論文 |
No. | 論文タイトル | 誌名(出版物名) | 巻 | 号 | 開始ページ | 終了ページ | 出版年月 | DOI | 査読の有無 |
1 | Anisotropic Wet Etching of WSe<inf>2</inf> and MoS<inf>2</inf> for Twist-Angle Extraction of Heterobilayers | Journal of Physical Chemistry C | 128 | 17 | 7211 | 7215 | 2024年05月02日 | https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.4c012281 | 査読有り |
2 | Tellurium nanosheets with structural anisotropy formed from defective MoTe2 multilayers  | AIP Advances | 13 | 7 | | | 2023年07月01日 | https://doi.org/10.1063/5.01554171 | 査読有り |
3 | Strong room-temperature EL emission from Ge-on-Si (1 1 1) diodes | Journal of Crystal Growth | 594 | | 126766 | 126766 | 2022年09月 | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.1267661 | 査読有り |
4 | Enhanced electroluminescence from Ge-on-Si by precise in-situ doping and postannealing | Applied Physics Express | 14 | 4 | | | 2021年04月 | https://doi.org/10.35848/1882-0786/abf0df1 | 査読有り |
5 | Dark-state impact on the exciton recombination of WS2 monolayers as revealed by multi-timescale pump-probe spectroscopy | Physical Review B | 102 | 19 | | | 2020年11月05日 | https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.1954071 | 査読有り |
6 | Reduced Inhomogeneous Broadening in Hexagonal Boron Nitride-Encapsulated MoTe<inf>2</inf>Monolayers by Thermal Treatment | ACS Applied Electronic Materials | 2 | 9 | 2739 | 2744 | 2020年09月22日 | https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c004521 | 査読有り |
7 | Enhanced photoluminescence from strained Ge-on-Insulator surface-passivated with hydrogenated amorphous Si | MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING | 115 | | | | 2020年08月 | https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1051041 | 査読有り |
8 | Crack formation in strained SiGe grown on Ge-on-Si (111) and its suppression by patterning substrates | Materials Science in Semiconductor Processing | 117 | | | | 2020年 | https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1051531 | 査読有り |
9 | Strain engineering of Si/Ge heterostructures on Ge-on-Si platform | ECS Transactions | 98 | 5 | 267 | 276 | 2020年 | https://doi.org/10.1149/09805.0267ecst1 | |
10 | Strong room-temperature electroluminescence from Ge-on-Si by precise in-situ doping control | ECS Transactions | 98 | 5 | 513 | 518 | 2020年 | https://doi.org/10.1149/09805.0513ecst1 | |
11 | Increased critical thickness for strained SiGe on Ge-on-Si(111) | ECS Transactions | 98 | 5 | 499 | 503 | 2020年 | https://doi.org/10.1149/09805.0499ecst1 | |
12 | Critical thickness of strained Si1-xGex on Ge(111) and Ge-on-Si(111) | APPLIED PHYSICS EXPRESS | 12 | 8 | | | 2019年08月01日 | https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab2db81 | 査読有り |
13 | Optimized electrical control of a Si/SiGe spin qubit in the presence of an induced frequency shift  | npj Quantum Information | 4 | 1 | | | 2018年12月01日 | https://doi.org/10.1038/s41534-018-0105-z1 | 査読有り |
14 | Structural properties of compressive strained Ge channels fabricated on Si (111) and Si (100) | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 33 | 12 | | | 2018年12月 | https://doi.org/10.1088/1361-6641/aae5751 | 査読有り |
15 | Effect of a pick-and-drop process on optical properties of a CVD-grown monolayer tungsten disulfide | PHYSICAL REVIEW MATERIALS | 2 | 6 | | | 2018年06月22日 | https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.0640031 | 査読有り |
16 | A quantum-dot spin qubit with coherence limited by charge noise and fidelity higher than 99.9%  | Nature Nanotechnology | 13 | 2 | 102 | 106 | 2018年02月 | https://doi.org/10.1038/s41565-017-0014-x1 | 査読有り |
17 | Thermal stability of compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si (100) substrates | MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING | 70 | | 127 | 132 | 2017年11月 | https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.11.0241 | 査読有り |
18 | Effect of ALD-Al2O3 Passivated Silicon Quantum Dot Superlattices on p/i/n(+) Solar Cells | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 64 | 7 | 2886 | 2892 | 2017年07月 | https://doi.org/10.1109/TED.2017.27042941 | 査読有り |
19 | Suppression of exciton-exciton annihilation in tungsten disulfide monolayers encapsulated by hexagonal boron nitrides | PHYSICAL REVIEW B | 95 | 24 | | | 2017年06月 | https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.2414031 | 査読有り |
