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三谷　祐一郎 (ミタニ　ユウイチロウ,MITANI Yuichiro)

基本情報 研究分野 研究業績 教育業績 社会貢献業績

　

書籍等出版物  
No.タイトル担当区分出版社出版年月担当範囲ISBN
1薄膜作製応用ハンドブック 分担執筆 エヌ・ティー・エス 2020年02月 第4編 薄膜技術の応用と展望 第1章 電子デバイス 第1節 LSI 5. 3 次元フラッシュメモリ用薄膜 9784860436315

　

論文  
No.論文タイトル誌名(出版物名)巻号開始ページ終了ページ出版年月DOI査読の有無
1Impact of hydrogen plasma treatment on fluorine-contained silicon nitride films Japanese Journal of Applied Physics 63 4 04SP47 04SP47 2024年04月01日 https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad355f1査読有り 
2Resistive switching memory using buckybowl sumanene-inserted bilayer graphene Japanese Journal of Applied Physics 63 4 04SP35 04SP35 2024年04月01日 https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad2fe21査読有り 
3Effects of plasma oxidation and plasma nitridation on chemical bonding state of AlScN evaluated by AR-HAXPES Japanese Journal of Applied Physics 63 4 04SP66 04SP66 2024年04月01日 https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad39251査読有り 
4三次元フラッシュメモリ技術とニューラルネットワーク応用 電子情報通信学会誌 107 4 296 303 2024年04月  査読無し 
5Study on the relation between interface trap creation and MOSFET degradation under channel hot carrier stressing at cryogenic temperatures Japanese Journal of Applied Physics 63 4 04SP22 04SP22 2024年03月22日 https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad2bbb1査読有り 
6Stacked structure dependence on resistive switching characteristics in sumanene molecular memory Japanese Journal of Applied Physics 63 4 04SP05 04SP05 2024年03月18日 https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad27471査読有り 
7Study on Interface Trap and Fixed Charge Generation under Channel Hot Carrier Stressing at Low Temperature Using Device Simulation 2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2023年11月16日 https://doi.org/10.1109/imfedk60983.2023.103663411査読有り 
8Fabrication of metal/oxide/fluorographene/oxide/silicon capacitors and their charge trapping properties Japanese Journal of Applied Physics 62 SG SG1035 SG1035 2023年03月23日 https://doi.org/10.35848/1347-4065/acbeb91査読有り 
9Re-consideration of Influence of Fluorine on SiO2 and SixNy Reliabilities 2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 2021年04月08日 https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.94210061査読有り 
10Further Investigation on Mechanism of Trap Level Modulation in Silicon Nitride Films by Fluorine Incorporation 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2020年04月 https://doi.org/10.1109/irps45951.2020.91282241査読有り 
11Dramatic Improvement of Vfb Shift and Gmmax with Ultra-thin and Ultra-low-leakage SiN-based SiON Gate Dielectrics ECS Transactions 6 3 313 327 2019年12月19日 https://doi.org/10.1149/1.27288041査読有り 
12Impact of Deuterium and Fluorine Incorporation on Weibull Distribution of Dielectric Breakdown in Gate Dielectrics ECS Transactions 19 2 227 242 2019年12月18日 https://doi.org/10.1149/1.31220941査読有り 
13(Invited) A Study of Dielectric Breakdown Mechanisms in MG/HK MISFETs: From the Viewpoint of TDDB Statistics ECS Transactions 33 3 507 519 2019年12月17日 https://doi.org/10.1149/1.34816401査読有り 
14Metal-Assisted Solid-Phase Crystallization Process for Vertical Monocrystalline Si Channel in 3D Flash Memory Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2019-December 2019年12月 https://doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.89935561査読有り 
15Investigation of Switching-Induced Local Defects in Oxide-Based CBRAM Using Expanded Analytical Model of TDDB IEEE Transactions on Electron Devices 66 5 2165 2171 2019年05月 https://doi.org/10.1109/ted.2019.29049841査読有り 
16Evaluation of electron traps in SiNx by discharge current transient spectroscopy: verification of validity by comparing with conventional DLTS Japanese Journal of Applied Physics 58 SB SBBK02 SBBK02 2019年04月01日 https://doi.org/10.7567/1347-4065/aafe641査読有り 
17Random Telegraph Noise after Hot Carrier Injection in Tri-gate Nanowire Transistor 2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2019 169 171 2019年03月 https://doi.org/10.1109/EDTM.2019.87310251査読有り 
18Experimental evidence of trap level modulation in silicon nitride thin films by hydrogen annealing Japanese Journal of Applied Physics 57 6 06KB04 06KB04 2018年06月01日 https://doi.org/10.7567/JJAP.57.06KB041査読有り 
19Study on mechanism of thermal curing in ultra-thin gate dielectrics IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2018-March 3A.41 3A.48 2018年05月25日 https://doi.org/10.1109/IRPS.2018.83535541査読有り 
20Experimental Evidence of Trap Level Modulation in SiN Thin Film by Hydrogen Anneal-ing 2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY 128 129 2017年11月  査読有り 
21Error Tolerance Analysis of Deep Learning Hardware Using a Restricted Boltzmann Machine Toward Low-Power Memory Implementation IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 64 4 462 466 2017年04月01日 https://doi.org/10.1109/TCSII.2016.25856751査読有り 
22Physically unclonable function using initial waveform of ring oscillators on 65nm CMOS technology Japanese Journal of Applied Physics 56 4 04CF13 04CF13 2017年04月01日 https://doi.org/10.7567/JJAP.56.04CF131査読有り 
23Mechanism of gate dielectric degradation by hydrogen migration from the cathode interface Microelectronics Reliability 70 12 21 2017年03月01日 https://doi.org/10.1016/j.microrel.2017.01.0111査読有り 
24Dynamical observation of H-induced gate dielectric degradation through improved nuclear reaction analysis system IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2016-September 7B21 7B27 2016年09月22日 https://doi.org/10.1109/IRPS.2016.75745781査読有り 
25Impact of trap creation at SiO<inf>2</inf>/Poly-Si interface on ultra-thin SiO<inf>2</inf> reliability IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2016-September DI21 DI25 2016年09月22日 https://doi.org/10.1109/IRPS.2016.75745951査読有り 
26Deep insight into process-induced pre-existing traps and PBTI stress-induced trap generations in high-k gate dielectrics through systematic RTN characterizations and ab initio calculations Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 2016-September 2016年09月21日 https://doi.org/10.1109/VLSIT.2016.75733731査読有り 
27Physically Unclonable Function using Initial Waveform of Ring Oscillators on 65nm CMOS Technology Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials abs/1703.00073 417 418 2016年09月  査読有り 
