澤野　憲太郎 (サワノ　ケンタロウ,SAWANO Kentarou)

基本情報	研究分野	研究業績	教育業績	社会貢献業績

書籍等出版物
No.	タイトル	担当区分	出版社	出版年月	担当範囲	ISBN
1	次世代の情報通信技術に向けたシリコン上ゲルマニウム発光デバイス	単著	化学工業 Vol.73, No. 3, pp 160-166	2022年
2	シリコンフォトニクス光配線に向けたゲルマニウム発光素子	共著	光アライアンス, Vol. 29 , No. 5, pp 19-25	2018年
3	超低消費電力・光電子融合デバイスに向けたゲルマニウムウェハー開発		MATERIAL STAGE, Vol.17, No.12, pp 57-62	2018年
4	Silicon germanium (SiGe) nanostructures	共著	Woodhead Publishing	2011年		9781845696894

論文
No.	論文タイトル	誌名(出版物名)	巻	号	開始ページ	終了ページ	出版年月	DOI	査読の有無
1	Al–Ge-paste-induced liquid phase epitaxy of Si-rich SiGe(111) for epitaxial Co-based Heusler alloys	Materials Science in Semiconductor Processing	174				2024年05月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.1082321
2	Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain	Materials Science in Semiconductor Processing	167	15	107763		2023年08月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.1077631	査読有り
3	Tellurium nanosheets with structural anisotropy formed from defective MoTe2 multilayers	AIP Advances	13	7			2023年07月01日	https://doi.org/10.1063/5.01554171
4	Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures	Materials Science in Semiconductor Processing	161		107476	107476	2023年07月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.1074761	査読有り
5	Significant reduction of crack propagation in the strained SiGe/Ge(111) induced by the local growth on the depth-controlled area patterning	Applied Physics Express	16	1	015502	015502	2023年01月01日	https://doi.org/10.35848/1882-0786/aca7511	査読有り
6	Fabrication of branch-like bridges based on Ge-on-Si (110) and observation of resonant light emission	ECS Transactions	109	4	297	302	2022年09月30日	https://doi.org/10.1149/10904.0297ecst1	査読有り
7	Fabrication of Thick SiGe／Ge Multiple Quantum Wells on Ge-on-Si and Their Optical Properties	ECS Transactions	109	4	289	295	2022年09月30日	https://doi.org/10.1149/10904.0289ecst1	査読有り
8	Strong room-temperature EL emission from Ge-on-Si (1 1 1) diodes	Journal of Crystal Growth	594		126766-1	126766-5	2022年09月	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.1267661	査読有り
9	Effect of Strain on Room-Temperature Spin Transport in Si0.1Ge0.9	Physical Review Applied	18	2	024005		2022年08月02日	https://doi.org/10.1103/physrevapplied.18.0240051	査読有り
10	Temperature dependence of two-terminal local magnetoresistance in Co-based Heusler alloy/Ge lateral spin-valve devices	IEEE Transactions on Magnetics	58	8	4100505	4100505	2022年08月	https://doi.org/10.1109/tmag.2022.31453931	査読有り
11	Significant effect of interfacial spin moments in ferromagnet-semiconductor heterojunctions on spin transport in a semiconductor	Physical Review B	105	19	195308		2022年04月	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.1953081	査読有り
12	Mechanism of crack formation in strained SiGe(111) layers	Journal of Crystal Growth	589		126672		2022年04月	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.1266721	査読有り
13	Fabrication of SiGe/Ge microbridges based on Ge-on-Si(110) and observation of resonant light emission	Journal of Crystal Growth	590		126682		2022年04月	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.1266821	査読有り
14	Strain engineering of heteroepitaxial SiGe/Ge on Si with various crystal orientations	ECS Transactions	109	4	197	204	2022年	https://doi.org/10.1149/10904.0197ecst1	査読有り
15	縦型半導体スピン素子を目指したCo₂FeSi上の高品質Ge成長と室温磁気抵抗比の増大	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	69th				2022年
16	Magnetoresistance ratio of more than 1% at room temperature in germanium vertical spin-valve devices with Co₂FeSi	Applied Physics Letters	119	19	192404	192404	2021年11月08日	https://doi.org/10.1063/5.00615041	査読有り
17	Experimental extraction of donor-driven spin relaxation in n -type nondegenerate germanium	Physical Review B	104	11			2021年09月01日	https://doi.org/10.1103/physrevb.104.1153011	査読有り
18	Effect of Fe atomic layers at the ferromagnet-semiconductor interface on temperature-dependent spin transport in semiconductors	Journal of Applied Physics	129	18			2021年05月14日	https://doi.org/10.1063/5.00483211	査読有り
19	Room-temperature two-terminal magnetoresistance ratio reaching 0.1% in semiconductor-based lateral devices with L2<inf>1</inf>-ordered Co<inf>2</inf>MnSi	Applied Physics Letters	118	16			2021年04月	https://doi.org/10.1063/5.00452331	査読有り
20	Enhanced electroluminescence from Ge-on-Si by precise in-situ doping and postannealing	Applied Physics Express	14	4			2021年04月	https://doi.org/10.35848/1882-0786/abf0df1	査読有り
21	高Q値中赤外Siマイクロディスク共振器	応用物理学会学術講演会講演予稿集	2021.1		1125	1125	2021年02月26日	https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_11251
22	A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si	Applied Physics Express	14	2			2021年02月	https://doi.org/10.35848/1882-0786/abd4c51	査読有り
23	縦型半導体スピン素子のための単結晶Co₂FeSi上Ge薄膜の高品質化	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	82nd				2021年
24	Low-frequency spin qubit energy splitting noise in highly purified ²⁸Si/SiGe	npj Quantum Information	6	1			2020年12月01日	https://doi.org/10.1038/s41534-020-0276-21	査読有り
25	Author Correction: Low-frequency spin qubit energy splitting noise in highly purified ²⁸Si/SiGe (npj Quantum Information, (2020), 6, 1, (40), 10.1038/s41534-020-0276-2)	npj Quantum Information	6	1			2020年12月01日	https://doi.org/10.1038/s41534-020-00298-71	査読有り
26	Spin injection through energy-band symmetry matching with high spin polarization in atomically controlled ferromagnet/ferromagnet/semiconductor structures	NPG Asia Materials	12	1			2020年12月01日	https://doi.org/10.1038/s41427-020-0228-51	査読有り