20 | Optical characterization of double-side-textured silicon wafer based on photonic nanostructures for thin-wafer crystalline silicon solar cells | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 56 | 4 | | | 2017年04月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.56.04CS011 | 査読有り |
21 | Structural and electrical properties of Ge(111) films grown on Si(111) substrates and application to Ge(111)-on-Insulator | THIN SOLID FILMS | 613 | 11 | 24 | 28 | 2016年08月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2015.11.0201 | 査読有り |
22 | Impact of silicon quantum dot super lattice and quantum well structure as intermediate layer on p-i-n silicon solar cells | PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS | 24 | 6 | 774 | 780 | 2016年06月 | https://doi.org/10.1002/pip.27261 | 査読有り |
23 | Modulated surface nanostructures for enhanced light trapping and reduced surface reflection of crystalline silicon solar cells | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 55 | 5 | | | 2016年05月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0523021 | 査読有り |
24 | Effect of passivation layer grown by atomic layer deposition and sputtering processes on Si quantum dot superlattice to generate high photocurrent for high-efficiency solar cells | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 55 | 3 | | | 2016年03月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0323031 | 査読有り |
25 | Compressively strained Si/Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si(100) substrates | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 55 | 3 | | | 2016年03月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0313021 | 査読有り |
26 | Selective growth of vertical silicon nanowire array guided by anodic aluminum oxide template | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 54 | 9 | | | 2015年09月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.54.0950031 | 査読有り |
27 | Control of surface dip diameter in Si-based photonic nanostructures by changing growth temperature of Ge quantum dot multilayer structures and its impact on their optical properties | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 54 | 8 | | | 2015年08月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.54.08KA011 | 査読有り |
28 | Application of heterojunction to Si-based solar cells using photonic nanostructures coupled with vertically aligned Ge quantum dots | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 54 | 8 | | | 2015年08月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.54.08KA061 | 査読有り |
29 | Effects of anodization process of aluminum oxide template fabrication on selective growth of Si nanowire arrays | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 54 | 8 | | | 2015年08月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.54.08KA021 | 査読有り |
30 | Absorption enhancement in nanotextured solar cells with Ge/Si heterostructures | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 54 | 4 | | | 2015年04月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.54.04DR031 | 査読有り |
31 | Light trapping by direction-dependent light transmission in front-surface photonic nanostructures | APPLIED PHYSICS EXPRESS | 7 | 12 | | | 2014年12月 | https://doi.org/10.7567/APEX.7.1223011 | 査読有り |
32 | Simulation study of Ge/Si heterostructure solar cells yielding improved open-circuit voltage and quantum efficiency | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 53 | 11 | | | 2014年11月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.53.1103121 | 査読有り |
33 | Fabrication And Optical Characterization Of α-Germanium Nano Disk Structure Using Bio-Template And Neutral Beam Etching for Solar Cell Application | 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials | | | | | 2014年09月 | | 査読有り |
34 | Uniaxially strained SiGe(111) and SiGe(100) grown on selectively ion-implanted substrates | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 401 | 2 | 758 | 761 | 2014年09月 | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.02.0141 | 査読有り |
35 | Ratchet effect study in Si/SiGe heterostructures in the presence of asymmetrical antidots for different polarizations of microwaves | SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS | 15 | 4 | | | 2014年08月 | https://doi.org/10.1088/1468-6996/15/4/0450051 | 査読有り |
36 | Cubic Rashba Spin-Orbit Interaction of a Two-Dimensional Hole Gas in a Strained-Ge/SiGe Quantum Well | PHYSICAL REVIEW LETTERS | 113 | 8 | | | 2014年08月 | https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.113.0866011 | 査読有り |