28Further understandings on impacts of la incorporation in HfSiON/TiN nFETs through comprehensive random telegraph noise characterizations IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report 2016-March 29 33 2016年03月18日 https://doi.org/10.1109/IIRW.2015.74370611査読有り 
29Further investigations on traps stabilities in random telegraph signal noise and the application to a novel concept physical unclonable function (PUF) with robust reliabilities Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 2015-August T40 T41 2015年08月25日 https://doi.org/10.1109/VLSIT.2015.72236951査読有り 
30Simple technique for prediction of breakdown voltage of ultrathin gate insulator under ESD testing 2015 International Conference on IC Design and Technology, ICICDT 2015 2015年07月23日 https://doi.org/10.1109/ICICDT.2015.71658921査読有り 
31Unified transient and frequency domain noise simulation for random telegraph noise and flicker noise using a physics-based model IEEE Transactions on Electron Devices 61 12 4197 4203 2014年12月01日 https://doi.org/10.1109/TED.2014.23650151査読有り 
32Extracting physically unclonable function from spin transfer switching characteristics in magnetic tunnel junctions IEEE Transactions on Magnetics 50 11 1 4 2014年11月01日 https://doi.org/10.1109/TMAG.2014.23256461査読有り 
33Further understandings on random telegraph signal noise through comprehensive studies on large time constant variation and its strong correlations to thermal activation energies Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 2014年09月08日 https://doi.org/10.1109/VLSIT.2014.68944181査読有り 
34Experimental Study on Random Telegraph Signal Noise in (110) pMOSFETS with 1nm EOT Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials 870 871 2014年09月  査読有り 
35Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) distribution in n-MOSFET with HfSiON gate dielectrics under DC and AC stressing Microelectronics Reliability 53 12 1868 1874 2013年12月 https://doi.org/10.1016/j.microrel.2013.05.0101査読有り 
36Experimental proof of direct correlation between hydrogen migrated to SiO2/Si interface and MOSFET characteristics using high energy 15N2+ ion beam Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials 730 731 2013年09月  査読有り 
37Understandings on Surface Orientation Impacts on Random Telegraph Signal Noise Related Carriers Trapping Time Constants and Current Fluctuations Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials 724 725 2013年09月  査読有り 
38Experimental study of channel doping concentration impacts on random telegraph signal noise and successful noise suppression by strain induced mobility enhancement Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 2013年  査読有り 
39Improvement of gate disturb degradation in SONOS FETs for Vth mismatch compensation in CMOS analog circuits ICICDT 2013 - International Conference on IC Design and Technology, Proceedings 195 198 2013年 https://doi.org/10.1109/ICICDT.2013.65633351査読有り 
40The electronic structure of an S-pair in barrier-less metal/silicon junctions AIP Conference Proceedings 1566 391 392 2013年 https://doi.org/10.1063/1.48484501査読有り 
41Comprehensive Understandings on Reliability Modulations in Compressive Stressed (100)- and (110)-Orientated Silicon CMOSFETs Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials 825 826 2012年09月  査読有り 
42Effects of electron current and hole current on dielectric breakdown in HfSiON gate stacks Japanese Journal of Applied Physics 51 4 041105 041105 2012年04月 https://doi.org/10.1143/JJAP.51.0411051査読有り 
43Characteristics of defect generation and breakdown in SiO 2 for polycrystalline silicon channel field-effect transistor Japanese Journal of Applied Physics 51 4 04DA02 04DA02 2012年04月 https://doi.org/10.1143/JJAP.51.04DA021査読有り 
44Tunneling current modulation by Ge incorporation into Si oxide films for flash memory applications Applied Physics Letters 100 7 072902 072902 2012年02月13日 https://doi.org/10.1063/1.36871891査読有り 
45Direct observation of boron dopant fluctuation by site-specific scanning spreading resistance microscopy IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2012年 https://doi.org/10.1109/IRPS.2012.62417851査読有り 
46Lifetime prediction of channel hot carrier degradation in pMOSFETs separating NBTI component ICICDT 2012 - IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology 2012年 https://doi.org/10.1109/ICICDT.2012.62328421査読有り 
47Comprehensive investigations on neutral and attractive traps in random telegraph signal noise phenomena using (100)- and (110)-orientated CMOSFETs Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 141 142 2012年 https://doi.org/10.1109/VLSIT.2012.62425011査読有り 
48Erratum: Atomic-scale theory on degradation of HfSiON gate stacks by atomic hydrogen accompanied by its interaction with oxygen vacancy and substitutional nitrogen (Microelectronic Engineering (2011) 88:7 (1457-1460)) Microelectronic Engineering 88 11 3376 2011年11月 https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.11.0021査読有り 
49Influence of channel area scaling on Weibull distribution of TDDB for poly-Si channel FET Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials 897 898 2011年09月  査読有り 
50Atomic-scale theory on degradation of HfSiON gate stacks by atomic hydrogen accompanied by its interaction with oxygen vacancy and substitutional nitrogen Microelectronic Engineering 88 7 1457 1460 2011年07月 https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.0461査読有り 
51Double junction tunnel using si nanocrystalline layer for nonvolatile memory devices Japanese Journal of Applied Physics 50 4 041302 041302 2011年04月 https://doi.org/10.1143/JJAP.50.0413021査読有り 
52Separation of NBTI component from channel hot carrier degradation in pMOSFETs focusing on recovery phenomenon 2011 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, ICICDT 2011 2011年 https://doi.org/10.1109/ICICDT.2011.57832151査読有り 
53Experimental study on origin of V<inf>TH</inf> variability under NBT stress IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2011年 https://doi.org/10.1109/IRPS.2011.57845931査読有り 
54Degradation of high-k/interface layer structures by H atoms and interface engineering with O atom manipulation AIP Conference Proceedings 1399 961 962 2011年 https://doi.org/10.1063/1.36666971査読有り 
55Method of decoupling the bias temperature instability component from hot carrier degradation in ultrathin high-κ metal-oxide-semiconductor field-effect transistors Japanese Journal of Applied Physics 49 7 0711021 0711026 2010年07月 https://doi.org/10.1143/JJAP.49.0711021査読有り 