27	Thermoelectric Si<inf>1-</inf><inf>x</inf>Ge<inf>x</inf>and Ge epitaxial films on Si(001) with controlled composition and strain for group IV element-based thermoelectric generators	Applied Physics Letters	117	14			2020年10月05日	https://doi.org/10.1063/5.00238201	査読有り
28	Crack formation in strained SiGe grown on Ge-on-Si (111) and its suppression by patterning substrates	Materials Science in Semiconductor Processing	117				2020年10月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1051531	査読有り
29	Reduced Inhomogeneous Broadening in Hexagonal Boron Nitride-Encapsulated MoTe<inf>2</inf>Monolayers by Thermal Treatment	ACS Applied Electronic Materials	2	9	2739	2744	2020年09月22日	https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c004521	査読有り
30	Enhanced photoluminescence from strained Ge-on-Insulator surface-passivated with hydrogenated amorphous Si	Materials Science in Semiconductor Processing	115				2020年08月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1051041	査読有り
31	Hole mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) hetero structures studied by gated Hall measurements	Materials Science in Semiconductor Processing	113				2020年07月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1050521	査読有り
32	Inverse local magnetoresistance effect up to room temperature in ferromagnet-semiconductor lateral spin-valve devices	Materials Science in Semiconductor Processing	113				2020年07月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.1050461	査読有り
33	High Thermoelectric Power Factor Realization in Si-Rich SiGe/Si Superlattices by Super-Controlled Interfaces	ACS Applied Materials and Interfaces	12	22	25428	25434	2020年06月03日	https://doi.org/10.1021/acsami.0c049821	査読有り
34	Suppression of Donor-Driven Spin Relaxation in Strained Si0.1Ge0.9	Physical Review Applied	13	5			2020年05月	https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.13.0540251	査読有り
35	Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots	Japanese Journal of Applied Physics	59	SF	1	5	2020年04月	https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab5b581	査読有り
36	Hole mobility enhancement observed in (110)-oriented strained Si	Japanese Journal of Applied Physics	59	SG			2020年04月	https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab65911	査読有り
37	Large, Tunable Valley Splitting and Single-Spin Relaxation Mechanisms in a Si/Six Ge1-x Quantum Dot	Physical Review Applied	13	3			2020年02月	https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.13.0340681	査読有り
38	Strong room-temperature electroluminescence from Ge-on-Si by precise in-situ doping control	ECS Transactions	98	5	513	518	2020年	https://doi.org/10.1149/09805.0513ecst1	査読有り
39	Increased critical thickness for strained SiGe on Ge-on-Si(111)	ECS Transactions	98	5	499	503	2020年	https://doi.org/10.1149/09805.0499ecst1	査読有り
40	Engineering strain, defects and electronic properties of (110)-oriented strained Si	ECS Transactions	98	5	277	290	2020年	https://doi.org/10.1149/09805.0277ecst1	査読有り
41	Strain engineering of Si/Ge heterostructures on Ge-on-Si platform	ECS Transactions	98	5	267	276	2020年	https://doi.org/10.1149/09805.0267ecst1	査読有り
42	Semiballistic thermal conduction in polycrystalline SiGe nanowires	Applied Physics Letters	115	25			2019年12月16日	https://doi.org/10.1063/1.51306591	査読有り
43	High thermoelectric performance in high crystallinity epitaxial Si films containing silicide nanodots with low thermal conductivity	Applied Physics Letters	115	18	182104		2019年10月28日	https://doi.org/10.1063/1.51269101	査読有り
44	サブ波長格子構造を有するSi中赤外導波路	応用物理学会学術講演会講演予稿集	2019.2		1209	1209	2019年09月04日	https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_12091
45	Thermoelectric power factor enhancement based on carrier transport physics in ultimately phonon-controlled Si nanostructures	Materials Today Energy	13		56	63	2019年09月	https://doi.org/10.1016/j.mtener.2019.04.0141	査読有り
46	Critical thickness of strained Si<inf>1-x</inf>Ge<inf>x</inf> on Ge(111) and Ge-on-Si(111)	Applied Physics Express	12	8	081005		2019年08月01日	https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab2db81	査読有り
47	Nonmonotonic bias dependence of local spin accumulation signals in ferromagnet/semiconductor lateral spin-valve devices	Physical Review B	100	2	024431		2019年07月29日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.0244311	査読有り
48	Room-temperature local magnetoresistance effect in n-Ge devices with low-resistive Schottky-tunnel contacts	Applied Physics Express	12	3	033002-1	033002-4	2019年03月	https://doi.org/10.7567/1882-0786/ab02521	査読有り
49	Effect of strain on the binding energy of Ge 2p and 3d core level	Semiconductor Science and Technology	34	1			2019年01月	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaf3ee1	査読有り
50	Fabrication of Ge MOS with low interface trap density by ALD of Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> on epitaxially grown Ge	Semiconductor Science and Technology	34	1	014004		2019年01月	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaf19b1	査読有り
51	Conduction type control of ge-on-insulator: Combination of smart-Cut^TM and defect elimination	ECS Transactions	93	1	73	77	2019年	https://doi.org/10.1149/09301.0073ecst1	査読有り
52	Structural, Optical and Electrical Characterization of Heterojunction Rib-Si Solar Cells	2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, WCPEC 2018 - A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC and 34th EU PVSEC	-	-	2032	2035	2018年11月26日	https://doi.org/10.1109/PVSC.2018.85482351	査読有り
53	Study on Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Ge interface formed by ALD directly on epitaxial Ge	Semiconductor Science and Technology	33	12	124020		2018年11月20日	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaec511	査読有り