37 | Simple approach for improving gold deposition inside nanoporous alumina template on Si substrate | APPLIED SURFACE SCIENCE | 305 | | 9 | 15 | 2014年06月 | https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.02.1031 | 査読有り |
38 | Carrier extraction dynamics from Ge/Si quantum wells in Si solar cells | THIN SOLID FILMS | 557 | | 368 | 371 | 2014年04月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.0421 | 査読有り |
39 | Formation of Ge(111) on Insulator by Ge epitaxy on Si(111) and layer transfer | THIN SOLID FILMS | 557 | | 76 | 79 | 2014年04月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.0741 | 査読有り |
40 | N-type doping of BaSi2 epitaxial films by phosphorus ion implantation and thermal annealing | THIN SOLID FILMS | 557 | | 90 | 93 | 2014年04月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.0381 | 査読有り |
41 | Control of geometry in Si-based photonic nanostructures formed by maskless wet etching process and its impact on optical properties | THIN SOLID FILMS | 557 | | 338 | 341 | 2014年04月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.0661 | 査読有り |
42 | Enhanced photocarrier generation in large-scale photonic nanostructures fabricated from vertically aligned quantum dots | OPTICS EXPRESS | 22 | 5 | A225 | A232 | 2014年03月 | https://doi.org/10.1364/OE.22.00A2251 | 査読有り |
43 | Effect of Miniband Formation in a Quantum Dot Super Lattice Fabricated by Combination of Bio-Template and Neutral Beam Etching for High Efficiency Quantum Dot Solar Cells | 2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) | Article number 6925105 | | 1092 | 1095 | 2014年 | https://doi.org/10.1109/PVSC.2014.69251051 | 査読有り |
44 | Control of Dip Shape in Photonic Nanostructures by Maskless Wet-Etching Process and Its Impact on Optical Properties | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 52 | 8 | | | 2013年08月 | https://doi.org/10.7567/JJAP.52.0802021 | 査読有り |
45 | Structural study on phosphorus doping of BaSi2 epitaxial films by ion implantation | THIN SOLID FILMS | 534 | | 470 | 473 | 2013年05月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.02.0141 | 査読有り |
46 | Nanostructure and Strain Field in Vertically Aligned Nano-Islands for Si/Ge 2D Photonic Nanocrystals | Materials Research Society Symposium Proceeding | 1510 | | mrsf12-1510-dd05-02-01 | mrsf12-1510-dd05-02-06 | 2013年03月 | https://doi.org/10.1557/opl.2013.4461 | 査読有り |
47 | High photo-current generation in a three-dimensional silicon quantum dot superlattice fabricated by combination of bio-template and neutral beam etching for quantum dot solar cell | Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference | | | 2456 | 2458 | 2013年 | https://doi.org/10.1109/PVSC.2013.67449721 | 査読有り |
48 | On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique | Journal of Crystal Growth | 378 | | 251 | 253 | 2013年 | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.1001 | 査読有り |
49 | Growth of vertical silicon nanowires array using electrochemical alternative | Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference | | | 2443 | 2446 | 2013年 | https://doi.org/10.1109/PVSC.2013.67449691 | 査読有り |
50 | Gas-source MBE growth of strain-relaxed Si1-xCx on Si(100) substrates | Journal of Crystal Growth | 378 | | 212 | 217 | 2013年 | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.1521 | 査読有り |
51 | Investigation of the open-circuit voltage in solar cells doped with quantum dots | Scientific Reports | 3 | | | | 2013年 | https://doi.org/10.1038/srep027031 | 査読有り |
52 | Enhanced carrier extraction from Ge quantum dots in Si solar cells under strong photoexcitation | APPLIED PHYSICS LETTERS | 101 | 13 | | | 2012年09月 | https://doi.org/10.1063/1.47568951 | 査読有り |
53 | Simultaneous enhanced photon capture and carrier generation in Si solar cells using Ge quantum dot photonic nanocrystals | NANOTECHNOLOGY | 23 | 18 | | | 2012年05月 | https://doi.org/10.1088/0957-4484/23/18/1854011 | 査読有り |
54 | Upper limit of two-dimensional hole gas mobility in strained Ge/SiGe heterostructures | APPLIED PHYSICS LETTERS | 100 | 22 | | | 2012年05月 | https://doi.org/10.1063/1.47236901 | 査読有り |
55 | Experimental and theoretical analysis of the temperature dependence of the two-dimensional electron mobility in a strained Si quantum well | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 111 | 7 | | | 2012年04月 | https://doi.org/10.1063/1.37024641 | 査読有り |
56 | Spin accumulation created electrically in an n-type germanium channel using Schottky tunnel contacts | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 111 | 7 | | | 2012年04月 | https://doi.org/10.1063/1.36709851 | 査読有り |