56A study of dielectric breakdown mechanisms in MG/HK MISFETs: From the viewpoint of TDDB statistics ECS Transactions 33 3 507 519 2010年 https://doi.org/10.1149/1.34816401査読有り 
57Novel TDDB mechanism for p-FET accelerated by hydrogen from HfSiON film IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 424 429 2010年 https://doi.org/10.1109/IRPS.2010.54887931査読有り 
58Re-consideration of influence of silicon wafer surface orientation on gate oxide reliability from TDDB statistics point of view IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 299 305 2010年 https://doi.org/10.1109/IRPS.2010.54888121査読有り 
59Decoupling method of BTI component from hot carrier degradation in ultra-thin HfSiON MOSFETs Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials 1022 1023 2009年09月  査読有り 
60Programming Current Enhancement by Ge Incorporation into Tunnel Oxide Film Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials 438 439 2009年09月  査読有り 
61Atomic-scale theory on current-assisted thermochemical degradation mode and its field acceleration via charge trapping of O vacancy in HfSiO4 Microelectronic Engineering 86 7-9 1901 1904 2009年07月 https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.03.0391査読有り 
62Influence of traps and carriers on reliability in HfSiON/SiO2 stacks IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 9 2 163 170 2009年06月 https://doi.org/10.1109/TDMR.2009.20139391査読有り 
63Impact of metal gate electrode on weibull distribution of TDDB in HfSiON gate dielectrics IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 355 361 2009年 https://doi.org/10.1109/IRPS.2009.51732781査読有り 
64Impact of deuterium and fluorine incorporation on weibull distribution of dielectric breakdown in gate dielectrics ECS Transactions 19 2 227 242 2009年 https://doi.org/10.1149/1.31220941査読有り 
65Dual nature of metal gate electrode effects on BTI and dielectric breakdown in TaC/HfSiON MISFETs IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 367 372 2009年 https://doi.org/10.1109/IRPS.2009.51732801査読有り 
66Reconsideration of hydrogen release at ultra thin gate oxide interface Japanese Journal of Applied Physics 47 3 1456 1460 2008年03月14日 https://doi.org/10.1143/JJAP.47.14561査読有り 
67Influence of nitrogen on negative bias temperature instability in ultrathin SiON IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 8 1 613 13 2008年03月 https://doi.org/10.1109/TDMR.2008.9173141査読有り 
6810 nm bulk-planar sONOS-type memory with double tunnel junction and sub-10 nm scaling utilizing source to drain Direct tunnel sub-threshold Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2008年 https://doi.org/10.1109/IEDM.2008.47968281査読有り 
69Influence of pre-existing and generated traps on reliability in HfSiON/SIO<inf>2</inf> stacks with fluorine incorporation IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 659 660 2008年 https://doi.org/10.1109/RELPHY.2008.45589751査読有り 
70Effect of oxidation pressure on Pb center generation and H termination for thin thick-ness SiO2 under 2.5 nm 38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 3 3 2007年12月  査読有り 
71Mechanism for SILC Trap Creation Due to Released Bi-Hydrogen from Gate Oxide In-terface 38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 7 7 2007年12月  査読有り 
72Dramatic improvement of vfb shift and Gm max with ultra-thin and ultra-low-leakage SiN-based SiON gate dielectrics ECS Transactions 6 3 313 327 2007年 https://doi.org/10.1149/1.27288041査読有り 
7315 nm planar bulk SONOS-type memory with double junction tunnel layers using sub-threshold slope control Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 75 78 2007年 https://doi.org/10.1109/IEDM.2007.44188671査読有り 
74Reconsideration of hydrogen-related degradation mechanism in gate oxide Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium) 226 231 2007年 https://doi.org/10.1109/RELPHY.2007.3698961査読有り 
75Experimental Evidence of Nit-related and -unrelated Mechanisms for NBTI with Ultra-thin SiON Gate Dielectric International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF) 143 144 2006年11月  査読有り 
76Visualization of progressive breakdown evolution in gate dielectric by conductive atomic force microscopy IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 6 2 277 282 2006年06月 https://doi.org/10.1109/TDMR.2006.8765791査読有り 
77Impact of Captured-Carrier Distribution on Recovery Characteristics of Positive- and Negative- Bias Temperature Instability in HfSiON/SiO2 Gate Stack Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Ma-terials 2006 1120 1121 2006年05月  査読有り 
78A new insight into the breakdown mechanism in ultrathin gate oxides by conductive atomic force microscopy IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 585 589 2006年 https://doi.org/10.1109/RELPHY.2006.2512821査読有り 
79Breakdown voltage prediction of ultra-thin gate insulator in electrostatic discharge (ESD) based on anode hole injection model IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 623 624 2006年 https://doi.org/10.1109/RELPHY.2006.2512931査読有り 
80Investigation of nitrogen-originated NBTI mechanism in SiOn with high-nitrogen concentration IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 454 460 2006年 https://doi.org/10.1109/RELPHY.2006.2512611査読有り 
81Dielectric properties of noncrystalline HfSiON Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 73 12 2006年 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.73.1251231査読有り 
8225 nm planar bulk SONOS-type memory with double tunnel junction Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2006年 https://doi.org/10.1109/IEDM.2006.3469451査読有り 
83Structural and electrical evolution of gate dielectric breakdown observed by conductive atomic force microscopy Applied Physics Letters 88 3 1 3 2006年 https://doi.org/10.1063/1.21666791査読有り 
84Re-examination of deuterium effect on negative bias temperature instability in ultra-thin gate oxides 2006 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, ICICDT'06 2006年  査読有り 
85Influences of initial bulk traps on Negative Bias Temperature Instability of HfSiON Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 20 21 2005年09月  査読有り 
86Evidence of Electrical and Structural Evolution of Gate Dielectric Breakdown Observed by Conductive Atomic Force Microscopy Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 240 241 2005年09月  査読有り 
87Exact Trap Level Estimation of HfSiON Films with Various Atomic Compositions Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 18 19 2005年05月  査読有り 