54	Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures	Semiconductor Science and Technology	33	12	124016		2018年11月15日	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaeb101	査読有り
55	Structural properties of compressive strained Ge channels fabricated on Si (111) and Si (100)	Semiconductor Science and Technology	33	12	124008		2018年10月26日	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aae5751	査読有り
56	Effects of post annealing on in-situ n-doped Ge-on-Si	Semiconductor Science and Technology	33	12	124006		2018年10月25日	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aae62e1	査読有り
57	Observation of local magnetoresistance signals in a SiGe-based lateral spin-valve device	Semiconductor Science and Technology	33	11	114009		2018年10月16日	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aae34f1	査読有り
58	Correlation between spin transport signal and Heusler/semiconductor interface quality in lateral spin-valve devices	Physical Review B	98	11			2018年09月17日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.1153041	査読有り
59	Spin transport and relaxation in germanium	Journal of Physics D: Applied Physics	51	39			2018年08月24日	https://doi.org/10.1088/1361-6463/aad5421	査読有り
60	Probing thermal phonon mean free path using phononic crystal nanostructures	Journal of Physics: Conference Series	1052	1			2018年07月26日	https://doi.org/10.1088/1742-6596/1052/1/0121231	査読有り
61	Formation of uniaxial strained Ge via control of dislocation alignment in Si/Ge heterostructures	AIP Advances	8	7			2018年07月01日	https://doi.org/10.1063/1.50113971	査読有り
62	Pure spin current transport in a SiGe alloy	Applied Physics Express	11	5			2018年05月	https://doi.org/10.7567/APEX.11.0530061	査読有り
63	Resonant light emission from uniaxially tensile-strained Ge microbridges	Japanese Journal of Applied Physics	57	4			2018年04月	https://doi.org/10.7567/JJAP.57.04FH101	査読有り
64	Growth and characterization of low composition Ge, x in epi-Si<inf>1-x</inf>Gex (x 10%) active layer for fabrication of hydrogenated bottom solar cell	Journal of Physics D: Applied Physics	51	18			2018年04月	https://doi.org/10.1088/1361-6463/aab80d1	査読有り
65	Hole generation associated with intrinsic defects in SOI-based SiGe thin films formed by solid-source molecular beam epitaxy	Journal of Applied Physics	123	16			2018年04月	https://doi.org/10.1063/1.50040771	査読有り
66	Spin absorption effect at ferromagnet/Ge Schottky-tunnel contacts	Materials	11	1			2018年01月17日	https://doi.org/10.3390/ma110101501	査読有り
67	Development of semiconductor sensor as a use for pulsed electro-acoustic method	Proceedings of the International Symposium on Electrical Insulating Materials	2		601	604	2017年12月04日	https://doi.org/10.23919/ISEIM.2017.81665611	査読有り
68	Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(1 1 0) films by controlling defects via ion implantation	Journal of Crystal Growth	477		197	200	2017年11月01日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.05.0221	査読有り
69	Control of electrical properties in Heusler-alloy/Ge Schottky tunnel contacts by using phosphorous δ-doping with Si-layer insertion	Materials Science in Semiconductor Processing	70		83	85	2017年11月01日	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.07.0251	査読有り
70	Thermal stability of compressively strained Si/relaxed Si<inf>1-x</inf>C<inf>x</inf> heterostructures formed on Ar ion implanted Si (100) substrates	Materials Science in Semiconductor Processing	70		127	132	2017年11月01日	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.11.0241	査読有り
71	Light emission enhancement from Ge quantum dots with phosphorous δ-doped neighboring confinement structures	Journal of Crystal Growth	477		131	134	2017年11月01日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.03.0081	査読有り
72	Local anisotropic strain evaluation in thin Ge epitaxial film using SiGe stressor template grown on Ge substrate by selective ion implantation	Japanese Journal of Applied Physics	56	11			2017年11月	https://doi.org/10.7567/JJAP.56.1103131	査読有り
73	Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurements	Applied Physics Express	10	9			2017年09月	https://doi.org/10.7567/APEX.10.0930011	査読有り
74	Spin Transport and Relaxation up to 250 K in Heavily Doped n -Type Ge Detected Using Co2FeAl0.5Si0.5 Electrodes SPIN TRANSPORT and RELAXATION UP to 250 K in Y. FUJITA et al.	Physical Review Applied	8	1			2017年07月10日	https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.8.0140071	査読有り
75	Study on ion implantation conditions in fabricating compressively strained Si/relaxed Si<inf>1−x</inf>C<inf>x</inf> heterostructures using the defect control by ion implantation technique	Journal of Crystal Growth	468		601	604	2017年06月15日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.0651	査読有り
76	Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE	Journal of Crystal Growth	468		625	629	2017年06月15日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.0761	査読有り
77	Thermoelectric Properties of Epitaxial β-FeSi<inf>2</inf>Thin Films on Si(111) and Approach for Their Enhancement	Journal of Electronic Materials	46	5	3235	3241	2017年05月01日	https://doi.org/10.1007/s11664-016-4997-01	査読有り
78	Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with selective Ar⁺ ion implantation using oil-immersion Raman spectroscopy	Japanese Journal of Applied Physics	56	5			2017年05月	https://doi.org/10.7567/JJAP.56.0513011	査読有り
79	Large impact of impurity concentration on spin transport in degenerate n -Ge	Physical Review B	95	16			2017年04月	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.1613041	査読有り