57 | Formation of Tensilely Strained Germanium-on-Insulator | APPLIED PHYSICS EXPRESS | 5 | 1 | | | 2012年01月 | https://doi.org/10.1143/APEX.5.0157011 | 査読有り |
58 | Temperature evolution of spin accumulation detected electrically in a nondegenerated silicon channel | PHYSICAL REVIEW B | 85 | 3 | | | 2012年01月 | https://doi.org/10.1103/PhysRevB.85.0353201 | 査読有り |
59 | Formation of uniaxially strained Si/Ge channels on SiGe buffers strain-controlled with selective ion implantation  | ECS Transactions | 50 | 9 | 815 | 820 | 2012年 | https://doi.org/10.1149/05009.0815ecst1 | 査読有り |
60 | HIGH EFFICIENCY QUANTUM DOT SOLAR CELLS USING 2-DIMENSIONAL 6.4-NM-DIAMETER Si NANODISK WITH SiC INTERLAYER | 2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) | | | 3195 | 3199 | 2012年 | | 査読有り |
61 | Structural Study of BF2 Ion Implantation and Post Annealing of BaSi2 Epitaxial Films | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 50 | 12 | | | 2011年12月 | https://doi.org/10.1143/JJAP.50.1212021 | 査読有り |
62 | Electric-field control of spin accumulation signals in silicon at room temperature | APPLIED PHYSICS LETTERS | 99 | 13 | | | 2011年09月 | https://doi.org/10.1063/1.36431411 | 査読有り |
63 | Line Width Dependence of Anisotropic Strain State in SiGe Films Induced by Selective Ion Implantation | APPLIED PHYSICS EXPRESS | 4 | 9 | | | 2011年09月 | https://doi.org/10.1143/APEX.4.0957011 | 査読有り |
64 | Self-diffusion in compressively strained Ge | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 110 | 3 | | | 2011年08月 | https://doi.org/10.1115/1.40044621 | 査読有り |
65 | Bias current dependence of spin accumulation signals in a silicon channel detected by a Schottky tunnel contact | APPLIED PHYSICS LETTERS | 99 | 1 | | | 2011年07月 | https://doi.org/10.1063/1.36074801 | 査読有り |
66 | Formation of ultra-shallow Ohmic contacts on n-Ge by Sb delta-doping | Materials Research Society Symposium Proceedings | 1305 | | 30 | 36 | 2011年 | https://doi.org/10.1557/opl.2011.1451 | 査読有り |
67 | XPS study on chemical bonding states of high-κ/high-μ gate stacks for advanced CMOS  | ECS Transactions | 41 | 7 | 137 | 146 | 2011年 | https://doi.org/10.1149/1.36332931 | 査読有り |
68 | Ultrashallow Ohmic contacts for n-type Ge by Sb delta-doping | APPLIED PHYSICS LETTERS | 97 | 16 | | | 2010年10月 | https://doi.org/10.1063/1.35035871 | 査読有り |
69 | Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 107 | 10 | | | 2010年05月 | https://doi.org/10.1063/1.33746881 | 査読有り |
70 | Formation of uniaxially strained SiGe by selective ion implantation technique | THIN SOLID FILMS | 518 | 9 | 2454 | 2457 | 2010年02月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2009.09.1571 | 査読有り |
71 | Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si+ implantation | THIN SOLID FILMS | 518 | | S162 | S164 | 2010年01月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2009.10.0791 | 査読有り |
72 | Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy | PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K MATERIALS 8 | 33 | 3 | 467 | 472 | 2010年 | https://doi.org/10.1149/1.34816351 | 査読有り |
73 | Local control of strain in SiGe by ion-implantation technique | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 311 | 3 | 806 | 808 | 2009年01月 | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.0991 | 査読有り |
74 | Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high Ge composition by ion implantation method | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 311 | 3 | 825 | 828 | 2009年01月 | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.1001 | 査読有り |
75 | Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation | APPLIED PHYSICS EXPRESS | 1 | 12 | | | 2008年12月 | https://doi.org/10.1143/APEX.1.1214011 | 査読有り |
76 | Strained-Si nMOSFET formed on very thin SiGe buffer layer fabricated by ion implantation technique | THIN SOLID FILMS | 517 | 1 | 353 | 355 | 2008年11月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.1081 | 査読有り |
77 | Fabrication of high quality SiGe relaxed thin layers by ion implantation technique with Ar, Si and Ge ions | THIN SOLID FILMS | 517 | 1 | 87 | 89 | 2008年11月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.1091 | 査読有り |
78 | Investigation of strain states and thermal stability of strained-Si-on-Insulator (sSOI) structures | THIN SOLID FILMS | 517 | 1 | 340 | 342 | 2008年11月 | https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.1541 | 査読有り |
