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山田　道洋 (ヤマダ　ミチヒロ,YAMADA Michihiro)

基本情報	研究分野	研究業績	教育業績	社会貢献業績

　

• 論文
• MISC
• 講演口頭発表
• 受賞
• 研究課題

論文
No.	論文タイトル	誌名(出版物名)	巻	号	開始ページ	終了ページ	出版年月	DOI	査読の有無
1	Fabrication of crack-free strained SiGe/Ge multiple quantum wells on Ge-on-Si(111) by the patterning method	Materials Science in Semiconductor Processing	177		108300	108300	2024年07月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1083001
2	Enhancement of room temperature electroluminescence from strained SiGe/Ge(111) multiple quantum wells light emitting diodes	Materials Science in Semiconductor Processing	176		108299	108299	2024年06月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1082991
3	Al–Ge-paste-induced liquid phase epitaxy of Si-rich SiGe(111) for epitaxial Co-based Heusler alloys	Materials Science in Semiconductor Processing	174				2024年05月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1082321
4	Growth of all-epitaxial Co2MnSi/Ge/Co2MnSi vertical spin-valve structures on Si	Materials Science in Semiconductor Processing	173		108140	108140	2024年04月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1081401
5	Effect of Sn doping on low-temperature growth of Ge epilayers on half-metallic Co2FeSi	Materials Science in Semiconductor Processing					2024年03月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.1079871
6	Dzyaloshinskii-Moriya interaction at epitaxial ferromagnet/semiconductor interface	Physical Review B					2023年09月28日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.0944411
7	Isotropic Spin Hall Effect in an Epitaxial Ferromagnet	Physical Review Letters	131	7			2023年08月17日	https://doi.org/10.1103/physrevlett.131.0767021
8	Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain	Materials Science in Semiconductor Processing	167	15	107763		2023年08月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.1077631	査読有り
9	Half‐Metallic Heusler Alloy/GaN Heterostructure for Semiconductor Spintronics Devices	Advanced Electronic Materials					2023年05月09日	https://doi.org/10.1002/aelm.2023000451	査読有り
10	Significant reduction of crack propagation in the strained SiGe/Ge(111) induced by the local growth on the depth-controlled area patterning	Applied Physics Express	16	1	015502	015502	2023年01月01日	https://doi.org/10.35848/1882-0786/aca7511	査読有り
11	Strong room-temperature EL emission from Ge-on-Si (1 1 1) diodes	Journal of Crystal Growth	594				2022年09月15日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.1267661	査読有り
12	Effect of Strain on Room-Temperature Spin Transport in Si0.1Ge0.9	Physical Review Applied	18	2			2022年07月	https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.18.0240051	査読有り
13	Semiconductor spintronics with Co2-Heusler compounds	MRS Bulletin	47	6	584	592	2022年06月	https://doi.org/10.1557/s43577-022-00351-01	査読有り
14	Significant effect of interfacial spin moments in ferromagnet-semiconductor heterojunctions on spin transport in a semiconductor	Physical Review B	105	19	195308		2022年04月	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.1953081	査読有り
15	Mechanism of crack formation in strained SiGe(111) layers	Journal of Crystal Growth	589		126672		2022年04月	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.1266721	査読有り
16	Strain engineering of heteroepitaxial SiGe/Ge on Si with various crystal orientations	ECS Transactions	109	4	197	204	2022年	https://doi.org/10.1149/10904.0197ecst1	査読有り
17	Temperature dependence of two-terminal local magnetoresistance in Co-based Heusler alloy/Ge lateral spin-valve devices	IEEE Transactions on Magnetics	58	8	1	1	2022年	https://doi.org/10.1109/tmag.2022.31453931	査読有り
18	Magnetoresistance ratio of more than 1% at room temperature in germanium vertical spin-valve devices with Co2FeSi	Applied Physics Letters	119	19	192404	192404	2021年11月08日	https://doi.org/10.1063/5.00615041	査読有り
19	Experimental extraction of donor-driven spin relaxation in n-type nondegenerate germanium	Physical Review B	104	11			2021年09月01日	https://doi.org/10.1103/PHYSREVB.104.1153011	査読有り
20	Effect of Fe atomic layers at the ferromagnet–semiconductor interface on temperature-dependent spin transport in semiconductors	Journal of Applied Physics	129	18			2021年05月14日	https://doi.org/10.1063/5.00483211	査読有り
21	Room-temperature two-terminal magnetoresistance ratio reaching 0.1% in semiconductor-based lateral devices with L21-ordered Co2MnSi	Applied Physics Letters	118	16	162404	162404	2021年04月19日	https://doi.org/10.1063/5.00452331	査読有り
22	Experimental estimation of the spin diffusion length in undoped p-Ge on Fe3Si using vertical spin-valve devices	Journal of Applied Physics	129	1			2021年	https://doi.org/10.1063/5.00353231	査読有り
23	A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si	Applied Physics Express	14	2			2021年	https://doi.org/10.35848/1882-0786/ABD4C51	査読有り
24	Spin injection through energy-band symmetry matching with high spin polarization in atomically controlled ferromagnet/ferromagnet/semiconductor structures	NPG Asia Materials	12	1			2020年12月01日	https://doi.org/10.1038/s41427-020-0228-51	査読有り
25	(Invited) Strain Engineering of Si/Ge Heterostructures on Ge-on-Si Platform	ECS Transactions	98	5	267	276	2020年09月23日	https://doi.org/10.1149/09805.0267ecst1	査読有り