80	Highly n-doped germanium-on-insulator microdisks with circular Bragg gratings	Optics Express	25	6	6550	6560	2017年03月20日	https://doi.org/10.1364/OE.25.0065501	査読有り
81	INDEPENDENT CONTROL OF PHONON AND ELECTRON TRANSPORT IN SI-BASED NANOARCHITECTURES WITH EPITAXIAL GE NANODOTS	Proceedings of 1st Asian Conference onThermal Sciences 2017 (ACTS 2017)			1	3	2017年03月		査読有り
82	エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl₂O₃層の形成と評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	78th				2017年
83	高空間分解能HXPESによるGe2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	64th				2017年
84	Resonant light emission from highly n-doped germanium-on-insulator microdisks with circular bragg grating	Optics InfoBase Conference Papers	Part F41-CLEO_SI 2017		1	2	2017年	https://doi.org/10.1364/CLEO_SI.2017.STh3N.71	査読有り
85	Temperature-independent spin relaxation in heavily doped n -type germanium	Physical Review B	94	24			2016年12月05日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.2453021	査読有り
86	Thermal conduction in Si and SiGe phononic crystals explained by phonon mean free path spectrum	Applied Physics Letters	109	17			2016年10月24日	https://doi.org/10.1063/1.49661901	査読有り
87	Structural and electrical properties of Ge(111) films grown on Si(111) substrates and application to Ge(111)-on-Insulator	Thin Solid Films	613		24	28	2016年08月01日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2015.11.0201	査読有り
88	Impact of silicon quantum dot super lattice and quantum well structure as intermediate layer on p-i-n silicon solar cells	Progress in Photovoltaics: Research and Applications	24	6	774	780	2016年06月01日	https://doi.org/10.1002/pip.27261	査読有り
89	A low-temperature fabricated gate-stack structure for Ge-based MOSFET with ferromagnetic epitaxial Heusler-alloy/Ge electrodes	Japanese Journal of Applied Physics	55	6			2016年06月	https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0630011	査読有り
90	Enhanced light emission from germanium microdisks on silicon by surface passivation through thermal oxidation	Applied Physics Express	9	5			2016年05月	https://doi.org/10.7567/APEX.9.0521011	査読有り
91	Independent control of electrical and heat conduction by nanostructure designing for Si-based thermoelectric materials	Scientific Reports	6				2016年03月14日	https://doi.org/10.1038/srep228381	査読有り
92	Suppression of segregation of the phosphorus ?-doping layer in germanium by incorporation of carbon	Japanese Journal of Applied Physics	55	3			2016年03月	https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0313041	査読有り
93	Compressively strained Si/Si1%xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si(100) substrates	Japanese Journal of Applied Physics	55	3			2016年03月	https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0313021	査読有り
94	Compressively strained Si/Si	Jpn. J. Appl. Phys.	55	3	31302	31302	2016年02月01日	https://doi.org/10.7567/JJAP.55.0313021
95	Enhanced light emission from N-doped Ge microdisks by thermal oxidation	ECS Transactions	75	8	689	693	2016年	https://doi.org/10.1149/07508.0689ecst1	査読有り
96	Straining of group IV semiconductor materials for bandgap and mobility engineering	ECS Transactions	75	4	191	197	2016年	https://doi.org/10.1149/07504.0191ecst1	査読有り
97	Anisotropic strain introduction into Si/Ge hetero structures	ECS Transactions	75	8	563	569	2016年	https://doi.org/10.1149/07508.0563ecst1	査読有り
98	High Q-factor resonant photoluminescence from Ge-on-insulator micro-disks	Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering	9891				2016年	https://doi.org/10.1117/12.22295551	査読有り
99	Nanoscale heat transport in single-crystalline Si and amorphous SiGe phononic crystals	2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)					2016年		査読有り
100	Suppression of surface segregation of the phosphorous δ-doping layer by insertion of an ultra-thin silicon layer for ultra-shallow Ohmic contacts on n-type germanium	Applied Physics Letters	107	13			2015年09月28日	https://doi.org/10.1063/1.49319391	査読有り
101	Ultralarge transient optical gain from tensile-strained, n-doped germanium on silicon by spin-on dopant diffusion	Applied Physics Express	8	9			2015年09月01日	https://doi.org/10.7567/APEX.8.0921011	査読有り
102	Resonant light emission from N-doped germanium-on-insulator microdisks at room-temperature	IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP			231	232	2014年11月18日	https://doi.org/10.1109/Group4.2014.69619391	査読有り
103	Uniaxially strained SiGe(111) and SiGe(100) grown on selectively ion-implanted substrates	Journal of Crystal Growth	401		758	761	2014年09月01日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.02.0141	査読有り
104	Cubic Rashba spin-orbit interaction of a two-dimensional hole gas in a strained- Ge/SiGe quantum well	Physical Review Letters	113	8			2014年08月21日	https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.113.0866011	査読有り
105	Reliable reduction of Fermi-level pinning at atomically matched metal/Ge interfaces by sulfur treatment	Applied Physics Letters	104	17	172109		2014年04月	https://doi.org/10.1063/1.48750161	査読有り
106	Room-temperature electrical creation of spin accumulation in n-Ge using highly resistive Fe<inf>3</inf>Si/n⁺-Ge Schottky-tunnel contacts	Thin Solid Films	557	-	382	385	2014年04月	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.1201	査読有り
107	Highly n-doped, tensile-strained Ge grown on Si by molecular beam epitaxy	Thin Solid Films	557	-	66	69	2014年04月	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.0821	査読有り
108	Formation of Ge(111) on Insulator by Ge epitaxy on Si(111) and layer transfer	Thin Solid Films	557	-	76	79	2014年04月	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.0741	査読有り