79 | Development of thin SiGe relaxed layers with high-Ge composition by ion implantation method and application to strained Ge channels | APPLIED PHYSICS EXPRESS | 1 | 8 | | | 2008年08月 | https://doi.org/10.1143/APEX.1.0814011 | 査読有り |
80 | Strain state and thermal stability of strained-Si-on-insulator substrates | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS | 46 | 11 | 7294 | 7296 | 2007年11月 | https://doi.org/10.1143/JJAP.46.72941 | 査読有り |
81 | Strained Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors formed on very thin SiGe relaxed layer fabricated by ion implantation technique | APPLIED PHYSICS LETTERS | 90 | 20 | | | 2007年05月 | https://doi.org/10.1063/1.27393241 | 査読有り |
82 | Thermal stability of strained-SOI (sSQI) | Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest | 2006 | | | | 2006年 | | |
MISC |
No. | MISCタイトル | 誌名 | 巻 | 号 | 開始ページ | 終了ページ | 出版年月(日) |
1 | MoO3薄膜のTe化による多層MoTe2の相転移制御 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 70th | | | | 2023年 |
2 | 二軸歪み単層遷移金属ダイカルコゲナイドの光学特性 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 70th | | | | 2023年 |
3 | 原子層ヘテロ構造共振器を利用した超高感度嗅覚センサーの開発 | 立石科学技術振興財団助成研究成果集(Web) | | 32 | | | 2023年 |
4 | hBNの表面ラフネスがhBN/単層WSe2/hBN構造の励起子ダイナミクスに与える影響 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 70th | | | | 2023年 |
5 | MoS2/WSe2ヘテロ構造の層間励起子における熱活性化エネルギーのツイスト角度依存性 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 83rd | | | | 2022年 |
6 | 金剥離法で作製した大面積な単層MoTe2構造の光学特性 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 83rd | | | | 2022年 |
7 | CVD成長により作製した多層MoTe2の結晶構造評価 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 83rd | | | | 2022年 |
8 | hBN/MoS2積層構造を利用したナノ機械共振器の電気機械特性 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 69th | | | | 2022年 |
9 | MoTe2/hBN積層構造の熱処理による電気的特性への影響 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 69th | | | | 2022年 |
10 | 3層MoTe2面内PN接合のキャリア密度変調によるEL強度変化 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 69th | | | | 2022年 |
11 | Ge-on-Si(111)LEDからの室温EL発光ピークに注入電流が与える影響 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 83rd | | | | 2022年 |
12 | 原子層積層構造を用いた円偏光方向変調可能な近赤外光エレクトロルミネッセンス素子の作製とその基礎光学特性 | 村田学術振興財団年報 | | 36 | | | 2022年 |
13 | In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 68th | | | | 2021年 |
14 | 二テルル化モリブデンのhBN封止構造における熱安定性 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 68th | | | | 2021年 |
15 | Ge-on-Si(111)LEDの熱処理による室温EL発光強度増大 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 82nd | | | | 2021年 |
16 | 電流変調抵抗率測定におけるSiウェーハ表面ダメージの影響 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 68th | | | | 2021年 |
17 | 歪みGe-on-Si(111)ダイオード構造からの室温EL発光 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 68th | | | | 2021年 |
18 | デュアルバックゲート電圧変調によるMoTe2面内PN接合の発光ダイオード | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 82nd | | | | 2021年 |
19 | Ge-on-Si基板のパターニングによる歪みSiGe層中クラック発生の抑制 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 67th | | | | 2020年 |
20 | 単層MoTe2のhBN封止構造における熱処理による光学特性への影響 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 67th | | | | 2020年 |
21 | GOI基板作製における貼り合わせ後熱処理の影響 | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 67th | | | | 2020年 |
22 | 熱処理によるhBN/単層MoTe2ヘテロ構造の界面不純物除去 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 81st | | | | 2020年 |
23 | In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 81st | | | | 2020年 |
24 | 選択成長を用いたGe-on-Si(111)基板上への高品質な歪みSiGe層の作製 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 81st | | | | 2020年 |
25 | イオン注入と熱処理による金属相MoTe2の形成 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 81st | | | | 2020年 |
26 | ナノ多孔層ガラス基板を利用したGeナノドットの作製 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 80th | | | | 2019年 |
27 | hBN/1L-WSe2/hBN構造の光取り出し効率の改善 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 80th | | | | 2019年 |
28 | 二次元ナノマテリアル複合構造の創製と新展開 | 日本物理学会講演概要集(CD-ROM) | 74 | 1 | | | 2019年 |
29 | Ge-on-Si(111)及びGe(111)基板上の歪みSi1-xGexの臨界膜厚 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 80th | | | | 2019年 |
30 | 二次元結晶ファンデルワールス接合の自動作製と量子輸送現象 | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 79th | | | | 2018年 |
31 | WS2/hBNファンデルワールス接合の励起子発光特性 | 固体物理 | 53 | 11 | | | 2018年 |
32 | 同位体制御Si/SiGe単一電子スピンの1/f電荷揺らぎによる位相雑音  | 日本物理学会講演概要集(CD-ROM) | 72 | 2 | ROMBUNNO.21pB31‐4 | | 2017年09月25日 |
33 | 同位体制御Si/SiGe電子スピン量子ビットの高速量子操作忠実度  | 日本物理学会講演概要集(CD-ROM) | 72 | 1 | ROMBUNNO.17pA21‐7 | | 2017年03月21日 |