26	Increased Critical Thickness for Strained SiGe on Ge-on-Si(111)	ECS Transactions	98	5	499	503	2020年09月	https://doi.org/10.1149/09805.0499ecst1	査読有り
27	Enhancement of the Spin Hall Angle by Interdiffusion of Atoms in Co2FeAl0.5Si0.5 / n - Ge Heterostructures	Physical Review Applied	14	2			2020年08月31日	https://doi.org/10.1103/physrevapplied.14.0240961	査読有り
28	Inverse local magnetoresistance effect up to room temperature in ferromagnet-semiconductor lateral spin-valve devices	Materials Science in Semiconductor Processing	113		105046	105046	2020年07月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1050461	査読有り
29	Suppression of Donor-Driven Spin Relaxation in Strained Si0.1Ge0.9	Physical Review Applied	13	5			2020年05月11日	https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.13.0540251	査読有り
30	Spin transport in antimony-doped germanium detected using vertical spin-valve structures	Applied Physics Express	13	2			2020年02月01日	https://doi.org/10.35848/1882-0786/ab6ca81	査読有り
31	Crack formation in strained SiGe grown on Ge-on-Si (111) and its suppression by patterning substrates	Materials Science in Semiconductor Processing	117				2020年	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1051531	査読有り
32	Germanium pn junctions between ferromagnetic CoFe and Fe<inf>3</inf>Si layers for spintronic applications	Materials Science in Semiconductor Processing	116				2020年	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1050661	査読有り
33	Critical thickness of strained Si1-xGex on Ge(111) and Ge-on-Si(111)	Applied Physics Express	12	8	081005		2019年08月	https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab2db81	査読有り
34	Nonmonotonic bias dependence of local spin accumulation signals in ferromagnet/semiconductor lateral spin-valve devices	Physical Review B	100	2	024431		2019年07月29日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.0244311	査読有り
35	Room-temperature local magnetoresistance effect in n-Ge devices with low-resistive Schottky-tunnel contacts	Applied Physics Express	12	3	033002		2019年03月	https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab02521	査読有り
36	Crystal orientation effect on spin injection/detection efficiency in Si lateral spin-valve devices	Journal of Physics D: Applied Physics	52	8	085102		2019年02月	https://doi.org/10.1088/1361-6463/aaf37c1	査読有り
37	Observation of local magnetoresistance signals in a SiGe-based lateral spin-valve device	Semiconductor Science and Technology	33	11			2018年10月16日	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aae34f1	査読有り
38	Correlation between spin transport signal and Heusler/semiconductor interface quality in lateral spin-valve devices	Physical Review B	98	11	115304		2018年09月17日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.1153041	査読有り
39	Fabrication of arrays of tapered silicon micro-/nano-pillars by metal-assisted chemical etching and anisotropic wet etching	Nanotechnology	29	28			2018年05月11日	https://doi.org/10.1088/1361-6528/aac04b1	査読有り
40	Spin absorption effect at ferromagnet/Ge Schottky-tunnel contacts	Materials	11	1	150		2018年01月17日	https://doi.org/10.3390/ma110101501	査読有り
41	Spin transport and relaxation in germanium	Journal of Physics D: Applied Physics	51	39	393001		2018年	https://doi.org/10.1088/1361-6463/aad5421	査読有り
42	Local Magnetoresistance at Room Temperature in Si$⟨100⟩$Devices	IEEE Transactions on Magnetics	54	11	1	4	2018年	https://doi.org/10.1109/TMAG.2018.28497531	査読有り
43	Pure spin current transport in a SiGe alloy	Applied Physics Express	11	5	053006		2018年	https://doi.org/10.7567/APEX.11.0530061	査読有り
44	Control of electrical properties in Heusler-alloy/Ge Schottky tunnel contacts by using phosphorous δ-doping with Si-layer insertion	Materials Science in Semiconductor Processing	70		83	85	2017年11月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.07.0251	査読有り
45	Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurements	APPLIED PHYSICS EXPRESS	10	9			2017年09月	https://doi.org/10.7567/APEX.10.0930011	査読有り
46	Spin Transport and Relaxation up to 250 K in Heavily Doped n-Type Ge Detected Using Co2FeAl0.5Si0.5 Electrodes	PHYSICAL REVIEW APPLIED	8	1	014007		2017年07月	https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.8.0140071	査読有り
47	Large impact of impurity concentration on spin transport in degenerate n-Ge	PHYSICAL REVIEW B	95	16	161304		2017年04月	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.1613041	査読有り
48	Temperature-independent spin relaxation in heavily doped n-type germanium	PHYSICAL REVIEW B	94	24	245302		2016年12月	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.2453021	査読有り
49	A low-temperature fabricated gate-stack structure for Ge-based MOSFET with ferromagnetic epitaxial Heusler-alloy/Ge electrodes	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	55	6	063001		2016年06月	https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0630011	査読有り
50	Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon	Japanese Journal of Applied Physics	55	3	031304		2016年03月	https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0313041	査読有り
51	Suppression of surface segregation of the phosphorous delta-doping layer by insertion of an ultra-thin silicon layer for ultra-shallow Ohmic contacts on n-type germanium	APPLIED PHYSICS LETTERS	107	13	132101		2015年09月	https://doi.org/10.1063/1.49319391	査読有り