109	Greatly enhanced generation efficiency of pure spin currents in Ge using Heusler compound Co<inf>2</inf>FeSi electrodes	Applied Physics Express	7	3	033002		2014年03月	https://doi.org/10.7567/APEX.7.0330021	査読有り
110	中性粒子ビーム酸化膜を用いた超高速歪みGeチャネルデバイス開発	東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学研究拠点活動報告書	2013				2014年
111	Tensile-strained, heavily n-doped germanium-on-insulator for light emitting devices on silicon	Conference on Lasers and Electro-Optics Europe - Technical Digest	2014-January				2014年	https://doi.org/10.1364/cleo_si.2014.sm4h.31	査読有り
112	Resonant photoluminescence from Ge microdisks on Ge-on-insulator	2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014			135	136	2014年	https://doi.org/10.1109/ISTDM.2014.68746701	査読有り
113	Detection of effect of strain on the valence band structure of SiGe by HXPES with high spatial resolution	ECS Transactions	64	6	431	439	2014年	https://doi.org/10.1149/06406.0431ecst1	査読有り
114	AR-HPES study on chemical bonding states of high-κ/high-μ gate stacks for advanced CMOS	Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena	190	PART B	295	301	2013年10月	https://doi.org/10.1016/j.elspec.2013.06.0101	査読有り
115	Qualitative study of temperature-dependent spin signals in n-Ge-based lateral devices with Fe<inf>3</inf>Si/n⁺-Ge Schottky-tunnel contacts	Journal of Applied Physics	113	18	183713		2013年05月14日	https://doi.org/10.1063/1.48043201	査読有り
116	Room-temperature detection of spin accumulation in silicon across Schottky tunnel barriers using a metal-oxide-semiconductor field effect transistor structure (invited)	Journal of Applied Physics	113	17	17C501		2013年05月07日	https://doi.org/10.1063/1.47935011	査読有り
117	An ultra-thin buffer layer for Ge epitaxial layers on Si	Applied Physics Letters	102	12	121908		2013年03月25日	https://doi.org/10.1063/1.47986591	査読有り
118	Room-temperature sign reversed spin accumulation signals in silicon-based devices using an atomically smooth Fe<inf>3</inf>Si/Si(111) contact	Journal of Applied Physics	113	1	013916		2013年01月07日	https://doi.org/10.1063/1.47730721	査読有り
119	Formation of compressively strained Si/Si<inf>1-x</inf>C <inf>x</inf>/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy	Journal of Crystal Growth	362	1	276	281	2013年01月01日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.12.0841	査読有り
120	Formation of compressively strained SiGe/Si(110) heterostructures and their characterization	Journal of Crystal Growth	362	1	282	287	2013年01月01日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.12.0821	査読有り
121	HEPESによるFe₃Si/Geヘテロ構造の評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	60th				2013年
122	Surface segregation behavior of B, Ga, Sb, and as dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) examined with a first-principles method	Journal of Physics: Conference Series	417	1			2013年	https://doi.org/10.1088/1742-6596/417/1/0120081	査読有り
123	Temperature, electron density and in-plane magnetic field dependence of cyclotron relaxation time in the two-dimensional metallic phase	Journal of Physics: Conference Series	456	1			2013年	https://doi.org/10.1088/1742-6596/456/1/0120271	査読有り
124	On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique	Journal of Crystal Growth	378	-	251	253	2013年	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.1001	査読有り
125	Gas-source MBE growth of strain-relaxed Si<inf>1-x</inf>C<inf>x</inf> on Si(100) substrates	Journal of Crystal Growth	378	-	212	217	2013年	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.1521	査読有り
126	中性粒子ビーム酸化膜を用いた超高速歪みGeチャネルデバイス開発	東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学研究拠点活動報告書	2012				2013年
127	HEPESによるFe₃Si/Geヘテロ構造の化学結合状態評価 II	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	74th				2013年
128	Effect of the magnetic domain structure in the ferromagnetic contact on spin accumulation in silicon	Applied Physics Letters	101	23	232404		2012年12月03日	https://doi.org/10.1063/1.47692211	査読有り
129	ミュンヘンでの一年	表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan	33	11	645	646	2012年11月10日	https://doi.org/10.1380/jsssj.33.6451
130	Acceptor-like states in SiGe alloy related to point defects induced by Si+ ion implantation	Japanese Journal of Applied Physics	51	10	105801		2012年10月	https://doi.org/10.1143/JJAP.51.1058011	査読有り
131	Room-temperature observation of size effects in photoluminescence of Si <inf>0.8</inf>Ge <inf>0.2</inf>/Si nanocolumns prepared by neutral beam etching	Applied Physics Express	5	8	082004		2012年08月	https://doi.org/10.1143/APEX.5.0820041	査読有り
132	In-plane magnetic field dependence of cyclotron relaxation time in a Si two-dimensional electron system	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	86	4	045310		2012年07月13日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.0453101	査読有り
133	In-plane magnetic field dependence of cyclotron relaxation time in a Si two-dimensional electron system	PHYSICAL REVIEW B	86	4			2012年07月	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.0453101	査読有り
134	Upper limit of two-dimensional hole gas mobility in strained Ge/SiGe heterostructures	Applied Physics Letters	100	22	40	41	2012年05月28日	https://doi.org/10.1063/1.47236901	査読有り
135	Spin accumulation created electrically in an n-type germanium channel using Schottky tunnel contacts	Journal of Applied Physics	111	7	07C503		2012年04月	https://doi.org/10.1063/1.36709851	査読有り
136	Experimental and theoretical analysis of the temperature dependence of the two-dimensional electron mobility in a strained Si quantum well	Journal of Applied Physics	111	7	073715		2012年04月	https://doi.org/10.1063/1.37024641	査読有り