34 | hBN/単原子層WS2/hBN構造の励起子ダイナミクス  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 64th | | ROMBUNNO.16p‐F203‐13 | | 2017年03月01日 |
35 | Si/SiGe多重量子ドットの形成と電荷状態測定  | 日本物理学会講演概要集(CD-ROM) | 71 | 2 | ROMBUNNO.15aAB‐10 | 1159 | 2016年09月23日 |
36 | 同位体制御されたSi/SiGe量子ドットにおける単一電子スピン共鳴  | 日本物理学会講演概要集(CD-ROM) | 71 | 2 | ROMBUNNO.15aAB‐11 | 1160 | 2016年09月23日 |
37 | イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性評価  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 77th | | ROMBUNNO.15p‐P11‐8 | | 2016年09月01日 |
38 | NbSe2/WSe2ファンデルワールスヘテロ接合における伝導特性  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 77th | | ROMBUNNO.16a‐A32‐4 | | 2016年09月01日 |
39 | 固体ソースMBE法によるSiテクスチャ基板上へのGeドット積層構造の結晶成長と太陽電池応用  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 76th | | ROMBUNNO.14P-2S-9 | | 2015年08月31日 |
40 | イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si1-xCxヘテロ構造の熱的安定性  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 76th | | ROMBUNNO.13P-2W-5 | | 2015年08月31日 |
41 | ホスフィンを利用したSi基板中へのPドーピングによる電界効果パッシベーションの検討  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 76th | | ROMBUNNO.15P-2S-4 | | 2015年08月31日 |
42 | Geometry in Si-based photonic nanostructures coupled with Ge quantum dot multilayers and its impact on optical properties | Japanese Journal of Applied Physics | 54 | | 08KA01 | | 2015年06月11日 |
43 | 変調表面テクスチャにおける光閉じ込め効果の理論的検討  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 62nd | | ROMBUNNO.11A-C2-1 | | 2015年02月26日 |
44 | Arイオン注入法を用いた圧縮歪みSi/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 62nd | | ROMBUNNO.12A-D5-4 | | 2015年02月26日 |
45 | 歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 62nd | | ROMBUNNO.12P-P17-5 | | 2015年02月26日 |
46 | イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 62nd | | ROMBUNNO.12P-P17-3 | | 2015年02月26日 |
47 | ナノ構造体・結晶シリコン融合構造におけるGeドット積層構造とフォトニックナノ構造の独立形状制御  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 62nd | | ROMBUNNO.12P-C2-3 | | 2015年02月26日 |
48 | コロイダルリソグラフィを利用したテクスチャSi基板表面へのナノ構造形成とその太陽電池特性  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 62nd | | ROMBUNNO.11A-C2-2 | | 2015年02月26日 |
49 | 選択ウェットエッチング技術を利用したナノフォトニック構造・量子ドット結合体の作製と光学特性  | 村田学術振興財団年報 | | 28 | 243 | 250 | 2014年12月 |
50 | 光デバイスの未来を切り拓く量子ドットテクノロジー ナノ構造体・結晶シリコン融合太陽電池の進展  | Optronics | 33 | 394 | 102 | 106 | 2014年10月10日 |
51 | イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性及びデバイス特性評価  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 75th | | ROMBUNNO.18P-PB10-6 | | 2014年09月01日 |
52 | Siテクスチャ基板を用いたGeドット成長とその太陽電池応用  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 75th | | ROMBUNNO.19P-A25-4 | | 2014年09月01日 |
53 | 歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造の不純物活性化過程における結晶性及び電気特性評価  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 75th | | ROMBUNNO.18P-PB10-7 | | 2014年09月01日 |
54 | 表面フォトニックナノ構造における光透過特性と光閉じ込め効果  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 75th | | ROMBUNNO.18A-A25-8 | | 2014年09月01日 |
55 | 結晶成長温度の変化によるフォトニックナノ構造の形状制御と光学特性  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 75th | | ROMBUNNO.19P-A25-5 | | 2014年09月01日 |
56 | ナノ・ヘテロ構造を利用した太陽電池 ナノ構造体・結晶シリコン融合太陽電池  | 日本結晶成長学会誌(CD-ROM) | 41 | 2 | 66 | 73 | 2014年07月 |
57 | 弱反局在測定を用いた歪Ge/SiGe二次元正孔系におけるラシュバスピン軌道相互作用の検出  | 日本物理学会講演概要集 | 69 | 1 | 691 | 691 | 2014年03月05日 |
58 | フォトニック・テクスチャダブル構造を利用した太陽電池の作製  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 61st | | ROMBUNNO.18P-F6-8 | | 2014年03月03日 |
59 | イオン注入法がSi1-XCX/Si(001)構造の欠陥形成過程に及ぼす効果  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 61st | | ROMBUNNO.17A-PG2-4 | | 2014年03月03日 |
60 | Ge量子ドット積層フォトニックナノ構造を用いた光キャリア生成増大  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 61st | | ROMBUNNO.18P-E12-6 | | 2014年03月03日 |
61 | 圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造における炭素傾斜組成の電気伝導特性への効果  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 61st | | ROMBUNNO.17A-PG2-2 | | 2014年03月03日 |
62 | 不純物イオン注入および熱処理がSi1-xCx層の結晶性に及ぼす影響  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 61st | | ROMBUNNO.17A-PG2-3 | | 2014年03月03日 |
63 | Investigation of the Cause of Reduced Open Circuit Voltage in Ge/Si Quantum Dot Solar Cells | 2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) | | | 1103 | 1105 | 2014年 |
64 | ナノ・ヘテロ構造を利用した太陽電池 ナノ構造体・結晶シリコン融合太陽電池 | 日本結晶成長学会誌(CD-ROM) | 41 | 2 | | | 2014年 |
65 | Light Trapping in Large-Scale Photonic Nanostructures Fabricated from Vertically Aligned Ge Quantum Dots on Crystalline Silicon | 2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) | | | 1257 | 1259 | 2014年 |