　

MISC
No.	MISCタイトル	誌名	巻	号	開始ページ	終了ページ	出版年月(日)
1	Ge-on-Si(111)LEDからの室温EL発光ピークに注入電流が与える影響	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	83rd				2022年
2	強磁性ホイスラー合金/n+-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	69th				2022年
3	縦型半導体スピン素子を目指したCo2FeSi上の高品質Ge成長と室温磁気抵抗比の増大	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	69th				2022年
4	縦型半導体スピン素子のための単結晶Co2FeSi上Ge薄膜の高品質化	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	82nd				2021年
5	歪みGe-on-Si(111)ダイオード構造からの室温EL発光	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	68th				2021年
6	Ge-on-Si(111)LEDの熱処理による室温EL発光強度増大	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	82nd				2021年
7	選択成長を用いたGe-on-Si(111)基板上への高品質な歪みSiGe層の作製	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	81st				2020年
8	Ge-on-Si基板のパターニングによる歪みSiGe層中クラック発生の抑制	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	67th				2020年
9	強磁性体/半導体スピン素子の性能と界面磁性の相関	日本磁気学会学術講演概要集	43rd				2019年
10	強磁性Fe3Si上へのゲルマニウムPN接合の作製	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	80th				2019年
11	強磁性体/半導体スピン素子におけるスピン蓄積信号の非線形バイアス依存性	日本磁気学会学術講演概要集	43rd				2019年
12	Ge-on-Si(111)及びGe(111)基板上の歪みSi1-xGexの臨界膜厚	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	80th				2019年
13	Ge(111)基板上の歪みSi1-xGex膜成長と臨界膜厚の評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	65th		ROMBUNNO.19p‐P10‐5		2018年03月05日
14	ゲルマニウム中の電子スピン伝導とスピン緩和	日本磁気学会学術講演概要集	41st		110		2017年09月05日
15	低RAショットキートンネル接合電極を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導検出	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	78th		ROMBUNNO.6a‐C18‐4		2017年08月25日
16	3次元アトムプローブ法によるGe中のドーパント分布評価	東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)	33		68‐69		2016年
17	Schottkyトンネル接触を使ったn+-Ge中の電気スピン注入と検出	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	77th				2016年
18	Co2FeSi0.5Al0.5ホイスラー合金電極を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導観測	日本金属学会講演概要(CD-ROM)	157th		ROMBUNNO.P177		2015年09月02日
19	PデルタドープしたGe基板の3次元アトムプローブ評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	76th		ROMBUNNO.13P-2W-6		2015年08月31日
20	Co2FeSi0.5Al0.5/n+‐Geショットキートンネル接合を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導検出	日本磁気学会学術講演概要集	39th		286		2015年08月25日
21	n‐GeへのPデルタドーピングにおけるSi挿入によるその偏析抑制効果	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	62nd		ROMBUNNO.12A-D5-5		2015年02月26日
22	Co2FeSi0.5Al0.5ホイスラー合金電極を用いたn-Ge中の室温スピン伝導観測	日本金属学会講演概要(CD-ROM)	157th				2015年
23	アトムプローブ法によるGe中にデルタドープしたPの3次元分布評価	東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)	32		75‐76		2015年
24	Pデルタドープによるn型Geへの極浅オーミック接触の形成	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	61st		ROMBUNNO.18P-F6-6		2014年03月03日
25	金属アシスト化学エッチングを用いたシリコンナノワイヤの作製	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	73rd		ROMBUNNO.12A-F1-7		2012年08月27日

