイスラー型新機能スピントロニクス材料の薄膜実証とその応用  2018年10月 - 2020年03月 
4日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費 歪みSiGeスピンMOSFETの創製  2018年04月 - 2021年03月 
5日本学術振興会 科学研究費助成事業 研究活動スタート支援 歪みSiGeチャネルにおける室温スピン信号の増大  2017年08月 - 2019年03月