66 | 圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造における結晶欠陥形成過程の研究  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 74th | | ROMBUNNO.18A-B4-9 | | 2013年08月31日 |
67 | 固相成長法によるCap‐Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と界面準位及び移動度の評価  | 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 74th | | ROMBUNNO.17P-P8-2 | | 2013年08月31日 |
68 | マスクレスウェットエッチングで形成したフォトニックナノ構造の形状制御と光学特性  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 60th | | ROMBUNNO.30P-A4-8 | | 2013年03月11日 |
69 | ガスソースMBE法によるシリコン・炭素混晶の結晶成長と欠陥形成過程の解明  | 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 60th | | ROMBUNNO.28P-PA2-4 | | 2013年03月11日 |
70 | Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測  | 日本物理学会講演概要集 | 68 | 1 | 759 | | 2013年03月05日 |
71 | ナノ構造体・結晶シリコン融合太陽電池  | 薄膜太陽電池セミナー | 5th | | 57‐60 | | 2013年 |
72 | ナノ構造体・結晶シリコン融合構造の作製とその太陽電池特性  | 薄膜太陽電池セミナー | 5th | | 127 | | 2013年 |
73 | Effect of Ge/Si heterostructures on carrier extraction in Si solar cells with Ge quantum dots | Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference | | | 330 | 332 | 2013年 |
74 | 電子顕微鏡によるGe/Si量子ドット構造における混晶化の解析  | エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集 | 32nd | | 31 | | 2012年10月26日 |
75 | 中性粒子ビーム酸化膜を用いた超高速歪みGeチャネルデバイス開発  | 東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学研究拠点活動報告書 | 2011 | | 47 | 48 | 2012年10月 |
76 | Ge/Si量子ドット構造における局所弾性場のイメージング  | 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) | 25th | | ROMBUNNO.3R17 | | 2012年09月12日 |
77 | Ge量子ドット構造における局所弾性場の解析  | 日本金属学会講演概要(CD-ROM) | 151st | | ROMBUNNO.703 | | 2012年09月03日 |
78 | CMPによるGe表面の平坦化と歪みGOI(111)基板の作製  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 73rd | | ROMBUNNO.13A-J-7 | | 2012年08月27日 |
79 | 選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 73rd | | ROMBUNNO.13A-J-8 | | 2012年08月27日 |
80 | n‐GeへのSbデルタドーピングにおけるSi添加の効果  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 73rd | | ROMBUNNO.13A-J-4 | | 2012年08月27日 |
81 | BaSi2エピタキシャル薄膜へのPH3注入及び高温アニール  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 73rd | | ROMBUNNO.14A-F2-4 | | 2012年08月27日 |
82 | 角度分解X線光電子分光法によるGeにδドープしたSbの深さ方向分布  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 73rd | | ROMBUNNO.13P-PA10-6 | | 2012年08月27日 |
83 | Ge/Si量子ドットにおけるキャリア取り出し効率の照射光強度依存性  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 73rd | | ROMBUNNO.11A-F1-8 | | 2012年08月27日 |
84 | マスクレスウェットエッチングを利用したGe量子ドット構造上へのナノフォトニック構造形成と光学特性評価  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 73rd | | ROMBUNNO.12P-F6-16 | | 2012年08月27日 |
85 | 結晶シリコン太陽電池の表面フォトニック構造についてFDTD法を用いた光学応答の評価  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 73rd | | ROMBUNNO.13P-B1-16 | | 2012年08月27日 |
86 | Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測  | 日本物理学会講演概要集 | 67 | 2 | 620 | 620 | 2012年08月24日 |
87 | 圧縮歪みGeチャネル変調ドープ構造の磁気輸送特性  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.17A-DP4-2 | | 2012年02月29日 |
88 | Si(110)基板上に形成したSiGe nMOSFETの電子移動度の評価  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.17A-DP4-5 | | 2012年02月29日 |
89 | Si‐MOSFET構造におけるスピン蓄積の検出  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.17A-B4-10 | | 2012年02月29日 |
90 | Fe3Si/n+‐Ge/n‐Ge素子におけるスピン蓄積の生成・検出  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.17A-B4-3 | | 2012年02月29日 |
91 | Si‐capによるHfO2/歪みGe界面のHfジャーマネイト形成の抑制  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.15P-GP1-13 | | 2012年02月29日 |
92 | 水素ラジカルによる選択加熱現象を利用したSi1-XGeX薄膜形成技術  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.16P-F11-3 | | 2012年02月29日 |
93 | Ge/SiGeヘテロ構造中に形成される二次元正孔ガス中の正孔散乱機構の解析  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.17A-E3-2 | | 2012年02月29日 |
94 | (110)傾斜基板上に形成した歪みSiの電子移動度と結晶性との関係  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.16A-F11-8 | | 2012年02月29日 |
95 | 圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造の形成と評価  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.16A-F11-7 | | 2012年02月29日 |
96 | SiGe/Si(110)ヘテロ構造の正孔移動度測定  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 59th | | ROMBUNNO.16A-F11-9 | | 2012年02月29日 |
97 | Formation of high-quality Ge(111) layers on Si (111) substrates | | - | | - | | 2012年 |
98 | Ge量子ドット構造における局所弾性場の解析 | 日本金属学会講演概要(CD-ROM) | 151st | | | | 2012年 |
99 | Enhanced carrier extraction under strong light irradiation in Ge/Si type-II quantum dot solar cells | Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference | | | 3200 | 3203 | 2012年 |
100 | Magnetotransport properties of 20-nm-thick strained Ge with various compressive stresses | | - | | - | | 2012年 |