　

講演・口頭発表等
No.	講演・口頭発表タイトル	会議名	発表年月日	主催者	開催地
1	縦型半導体スピン素子を目指したCo2FeSi上の高品質Ge成長と室温磁気抵抗比の増大	第69回応用物理学会春季学術講演会	2022年03月25日
2	強磁性ホイスラー合/n+-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出	第69回応用物理学会春季学術講演会	2022年03月23日
3	Long-distance spin-drift transport in strained SiGe	第69回応用物理学会春季学術講演会	2022年03月23日
4	Two-terminal magnetoresistance ratio in Co-based Heusler alloy/germanium lateral spin-valve devices	2022 Joint MMM-Intermag	2022年01月10日
5	縦型半導体スピン素子のための単結晶Co2FeSi上Ge薄膜の高品質化	第26回半導体スピン工学の基礎と応用	2021年12月20日
6	Annealing tolerance of Co-based Heusler alloys/Fe/Ge spin injection interfaces	第８４回応用物理学会秋季学術講演会	2021年09月12日
7	Room-temperature spin diffusion length in strained SiGe	第８４回応用物理学会秋季学術講演会	2021年09月12日
8	Room-temperature two-terminal magnetoresistance ratios in Ge-based vertical spin-valve devices with Co2FeSi	第８４回応用物理学会秋季学術講演会	2021年09月12日
9	Influence of non-magnetic layers at Co2FeAl0.5Si0.5/Ge interface on spin injection/detection efficiency	第８４回応用物理学会秋季学術講演会	2021年09月12日
10	縦型半導体スピン素子のための単結晶Co2FeSi 上Ge 薄膜の高品質化	第82回応用物理学会秋季学術講演会	2021年09月12日

　

受賞
No.	受賞年月	授与機関	賞名	(対象業績)タイトル
1	2018年09月	応用物理学会	応用物理学会優秀論文賞
2	2018年03月	応用物理学会シリコンテクノロジー分科会	応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞
3	2014年11月	応用物理学会結晶工学分科会	分科会発表奨励賞
4	2010年03月	慶應義塾大学理工学部	藤原賞

　

共同研究・競争的資金等の研究課題
No.	提供機関	制度名	課題名等	資金種別	研究期間
1	日本学術振興会	科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽)	半導体スピン素子における低抵抗バンドマッチスピン注入技術の創出		2021年07月 - 2023年03月
2		戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ	革新的スピン注入技術を用いた縦型半導体スピン素子の創成		2020年12月 - 2023年03月
3	日本学術振興会	科学研究費助成事業 国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B))	ホイスラー型新機能スピントロニクス材料の薄膜実証とその応用		2018年10月 - 2020年03月
4	日本学術振興会	科学研究費助成事業 特別研究員奨励費	歪みＳｉＧｅスピンＭＯＳＦＥＴの創製		2018年04月 - 2021年03月
5	日本学術振興会	科学研究費助成事業 研究活動スタート支援	歪みSiGeチャネルにおける室温スピン信号の増大		2017年08月 - 2019年03月

　

　

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