137	Temperature evolution of spin accumulation detected electrically in a nondegenerated silicon channel	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	85	3	035320		2012年01月26日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.85.0353201	査読有り
138	Formation of tensilely strained germanium-on-insulator	Applied Physics Express	5	1	015701		2012年01月	https://doi.org/10.1143/APEX.5.0157011	査読有り
139	SiGe spintronics with single-crystalline ferromagnetic Schottky-tunnel contacts	ECS Transactions	50	10	235	243	2012年	https://doi.org/10.1149/05010.0235ecst1	査読有り
140	Fabrication and characterization of Si/SiGe quantum dots with capping gate	2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012					2012年	https://doi.org/10.1109/SNW.2012.62432911	査読有り
141	Upper limit of two-dimensional hole gas mobility in Ge/SiGe heterostructures	2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings			40	41	2012年	https://doi.org/10.1109/ISTDM.2012.62224471	査読有り
142	Formation of uniaxially strained Si/Ge channels on SiGe buffers strain-controlled with selective ion implantation	ECS Transactions	50	9	815	820	2012年	https://doi.org/10.1149/05009.0815ecst1	査読有り
143	AR-XPS及びHAX-PESによるSiO₂/SiC界面の化学結合状態評価	電子情報通信学会技術研究報告	112	263(SDM2012 89-97)			2012年
144	Si-MOSFET構造におけるスピン蓄積の検出	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
145	Fe₃Si/n⁺-Ge/n-Ge素子におけるスピン蓄積の生成・検出	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
146	硬X線光電子分光法によるSiO₂/4H-SiC構造の酸化膜中の炭素分布の推定	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	73rd				2012年
147	High efficiency quantum dot solar cells using 2-dimensional 6.4-nm-diameter Si nanodisk with SiC interlayer	Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference			3195	3199	2012年	https://doi.org/10.1109/PVSC.2012.63182571	査読有り
148	Mechanism of Fermi level pinning at metal/germanium interfaces	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	84	20	205301		2011年11月01日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.2053011	査読有り
149	Mechanism of Fermi level pinning at metal/germanium interfaces	PHYSICAL REVIEW B	84	20			2011年11月	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.2053011	査読有り
150	角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス	111	249	37	41	2011年10月13日
151	Electric-field control of spin accumulation signals in silicon at room temperature	Applied Physics Letters	99	13	132511		2011年09月26日	https://doi.org/10.1063/1.36431411	査読有り
152	Line width dependence of anisotropic strain state in sige films induced by selective ion implantation	Applied Physics Express	4	9	095701		2011年09月	https://doi.org/10.1143/APEX.4.0957011	査読有り
153	Self-diffusion in compressively strained Ge	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	110	3	034906		2011年08月	https://doi.org/10.1115/1.40044621	査読有り
154	Electrical detection of cross relaxation between electron spins of phosphorus and oxygen-vacancy centers in silicon	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	84	4	045204		2011年07月08日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.0452041	査読有り
155	Bias current dependence of spin accumulation signals in a silicon channel detected by a Schottky tunnel contact	Applied Physics Letters	99	1	012113		2011年07月04日	https://doi.org/10.1063/1.36074801	査読有り
156	Metallic behavior of cyclotron relaxation time in two-dimensional systems	Physical Review Letters	106	19	196404		2011年05月11日	https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.106.1964041	査読有り
157	Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels	Microelectronic Engineering	88	4	465	468	2011年04月	https://doi.org/10.1016/j.mee.2010.11.0181	査読有り
158	28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	66	1	723	723	2011年03月03日
159	Linewidth of low-field electrically detected magnetic resonance of phosphorus in isotopically controlled silicon	Applied Physics Express	4	2	021302		2011年02月	https://doi.org/10.1143/APEX.4.0213021	査読有り
160	Strain engineering of silicon-germanium (SiGe) virtual substrates	Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures			147	170	2011年02月	https://doi.org/10.1533/9780857091420.2.1471	査読有り
161	ハンル効果測定を用いた強磁性合金/シリコン界面近傍におけるスピン蓄積の電気的検出	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	58th				2011年
162	Formation of ultra-shallow Ohmic contacts on n-Ge by Sb delta-doping	Materials Research Society Symposium Proceedings	1305		30	36	2011年	https://doi.org/10.1557/opl.2011.1451	査読有り
163	Aluminum oxide for an effective gate in Si/SiGe two-dimensional electron gas systems	Semiconductor Science and Technology	26	5	055004		2011年	https://doi.org/10.1088/0268-1242/26/5/0550041	査読有り
164	三端子Hanle効果測定法を用いたSi中のスピン蓄積の検出	日本磁気学会学術講演概要集	35th				2011年
165	n-Ge中に生成されたスピン蓄積の検出	日本磁気学会学術講演概要集	35th				2011年
166	Cyclotron resonance in the two-dimensional metallic phase of Si quantum wells	Journal of Physics: Conference Series	334	1			2011年	https://doi.org/10.1088/1742-6596/334/1/0120571	査読有り
167	Cyclotron resonance of two dimensional electrons near the metal-insulator transition	AIP Conference Proceedings	1399		277	278	2011年	https://doi.org/10.1063/1.36663611	査読有り
168	XPS study on chemical bonding states of high-κ/high-μ gate stacks for advanced CMOS	ECS Transactions	41	7	137	146	2011年	https://doi.org/10.1149/1.36332931	査読有り
169	Ultrashallow Ohmic contacts for n-type Ge by Sb δ -doping	Applied Physics Letters	97	16	162108		2010年10月18日	https://doi.org/10.1063/1.35035871	査読有り
170	Comparison of nonlocal and local magnetoresistance signals in laterally fabricated Fe3Si/Si spin-valve devices	Applied Physics Express	3	9	093001		2010年09月	https://doi.org/10.1143/APEX.3.0930011	査読有り