8835 nm floating gate planar MOSFET memory using double junction tunneling Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2005 853 856 2005年  査読有り 
89Direct observation of trap behaviors during degradation and breakdown evolution in highly stressed SiO<inf>2</inf> films by conductive atomic force microscopy IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 600 601 2005年  査読有り 
90Thermochemical understanding of dielectric breakdown in HfSiON with current acceleration IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 67 74 2005年  査読有り 
91Influence of direct-tunneling gate current on negative bias temperature instability in ultra-thin gate oxides 2005 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, ICICDT 143 146 2005年 https://doi.org/10.1109/icicdt.2005.15026131査読有り 
92Negative bias temperature instability in ultra-thin SiON Proceedings - Electrochemical Society PV 2005-01 340 352 2005年  査読有り 
93Dramatic improvement of v<inf>fb</inf>, shift and G<inf>m</inf>max with ultra-thin and ultra-low-leakage SiN-based SiON gate dielectrics Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2005 828 831 2005年  査読有り 
94Experimental Clarification of Hydrogen-related Mechanism in NBT Degradation Extended Abstracts of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 212 213 2004年09月  査読有り 
95Impact of stoichiometry control in double junction memory on future scaling Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 897 900 2004年  査読有り 
96Influence of nitrogen in ultra-thin SiON on negative bias temperature instability under AC stress Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 117 120 2004年  査読有り 
97Time evolution of V<inf>TH</inf> distribution under BT stress in ultra-thin gate oxides 2004 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, ICICDT 341 344 2004年  査読有り 
98Improvement of Charge-to-Breakdown Distribution by Fluorine Incorporation into Thin Gate Oxides IEEE Transactions on Electron Devices 50 11 2221 2226 2003年11月 https://doi.org/10.1109/TED.2003.8181521査読有り 
99Suppression of Stress-Induced Leakage Current of Wet and Dry SiO2 by SiD4 Poly-Si Gate Electrode Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes 42 Part 1, No. 9A 5426 5429 2003年09月15日 https://doi.org/10.1143/jjap.42.54261査読有り 
100Ultra-thin (EOT < 1.0nm) Amorphous HfSiON Gate Insulator with High Hf Concentration for High-performance Logic Applications Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials 52 53 2003年09月  査読有り 
101Enhancement of VTH Degradation under NBT Stress due to Hole Capturing Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials 16 17 2003年09月  査読有り 
102Effect of Hf-N Bond on Properties of Thermally Stable Amorphous HfSiON and Applicability of this Material to Sub-50nm Technology Node LSIs Technical Digest - International Electron Devices Meeting 107 110 2003年  査読有り 
103Suppression of stress-induced leakage current after Fowler-Nordheim stressing by deuterium pyrogenic oxidation and deuterated poly-si deposition IEEE Transactions on Electron Devices 49 7 1192 1197 2002年07月 https://doi.org/10.1109/TED.2002.10132751査読有り 
104Study of the SiO<inf>2</inf>/Si interface using spectroscopic ellipsometry and x-ray reflectometry Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 20 2 604 607 2002年03月 https://doi.org/10.1116/1.14589571査読有り 
105Highly reliable MONOS devices with optimized silicon nitride film having deuterium terminated charge traps Technical Digest - International Electron Devices Meeting 237 240 2002年  査読有り 
106NBTI mechanism in ultra-thin gate dielectric - Nitrogen-originated mechanism in SiON Technical Digest - International Electron Devices Meeting 509 512 2002年  査読有り 
107Back gate effects on threshold voltage sensitivity to SOI thickness in fully-depleted SOI MOSFETs IEEE Electron Device Letters 22 1 32 34 2001年01月 https://doi.org/10.1109/55.8924351査読有り 
108Experimental evidence of hydrogen-related SILC generation in thin gate oxide Technical Digest-International Electron Devices Meeting 129 132 2001年 https://doi.org/10.1109/IEDM.2001.9794491査読有り 
109A Study of the Effect of Deuterium on Stress-Induced Leakage Current Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 39 Part 2, No. 6B L564 L566 2000年06月15日 https://doi.org/10.1143/jjap.39.l5641査読有り 
110Oxide-Mediated Solid Phase Epitaxy (OMSPE) of Silicon. A New Low-Temperature Epitaxy Technique Using Intentionally Grown Native Oxide. Japanese Journal of Applied Physics 39 Part 1, No. 4B 2147 2150 2000年04月30日 https://doi.org/10.1143/jjap.39.21471査読有り 
111Highly reliable gate oxide under Fowler-Nordheim electron injection by deuterium pyrogenic oxidation and deuterated poly-Si deposition Technical Digest - International Electron Devices Meeting 343 346 2000年  査読有り 
112Reexamination of fluorine incorporation into SiO<inf>2</inf> - significant improvement of charge-to-breakdown distribution tail Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium) 93 98 1999年  査読有り 
113Dit-Distribution Difference Between Pre- and Post-FN Electron Injection into Thin Gate Oxide 29th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) II.7 II.7 1998年12月  査読有り 
114Precipitation of Boron in Highly Boron-Doped Silicon. Japanese Journal of Applied Physics 37 Part 1, No. 3B 1171 1173 1998年03月30日 https://doi.org/10.1143/jjap.37.11711査読有り 
115O+ 3 cluster primary ion bombardment for secondary ion mass spectrometry Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 124 1 91 94 1997年 https://doi.org/10.1016/S0168-583X(97)00075-X1査読有り 
116Gate electrode effects on dielectric breakdown of SiO<inf>2</inf> Materials Research Society Symposium - Proceedings 446 3 13 1997年  査読有り 
117Buried source and drain (BSD) structure for ultra-shallow junction using selective deposition of highly doped amorphous silicon Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 176 177 1996年  査読有り 
118New dual gate doping process using in-situ boron doped-Si for deep sub-μm CMOS device Technical Digest - International Electron Devices Meeting 831 834 1993年  査読有り 
119Relationship between Magnetoresistance and Lattice Uncertainty at the Interface in Sputtered Fe/Cr Multilayer Films J Phys Soc Jpn 61 4 1169 1172 1992年04月15日 https://doi.org/10.1143/jpsj.61.11691査読有り 
120Advanced experimental study on giant magnetoresistance of Fe/Cr superlattices by rf-sputtering Journal of Magnetism and Magnetic Materials 104-107 3 1747 1748 1992年02月02日 https://doi.org/10.1016/0304-8853(92)91531-W1査読有り 