101 | 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価  | 電子情報通信学会技術研究報告 | 111 | 249(SDM2011 97-114) | 37 | 41 | 2011年10月13日 |
102 | 三端子Hanle効果測定法を用いたSi中のスピン蓄積の検出  | 日本磁気学会学術講演概要集 | 35th | | 338 | | 2011年09月27日 |
103 | n‐Ge中に生成されたスピン蓄積の検出  | 日本磁気学会学術講演概要集 | 35th | | 340 | | 2011年09月27日 |
104 | Ge/Siエピタキシャル成長を利用した薄膜歪GOI(111)構造の形成  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 72nd | | ROMBUNNO.31A-P15-2 | | 2011年08月16日 |
105 | 2段階成長法によるSi(111)基板上Ge薄膜の作製  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 72nd | | ROMBUNNO.31A-P15-1 | | 2011年08月16日 |
106 | BF2イオン照射したBaSi2エピタキシャル薄膜の高温アニール  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 72nd | | ROMBUNNO.2A-W-4 | | 2011年08月16日 |
107 | 水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶Si1-xGex形成技術  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 72nd | | ROMBUNNO.1P-M-11 | | 2011年08月16日 |
108 | 圧縮歪ゲルマニウム中の自己拡散  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 58th | | ROMBUNNO.24P-KM-1 | | 2011年03月09日 |
109 | 角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 III  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 58th | | ROMBUNNO.27A-KW-4 | | 2011年03月09日 |
110 | ハンル効果測定を用いた強磁性合金/シリコン界面近傍におけるスピン蓄積の電気的検出  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 58th | | ROMBUNNO.25A-KM-13 | | 2011年03月09日 |
111 | 貼り合わせ法による歪みGOI基板の作製  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 58th | | ROMBUNNO.27P-KF-2 | | 2011年03月09日 |
112 | 選択的イオン注入法により作製される一軸性歪みSiGeの表面構造評価  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 71st | | ROMBUNNO.14P-ZQ-6 | | 2010年08月30日 |
113 | Ge(111)への高濃度Sbデルタドーピングによる低抵抗コンタクト形成  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 71st | | ROMBUNNO.14P-ZQ-8 | | 2010年08月30日 |
114 | イオン注入法によるSi(111)基板上緩和SiGeバッファ層の作製  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 71st | | ROMBUNNO.14P-ZQ-5 | | 2010年08月30日 |
115 | 角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 II  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 71st | | ROMBUNNO.15P-ZA-12 | | 2010年08月30日 |
116 | Ar+およびSi+イオン注入欠陥がSiGe層の歪緩和に与える影響  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 71st | | ROMBUNNO.14P-ZQ-4 | | 2010年08月30日 |
117 | CVDにより作製した歪みGeチャネルの電気伝導特性  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) | 71st | | ROMBUNNO.14P-NH-14 | | 2010年08月30日 |
118 | 低抵抗コンタクト形成へ向けたGeへのSbデルタドーピングとその偏析現象  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 57th | | ROMBUNNO.17P-TJ-14 | | 2010年03月03日 |
119 | Siキャップ層による歪みGeチャネルの歪み安定性向上  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 57th | | ROMBUNNO.19A-TK-6 | | 2010年03月03日 |
120 | 角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 57th | | ROMBUNNO.18P-P9-10 | | 2010年03月03日 |
121 | 選択的イオン注入法により作製された一軸性歪みSiGeの歪み状態に与えるメサエッチの影響  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) | 57th | | ROMBUNNO.17P-TJ-12 | | 2010年03月03日 |
122 | HfO2/歪みGeチャネル変調ドープ構造における正孔移動度の正孔密度依存性  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集 | 70th | 1 | 375 | | 2009年09月08日 |
123 | Si(111)基板上へのSiGe層のMBE成長と結晶性評価  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集 | 70th | 1 | 375 | | 2009年09月08日 |
124 | 選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 | 56th | 1 | 430 | | 2009年03月30日 |
125 | 選択的イオン注入法により作製したSiGe層における一軸性歪みの観測  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集 | 69th | 1 | 347 | | 2008年09月02日 |
126 | Siイオン注入法により作製されたSiGeバッファー層の歪緩和過程  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集 | 69th | 1 | 347 | | 2008年09月02日 |
127 | 選択的イオン注入法によるSiGe層の面内歪み制御  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 | 55th | 1 | 422 | | 2008年03月27日 |
128 | イオン注入法による高Ge組成薄膜緩和SiGe層の開発  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 | 55th | 1 | 422 | | 2008年03月27日 |
129 | イオン注入法により作製した薄膜SiGe緩和層上の歪みSi‐nMOSFET  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集 | 68th | 1 | 402 | | 2007年09月04日 |
130 | TEOS酸化膜の堆積によるsSOI構造の熱的安定性の改善  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集 | 68th | 1 | 399 | | 2007年09月04日 |
131 | Si+イオン注入法による高品質SiGeバッファー層の作製  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 | 54th | 1 | 426 | | 2007年03月27日 |
132 | 厚膜歪みSOI(sSOI)構造の熱的安定性  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集 | 67th | 1 | 366 | | 2006年08月29日 |
133 | Geイオン注入法による超平坦な薄膜SiGe緩和層の作製  | 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 | 53rd | 1 | 407 | | 2006年03月22日 |
134 | 歪みSOI(sSOI)構造の熱的安定性  | 応用物理学会学術講演会講演予稿集 | 66th | 1 | 301 | | 2005年09月07日 |