171	24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	65	2	645	645	2010年08月18日
172	24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure	日本物理学会講演概要集	65	2	645	645	2010年08月18日
173	Excitonic Aharonov-Bohm effect in isotopically pure ⁷⁰Ge/Si self-assembled type-II quantum dots	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	82	7	073306		2010年08月17日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.0733061	査読有り
174	Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique	Journal of Applied Physics	107	10	103509		2010年05月15日	https://doi.org/10.1063/1.33746881	査読有り
175	Quantum transport and cyclotron resonance study of Ge/SiGe quantum wells in high magnetic fields	Journal of Low Temperature Physics	159	1-2	222	225	2010年04月	https://doi.org/10.1007/s10909-009-0122-61	査読有り
176	20pHV-3 Si/SiGe2次元金属相におけるサイクロトロン共鳴(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	65	1	702	702	2010年03月01日
177	Formation of uniaxially strained SiGe by selective ion implantation technique	Thin Solid Films	518	9	2454	2457	2010年02月26日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2009.09.1571	査読有り
178	Landau level crossing and pseudospin phase transitions in Si quantum wells	Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures	42	4	1018	1021	2010年02月	https://doi.org/10.1016/j.physe.2009.11.0271	査読有り
179	Cyclotron resonance of two-dimensional electrons in a Si quantum well	Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures	42	4	1184	1187	2010年02月	https://doi.org/10.1016/j.physe.2009.11.0751	査読有り
180	Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si⁺ implantation	Thin Solid Films	518	6 SUPPL. 1	S162	S164	2010年01月01日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2009.10.0791	査読有り
181	CMP for high mobility strained Si/Ge channels	Materials Research Society Symposium Proceedings	1157		147	156	2010年		査読有り
182	Fe₃Si/Siショットキー障壁を介したSiへの電気的スピン注入・検出	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	57th				2010年
183	Study of HfO<inf>2</inf>/Si/strained-Ge/SiGe using angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy	ECS Transactions	33	3	467	472	2010年	https://doi.org/10.1149/1.34816351	査読有り
184	Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers	Applied Physics Letters	96	9	091904		2010年	https://doi.org/10.1063/1.33398811	査読有り
185	高品質Fe3Si/Siからなるショットキートンネル電極を用いたシリコン中のスピン伝導の電気的検出	Journal of the Magnetics Society of Japan	34	3	316	322	2010年	https://doi.org/10.3379/msjmag.1003R0411	査読有り
186	Electrical detection and magnetic-field control of spin states in phosphorus-doped silicon	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	80	20	205206		2009年11月24日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.2052061	査読有り
187	Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(1 1 0) substrates	Solid-State Electronics	53	10	1135	1143	2009年10月	https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.05.0101	査読有り
188	Insulating phases induced by crossing of partially filled Landau levels in a Si quantum well	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	79	24	241302(R)		2009年06月02日	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.79.2413021	査読有り
189	Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(1 1 0) substrates	Journal of Crystal Growth	311	3	814	818	2009年01月15日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.0621	査読有り
190	Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(1 1 0) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures	Journal of Crystal Growth	311	3	819	824	2009年01月15日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.0641	査読有り
191	Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (1 1 0) Si substrates	Journal of Crystal Growth	311	3	809	813	2009年01月15日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.0611	査読有り
192	Local control of strain in SiGe by ion-implantation technique	Journal of Crystal Growth	311	3	806	808	2009年01月15日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.0991	査読有り
193	Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high Ge composition by ion implantation method	Journal of Crystal Growth	311	3	825	828	2009年01月15日	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.09.1001	査読有り
194	Behaviors of neutral and charged silicon self-interstitials during transient enhanced diffusion in silicon investigated by isotope superlattices	Journal of Applied Physics	105	1	013504		2009年	https://doi.org/10.1063/1.30543251	査読有り
195	Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures	Applied Physics Letters	95	12	122109		2009年	https://doi.org/10.1063/1.32299981	査読有り
196	Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in silicon through an Fe<inf>3</inf> Si/Si Schottky tunnel barrier	Applied Physics Letters	94	18	182105		2009年	https://doi.org/10.1063/1.31302111	査読有り
197	Well-width dependence of valley splitting in Si/SiGe quantum wells	Applied Physics Letters	95	22	222109		2009年	https://doi.org/10.1063/1.32705391	査読有り
198	Probing the behaviors of point defects in silicon and germanium using isotope superlattices	ECS Transactions	25	3	51	54	2009年	https://doi.org/10.1149/1.32043931	査読有り
199	Introduction of uniaxial strain into Si/Ge heterostructures by selective ion implantation	Applied Physics Express	1	12	1214011	1214013	2008年12月	https://doi.org/10.1143/APEX.1.1214011	査読有り
200	Strained-Si nMOSFET formed on very thin SiGe buffer layer fabricated by ion implantation technique	Thin Solid Films	517	1	353	355	2008年11月03日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.1081	査読有り
201	Application of SiGe bulk crystal as a substrate for strain-controlled heterostructure materials	Thin Solid Films	517	1	14	16	2008年11月03日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.0441	査読有り