　

MISC  
No.MISCタイトル誌名巻号開始ページ終了ページ出版年月(日)
1ディープラーニング ハードウェアの低消費電力化に寄与する学習時メモリーエラー解析手法 東芝レビュー 72 2 38 39 2017年 
2PUFによる個体認証セキュリティ技術へのランダムテレグラフノイズの適用 東芝レビュー 71 2 23 26 2016年 
3微細電界効果トランジスタにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こす欠陥機構の解明 東芝レビュー 68 8 27 30 2013年 
4次世代LSIに向けたメタルゲート電極/高誘電率ゲート絶縁膜の高信頼化技術 東芝レビュー 65 7 28 32 2010年 
5重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明 東芝レビュー 57 11 31 34 2002年 
6極薄ゲート酸化膜絶縁破壊機構の解明と新高信頼化成膜プロセスの提案 東芝レビュー 55 10 58 61 2000年 
7単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討 電子情報通信学会総合大会講演論文集 1996 2 296 296 1996年03月11日 

　

講演・口頭発表等  
No.講演・口頭発表タイトル会議名発表年月日主催者開催地
1Re-consideration of Correlation between Interface and Bulk Trap Generations using Cryogenic Measurement 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2024年04月17日 
2大容量フラッシュメモリ技術とその応用 第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年03月24日 
3C軸配向AlScNを用いた固相成長ポリシリコンチャネルの結晶制御 第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024年02月01日 
4水素プラズマ処理によるALD-SiO2膜中トラップエネルギー準位の深化 第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024年02月01日 
5Study on Interface Trap and Fixed Charge Generation under Channel Hot Carrier Stressing at Low Temperature Using Device Simulation 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2023年11月17日 
6Study on Resistive Switching Mechanism in Metal/Graphene/Sumanene/Graphene/N+ Si Nonvolatile Memory 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023) 2023年11月17日 
7Demonstration of Resistive switching memory devices using Buckybowls Sumanene inserted Bilayer Graphene 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023) 2023年11月17日 
8Depassivation of Fluorine in Silicon Nitride Films by Hydrogen Radical Treatment 2023年10月24日 
9Impact of Plasma Nitridation on Resistive Switching in AlScN Ferroelectric Tunnel Junction Memory International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - 2023年10月24日 
10Evaluation of the Effect of Plasma Oxidation and Nitriding on AlScN by AR-HAXPES International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - 2023年10月24日 
11Degradation on nMOSFET and Interface Trap Creation under Channel Hot Carrier Stressing at Cryogenic Temperature International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - 2023年10月24日 
12水素ラジカルを用いたシリコン窒化膜中水素量の制御 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年02月04日 
13AlScN強誘電体トンネル接合の伝導特性に及ぼす酸素プラズマ界面層の影響 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年02月03日 
14Study on Fluorographene Charge Trapping layer for Nonvolatile Memory Applications The 2022 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2022年11月29日 
15Carrier trapping characteristics of fluorographene for nonvolatile memory applications 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022) 2022年11月10日 
16フッ化グラフェンを用いた不揮発性メモリの電荷捕獲特性 第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年09月23日 
17Ge/Si積層構造の結晶化プロセスとその課題 第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年09月21日 
18シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 2021年10月21日 
19Re-Consideration of Influence of Fluorine on SiO2 and SixNy Reliabilities The 2021 IEEE Electron Devices Technology and. Manufacturing (EDTM) Conference 2021年04月11日 
20大容量化に向けた三次元フラッシュメモリセル技術 第48回 薄膜・表面物理セミナー「ニューロデバイスに向けた最新メモリデバイス・薄膜材料技術」 2020年07月10日 
21Siデバイスにおける絶縁膜信頼性と水素 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム「酸化物中の水素とその役割」 2019年09月20日 
223Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題 電気通信情報学会 信頼性研究会 2019年08月22日 
233D Flash Memory - Electrical and Physical Characterizations for Memory Cell Reliability 32nd IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 2019年03月18日 
24共鳴核反応法を用いた水素起因ゲート絶縁膜劣化の観測 第207回 回応用物理学会分科会シリコンテクノロジー 2018年05月25日 
25Re-Investigation of Hydrogen Related Defect Generation in Gate Dielectric Interface and Bulk IEEE International Integrated Reliability Workshop 2014年10月13日 
2619a-A17-5 La シリケート/Si接合の熱的不安定性と膜中欠陥 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月19日 
2718a-A16-10 ランダム・テレグラム・ノイズにおける欠陥時定数ばらつきに関する物理機構の考察 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月18日 
2820p-E14-1 不純物・欠陥によるS原子ペアーのショットキー障壁変調への影響 第61 回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月20日 
2920a-E14-10 NiSi/Siショットキー障壁を変調する硫黄不純物の電子状態解析 第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月20日 
3020p-F12-4 nMOSFETsにおけるランダム・テレグラフ・ノイズに寄与する欠陥の時定数および電流振動の面方位依存性の検討 第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月20日 
3118a-D8-5 SiO2, Si3N4, Si 中の窒化種（NHx）の拡散と反応 第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月18日 
3218a-D8-4 共鳴核反応法を用いた水素分布測定および水素による絶縁膜劣化機構の詳細解析 第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月18日 
3320p-B4-1 S 原子ペアーがピニングでショットキー障壁を消滅させる機構 第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月20日 
3419a-C8-4 pMOSFETsにおけるチャネルへの歪印加によるランダム・テレグラフ・ノイズ低減の検討 第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月19日 
3528p-G9-7 Siを金属化させるS原子ペアーの電子構造 2013年03月28日 
3612a-F4-7 High-k絶縁膜中の欠陥成長 - 正孔注入によるHfSiO4中でのVOの分散と秩序化 – 第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月12日 
3717a-A4-6 SiO2中、SiO2/Si界面における水素間相互作用とSiO2膜劣化 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月17日 
3817p-A4-9 High-k絶縁膜中の欠陥成長 - 正孔注入によるHfSiO4中でのVO分散化 – 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月17日 
3916a-A1-7 S原子ペアーによるNiSi/Si接合の無障壁化 - 理論からの予想 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月16日 
4031p-Q-8 High-k絶縁膜中の欠陥生成と信頼性劣化 - 水素・窒素・正孔起因のHfSiON劣化 – 第72回応用物理学会学術講演会 2011年08月31日 
4126p-KD-5 NiSi/Si接合障壁を打ち消すS2分子型ドナー - 理論からの予測 第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月26日 
4226p-KW-3 LaAlSiOの絶縁破壊寿命の分布におけるAl 組成の影響 第58 回応用物理学関係連合講演会 2011年03月26日 
4326p-KW-6 High-k絶縁膜中の欠陥生成と信頼性劣化 - HfSiON中の水素と酸素欠損 – 第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月26日 
44電気的ストレス印加によるMOS界面の界面準位生成機構 第16回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- フォーカスセッション 2011年01月 
45統計分布に着目したシリコン酸化膜絶縁破壊の基板面方位依存性 第16回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理― 2011年01月 
4616a-S-12 High-k絶縁膜中の欠陥生成と信頼性劣化 － HfSiO4中の格子間水素 － 第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月16日 
4716a-S-11 High-kゲートスタックにおけるp-FET特有の破壊メカニズム ～High-k膜中の水素の影響～ 第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月16日 
4816a-S-5 SiO2/Siにおける界面準位の酸化修復機構の解析 第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月16日 
4920a-P16-16 High-K/界面層における原子水素拡散機構 第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月20日 
5020a-P16-4 トンネル絶縁膜へのGe添加によるリーク電流制御の微視的機構 第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月20日 
5120a-P16-3 トンネル酸化膜へのGe添加によるプログラミング電流増大 第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月20日 
522a-ZT-9 High-kゲート絶縁膜中の欠陥生成と信頼性劣化; HfSiO4中VO起因熱活性劣化モードの電界加速 第56回応用物理学関係連合講演会 2009年04月02日 
53終端元素による絶縁破壊寿命ワイブル分布改善の可能性 第14回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理― 2009年01月 
543p-CB-3 High-kゲート絶縁膜中の欠陥生成と信頼性劣化 - HfSiO4中の酸素欠損の電荷捕獲と熱活性劣化モード - 第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月03日 
552p-Y-8 添加元素効果から見るゲート絶縁膜劣化機構の考察 第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月02日 
562p-CD-8 Si(100)上完全無欠陥窒化膜の可能性と現状-理論からの予測- 第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月02日 
5729a-H-6 第一原理手法による金属/high-k膜界面の実効仕事関数予測 第55回応用物理学関係連合講演会 2008年03月29日 
5828p-H-9 SiO2絶縁膜上へのHf堆積により誘起される界面準位 第55回応用物理学関係連合講演会 2008年03月28日 
59極薄SiONゲート絶縁膜のACストレス下でのNBTI-回復パルス幅の影響- 第13回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理― 2008年01月 
60極薄SiO2/Si界面欠陥の電気的特性と水素による欠陥生成 第13回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理― 2008年01月 
61HfSiON膜中トラップと電流が絶縁破壊に及ぼす影響 13回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理― 2008年01月 
626p-ZM-15 High-kゲート絶縁膜中の欠陥生成と信頼性劣化 &#8211; HfSiO4中の酸素欠損の電荷捕獲に伴う構造変化 第68回応用物理学会学術講演会 2007年09月06日 
636p-ZM-12 極薄HfSiON膜の絶縁破壊に対するトンネル電流の寄与 第68回応用物理学会学術講演会 2007年09月06日 
644a-ZM-11 -Pbセンターと界面準位密度の関係- 第68回応用物理学会学術講演会 2007年09月04日 
654p-ZM-7 FUSI、poly-Si電極を用いたSiO2の絶縁破壊メカニズムの考察 第68回応用物理学会学術講演会 2007年09月04日 
6629a-ZH-3 SiO2/Siの界面準位の性質と水素の役割-Pbセンターの振る舞い- 第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月29日 
6727a-ZH-6 ストレス電圧依存性を考慮したNBTIシミュレータの構築 第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月27日 
6827a-ZH-5 極薄ゲート絶縁膜におけるACストレス下のNBTIに与える回復時間の影響 第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月27日 
6927p-ZH-7 HfSiON膜中の初期欠陥がBT劣化に及ぼす影響 第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月27日 
70ゲート酸化膜界面および膜中の欠陥生成およびその相関 第12回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理― 2007年01月 
71極薄SiO2/Si構造における絶縁膜形成過程と界面準位の関係 第12回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理― 2007年01月 
72極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響 電子情報通信学会 2006年06月22日 
7325p-V-16 HfSiONゲート絶縁膜に特徴的なNBT劣化・回復挙動 第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月25日 
7424p-V-12 窒素高濃度SiON膜のVfbシフト改善-欠陥の生成を抑える窒化とSi3N4界面の優先的酸化- 第53 回応用物理学関係連合講演会 2006年03月24日 
7524p-V-15 極薄ゲート絶縁膜における劣化・回復繰り返し時の負バイアス温度不安定性(NBTI)の挙動 第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月24日 
7624p-V-13 窒素高濃度SiON膜のVfbシフト改善-電気的特性からみる欠陥低減と界面優先酸化の効果- 第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月24日 
7724p-V-11 窒素高濃度SiON膜のVfbシフト改善－理論からの提言－ 第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月24日 
7824p-V-18 NBT劣化に及ぼす重水素効果の再検討 第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月24日 
79窒素高濃度極薄SiON膜のVfb改善メカニズム 第11回ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― 2006年01月 
80水素に起因したゲート酸化膜の劣化機構の統一的な理解 第11回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理― 2006年01月 
8110p-ZK-8 NBTストレス下におけるHfSiON膜の閾値シフトの膜厚および電界依存性 第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月10日 
820p-ZK-5 HfSiON絶縁膜の電界加速型破壊モデル 第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月10日 
83ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響 電気学会 電子材料研究会 2005年06月03日 
8431a-ZB-7 NBT ストレス下におけるHfSiON膜の閾値シフトと界面準位生成機構 第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月31日 
8530p-S-3 サブナノメータhigh-kゲートスタック技術 第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月30日 
86HfSiON膜の絶縁破壊における膜中キャリアの寄与 第10回ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理― 2005年01月 
87極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象 電子情報通信学会 2004年06月22日 
8830p-C-16 HfSiONゲート絶縁膜の組成と高温アニールに伴った膜構造変化の関係 第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月30日 
8930p-D-9 負バイアス温度不安定性(NBTI)の回復現象の解析 第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月30日 
9030p-C-17 EOT＜1nm性能を有する非晶質HfSiONゲート絶縁膜のポリSiゲート互換性 第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月30日 
9129p-C-16 Hf-N結合がN添加Hfシリケート膜の特性に及ぼす影響 第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月29日 
92薄SiO2膜及びSiON 膜のNBT 劣化とその機構の考察 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 : 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 2004年01月23日 
93NBT劣化の回復現象とその機構の考察 第9回ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― 2004年01月 
94HfSiO(N)における欠陥生成と破壊機構の考察 第9回ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― 2004年01月 
9530p-P2-24 定電圧ストレス下におけるHfシリケート膜の欠陥生成レートと劣化機構の考察 第64回応用物理学会学術講演会 2003年08月30日 
96極薄ゲート絶縁膜のNBTIとその機構 Semi Forum Japan 2003 2003年05月 
97NBT劣化に及ぼす反転層ホール量と酸化膜電界の影響 第50回応用物理学関係連合講演会 2003年03月 
98極薄ゲート絶縁膜のNBT劣化とその機構 第8回ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― 2003年01月 
99ゲート酸化膜中へのホットホール注入による水素起因SILC生成機構の考察 第49回応用物理学関係連合講演会 2002年03月 
100( 1 0 0 ) 面および( 1 1 1 ) 面上に形成されたゲート酸化膜の T D D B 特性相違の起源 第49回応用物理学関係連合講演会 2002年03月 
101重水素によるストレス誘起リーク電流（SILC)生成機構の考察 極薄シリコン酸化膜の形成評価信頼性(第7回研究会) 2002年01月 
102重水素添加Poly-Siゲート電極によるストレス誘起リーク電流(SILC)の低減 第48回応用物理学関係連合講演会 2001年03月 
103重水素による高信頼性ゲート絶縁膜 第５７回VLSI Forum 「アグレッシブに動くゲート絶縁膜」 2001年02月 
104重水素による高信頼性ゲート酸化膜の実現 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第25回研究会 2001年01月24日 
105分光エリプソメトリとX線反射率測定法とを併用したSiO2/Si の系の研究 極薄シリコン酸化膜の形成評価信頼性(第6回研究会) 2001年01月 
106重水素燃焼酸化によるF-Nストレス下でのSiO2中トラップ生成の抑制 極薄シリコン酸化膜の形成評価信頼性(第6回研究会) 2001年01月 
1074p-ZD-7 重水素燃焼酸化膜のストレス誘起リーク電流(SILC)低減機構の考察 第61回応用物理学会学術講演会 2000年09月04日 
10829ｐ-P9-5 重水素酸化膜を用いたF-Nストレス下での酸化膜界面およびバルクのトラップ生成機構の考察 第47回応用物理学関係連合講演会 2000年03月29日 
10929a-ZS-7 統計性から見たF-Nストレス下でのMOS界面準位の生成機構の考察 第４６回応用物理学関係連合講演会 1999年03月29日 
11029p-ZS-2 フッ素導入によるゲート酸化膜質の変化とQbd統計分布改善の相関 第４６回応用物理学関係連合講演会 1999年03月29日 
111酸化膜中へのフッ素導入による偶発性破壊モードの消失 第４６回応用物理学関係連合講演会 1999年03月 
11228p-F-1 QBDとQPの統計分布に基づいたゲート酸化膜の絶縁破壊過程の考察 第４４回応用物理学関係連合講演会 1997年03月28日 
11328a-PD-29 Si2H6-B2H6系ボロン添加アモルファスシリコンCVD におけるボロン濃度の決定要因 第５６回応用物理学会学術講演会 1995年09月28日 
11426p-ZN-13 ドープトアモルファスシリコンの固相成長を用いた極浅低抵抗拡散層の形成 第５６回応用物理学会学術講演会 1995年09月26日 
11529p-Q-15 アモルファスシリコンの選択成長 第４2回応用物理学関係連合講演会 1995年03月29日 

　

受賞  
No.受賞年月授与機関賞名(対象業績)タイトル
12023年11月 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - Young Researcher Award Degradation on nMOSFET and Interface Trap Creation under Channel Hot Carrier Stressing at Cryogenic Temperature 
22017年11月 2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – Young Award Experimental Evidence of Trap Level Modulation in SiN Thin Film by Hydrogen Annealing 
32017年04月 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) 功績賞 

　

共同研究・競争的資金等の研究課題  
No.提供機関制度名課題名等資金種別研究期間
1国立研究開発法人科学技術振興機構 研究成果展開事業（研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）） マイクロ波励起プラズマ処理によるシリコン窒化膜中水素濃度分布制御と電圧駆動型固体素子ニューロンの開発  2022年10月 - 2024年03月 
2日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 原子状水素を用いたシリコン窒化薄膜のナノ欠陥制御と信頼性向上に関する研究  2022年04月 - 2025年03月 
3技術研究組合 超先端電子技術開発機構 趙微粒子制御クリーニング基礎技術  1999年 - 2000年 

　

産業財産権  
No.産業財産権の種類産業財産権の名称出願番号出願日特許番号/登録番号登録日発行日
1特許権  Individual identification device, storage device, individual identification system, method of individual identification, and program product   US9983818 2018年05月29日   
2特許権  復号装置、復号方法およびメモリシステム   特許6290057 2018年02月16日   
3特許権  メモリシステムおよび制御方法   特許6282535 2018年02月02日   
4特許権  認証システム、認証装置および認証方法   特許6239471 2017年11月10日   
5特許権  Information processing system and semiconductor device   US9794073 2017年10月17日   
6特許権  Semiconductor device and method for manufacturing the same   US9755064 2017年09月05日   
7特許権  Semiconductor device and method for manufacturing the same   US9698236 2017年07月04日   
8特許権  Decoding device, decoding method, and memory system   US9672103 2017年06月06日   
9特許権  演算制御装置、それを備えたメモリシステム、および、情報処理装置   特許6151203 2017年06月02日   
10特許権  Semiconductor device and reading method   US9665426 2017年05月30日   
11特許権  認証装置、認証方法およびプログラム   特許6129654 2017年04月21日   
12特許権  個体識別装置、記憶装置、個体識別システム、その方法、およびプログラム   特許6129699 2017年04月21日   
13特許権  メモリシステムおよび制御方法   特許6121857 2017年04月07日   
14特許権  メモリシステム、制御システムおよび寿命予測方法   特許6104676 2017年03月10日   
15特許権  Comparator, AD converter, and wireless communication device   US9584149 2017年02月28日   
16特許権  Memory system   US9570181 2017年02月14日   
17特許権  不揮発性半導体記憶装置   特許6071524 2017年01月13日   
18特許権  Semiconductor device with polycrystalline silicon film   US9530855 2016年12月27日   
19特許権  半導体記憶装置   特許6034183 2016年11月04日   
20特許権  Authentication device, authentication method, and computer program product   US9460316 2016年10月04日   
21特許権  Memory system, control system and method of predicting lifetime   US9424927 2016年08月23日   
22特許権  Nonvolatile semiconductor memory   US9349876 2016年05月24日   
23特許権  Non-volatile variable resistive element, controlling device and storage device   US9349948 2016年05月24日   
24特許権  Memory system and control method   US9286995 2016年03月15日   
25特許権  Resistance change device and memory cell array   US9219229 2015年12月22日   
26特許権  Semiconductor storage device for handling write to nonvolatile memories with data smaller than a threshold   US9164704 2015年10月20日   
27特許権  Semiconductor circuit, D/A converter, mixer circuit, radio communication device, method for adjusting threshold voltage, and method for determining quality of transistor   US9083423 2015年07月14日   
28特許権  Error correction device, error correction method and computer program product   US9054739 2015年06月09日   
29特許権  Information recording device and method of manufacturing the same   US9040949 2015年05月26日   
30特許権  Resistance change device and memory cell array   US8916848 2014年12月23日   
31特許権  Semiconductor device and method for manufacturing the same   US8860118 2014年10月14日   
32特許権  半導体記憶装置及びその制御方法   特許5624573 2014年10月03日   
33特許権  誤り訂正装置、誤り訂正方法およびプログラム   特許5591876 2014年08月08日   
34特許権  抵抗変化素子、メモリセルアレイ、及び抵抗変化装置   特許5543819 2014年05月16日   
35特許権  Semiconductor memory device and method of controlling the same   US8717840 2014年05月06日   
36特許権  Nonvolatile semiconductor memory apparatus   US8698313 2014年04月15日   
37特許権  半導体装置の製造方法   特許5518880 2014年04月11日   
38特許権  Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same   US8592892 2013年11月26日   
39特許権  半導体装置およびその製造方法   特許5416936 2013年11月22日   
40特許権  Method for manufacturing a semiconductor device   US8557717 2013年10月15日   
41特許権  不揮発性半導体記憶装置   特許5361294 2013年09月13日   
42特許権  半導体装置およびその製造方法   特許5348898 2013年08月30日   
43特許権  半導体装置の製造方法   特許5342903 2013年08月16日   
44特許権  Semiconductor device including a gate insulating film having a metal oxide layer having trap levels,   US8476718 2013年07月02日   
45特許権  半導体装置の製造方法   特許5283833 2013年06月07日   
46特許権  Method of manufacturing semiconductor device   US8426302, 2013年04月23日   
47特許権  情報記録装置及びその製造方法   特許5072997 2012年08月31日   
48特許権  Semiconductor device and method for manufacturing the same   US8253190 2012年08月28日   
49特許権  不揮発性半導体メモリ装置の製造方法   特許5032056 2012年07月06日   
50特許権  Semiconductor device and method for manufacturing the same   US8211811 2012年07月03日   
51特許権  半導体装置およびその製造方法   特許4976796 2012年04月20日   
52特許権  Nonvolatile semiconductor memory apparatus   US8154072 2012年04月10日   
53特許権  半導体回路劣化シミュレーション方法およびコンピュータプログラム媒体   特許4966331 2012年04月06日   
54特許権  半導体装置及びその製造方法   特許4921887 2012年02月10日   
55特許権  Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufacturing method of nonvolatile semiconductor memory device   US8093126 2012年01月10日   
56特許権  半導体装置およびその製造方法   特許4861204 2011年11月11日   
57特許権  Semiconductor device and method for manufacturing the same   US8053827 2011年11月08日   
58特許権  Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same   US7985650 2011年07月26日   
59特許権  Nonvolatile semiconductor memory apparatus   US7943984 2011年05月17日   
60特許権  半導体装置の製造方法   特許4703277 2011年03月18日   
61特許権  Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufacturing method of nonvolatile semiconductor memory device   US7883967 2011年02月08日   
62特許権  Semiconductor device and method for manufacturing the same   US7863119 2011年01月04日   
63特許権  Method for manufacturing a semiconductor device   US7772129 2010年08月10日   
64特許権  Semiconductor device and method for manufacturing the same   US7749919, 2010年07月06日   
65特許権  Semiconductor device and method of manufacturing same   US7728379 2010年06月01日   
66特許権  半導体装置の製造方法   特許4489104 2010年04月09日   
67特許権  Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same   S7619274 2009年11月17日   
68特許権  Semiconductor device having an electrode containing boron and manufacturing method thereof   US7586163 2009年09月08日   
69特許権  不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法   特許4357526 2009年08月14日   
70特許権  不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法   特許4296128 2009年04月17日   
71特許権  半導体装置の製造方法   特許4125952 2008年05月16日   
72特許権  Semiconductor device and method of manufacturing the same   US7372113 2008年05月13日   
73特許権  半導体装置の製造方法   特許4115789 2008年04月25日   
74特許権  半導体装置及びその製造方法,   特許4091265 2008年03月07日   
75特許権  Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same   US7279737 2007年10月09日   
76特許権  半導体装置及びその製造方法   特許3998621 2007年08月17日   
77特許権  半導体装置及びその製造方法,   特許3969693 2007年06月15日   
78特許権  半導体エピタキシャル基板の製造方法   特許3886085 2006年12月01日   
79特許権  微小変化判定装置、微小変化判定方法及び微小変化判定プログラム   特許3863105 2006年10月06日   
80特許権  Semiconductor device and method of manufacturing the same   US7109103 2006年09月19日   
81特許権  Semiconductor device and method of manufacturing the same   US7015121 2006年03月21日   
82特許権  半導体装置の製造方法   特許3761918 2006年01月20日   
83特許権  Semiconductor device and method of manufacturing the same   US6891238 2005年05月10日   
84特許権  半導体装置及びその製造方法,   特許3637332 2005年01月14日   
85特許権  Semiconductor device and method of manufacturing the same   US6787433 2004年09月07日   
86特許権  Semiconductor device comprising dual silicon nitride layers with varying nitrogen ratio   US6774462 2004年08月10日   
87特許権  電界効果型トランジスタの製造方法   特許3487541 2003年10月31日   
88特許権  半導体装置の製造方法   特許3486069 2003年10月24日   
89特許権  半導体装置及びその製造方法,   特許3406811 2003年03月07日   
90特許権  半導体装置及びその製造方法,   特許3405664 2003年03月07日   
91特許権  半導体装置の製造方法   特許3376305 2002年11月29日   
92特許権  半導体装置の製造方法   特許3329628 2002年07月19日   
93特許権  Method of manufacturing a semiconductor device with oxide mediated epitaxial layer   US6395621 2002年05月28日   
94特許権  Semiconductor device with oxide mediated epitaxial layer   US6346732 2002年02月12日   
95特許権  Semiconductor device and manufacturing method thereof   US6342421 2002年01月29日   
96特許権  Apparatus and method of improving an insulating film on a semiconductor device   US6191463 2001年02月20日   
97特許権  Semiconductor device with element isolation film   US6018185 2000年01月25日   
98特許権  Semiconductor device and manufacturing method thereof   US5864161 1999年01月26日