202	Growth temperature dependence of the crystalline morphology of SiGe films grown on Si(110) substrates with compositionally step-graded buffer	Thin Solid Films	517	1	235	238	2008年11月03日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.1301	査読有り
203	Characterizations of polycrystalline SiGe films on SiO<inf>2</inf> grown by gas-source molecular beam deposition	Thin Solid Films	517	1	254	256	2008年11月03日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.0231	査読有り
204	Investigation of strain states and thermal stability of strained-Si-on-Insulator (sSOI) structures	Thin Solid Films	517	1	340	342	2008年11月03日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.1541	査読有り
205	Fabrication of high quality SiGe relaxed thin layers by ion implantation technique with Ar, Si and Ge ions	Thin Solid Films	517	1	87	89	2008年11月03日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.1091	査読有り
206	Microstructure difference of Ni induced poly-crystallized SiGe by changing the annealing atmosphere	Thin Solid Films	517	1	232	234	2008年11月03日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.08.0171	査読有り
207	Development of thin SiGe relaxed layers with high-Ge composition by ion Implantation method and application to strained Ge channels	Applied Physics Express	1	8	0814011	0814013	2008年08月	https://doi.org/10.1143/APEX.1.0814011	査読有り
208	Si ion implantation into Mg-doped GaN for fabrication of reduced surface field metal-oxide-semiconductor field-effect transistors	Japanese Journal of Applied Physics	47	7 PART 1	5409	5416	2008年07月11日	https://doi.org/10.1143/JJAP.47.54091	査読有り
209	Electronic transport properties of the ising quantum hall ferromagnet in a Si quantum well	Physical Review Letters	101	1	016805		2008年07月02日	https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.101.0168051	査読有り
210	Acceptorlike behavior of defects in sige alloys grown by molecular beam epitaxy	Japanese Journal of Applied Physics	47	6 PART 1	4630	4633	2008年06月13日	https://doi.org/10.1143/JJAP.47.46301	査読有り
211	Observation of pronounced effect of compressive strain on room-temperature transport properties of two-dimensional hole gas in a strained Ge quantum well	Applied Physics Express	1	5	0514021	0514023	2008年05月	https://doi.org/10.1143/APEX.1.0514021	査読有り
212	Hole density and strain dependencies of hole effective mass in compressively strained Ge channel structures	Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures	40	6	2122	2124	2008年04月	https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.10.0121	査読有り
213	Observation of high mobility 2DHG with very high hole density in the modulation doped strained Ge quantum well at room temperature	Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures	40	6	1935	1937	2008年04月	https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.08.1421	査読有り
214	New structure of polycrystalline silicon thin-film transistor with germanium layer in source/drain regions for low-temperature device fabrication	Japanese Journal of Applied Physics	47	3 PART 1	1547	1549	2008年03月14日	https://doi.org/10.1143/JJAP.47.15471	査読有り
215	Valley-splitting edge-channel transport in a Si/SiGe quantum Hall system	Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures	40	5	1523	1525	2008年03月	https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.0791	査読有り
216	Quantitative evaluation of silicon displacement induced by arsenic implantation using silicon isotope superlattices	Applied Physics Express	1	2	021401		2008年02月	https://doi.org/10.1143/APEX.1.0214011	査読有り
217	Room-temperature transport properties of high drift mobility two-dimensional electron gas confined in a strained Si quantum well	Applied Physics Express	1	2	021402		2008年02月	https://doi.org/10.1143/APEX.1.0214021	査読有り
218	On effects of gate bias on hole effective mass and mobility in strained-ge channel structures	Applied Physics Express	1	1	011401		2008年01月	https://doi.org/10.1143/APEX.1.0114011	査読有り
219	Strained Si/Ge heterostructures : SiGe virtual substrate and strained Ge channel	16th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP 2008			ccxix	cccxxvi	2008年	https://doi.org/10.1109/RTP.2008.46905321	査読有り
220	Charge states of vacancies in germanium investigated by simultaneous observation of germanium self-diffusion and arsenic diffusion	Applied Physics Letters	93	19	191905		2008年	https://doi.org/10.1063/1.30258921	査読有り
221	イオン注入法を用いた歪み緩和SiGe薄膜の作製と応用	まてりあ	47	-	209	215	2008年	https://doi.org/10.2320/materia.47.2091	査読有り
222	Strain state and thermal stability of strained-si-on-insulator substrates	Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers	46	11	7294	7296	2007年11月06日	https://doi.org/10.1143/JJAP.46.72941	査読有り
223	Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(1 1 0) substrates by gas-source MBE	Journal of Crystal Growth	301-302	SPEC. ISS.	343	348	2007年04月	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.1351	査読有り
224	Fabrication of Ge channels with extremely high compressive strain and their magnetotransport properties	Journal of Crystal Growth	301-302	SPEC. ISS.	339	342	2007年04月	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.1441	査読有り
225	Enhancement of hole conductance in the Ge quantum well of a SiGe heterostructure via realization of double-side modulation doping	Semiconductor Science and Technology	22	1	S63	S67	2007年01月01日	https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/1/S151	査読有り
226	Strained Si n -channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors formed on very thin SiGe relaxed layer fabricated by ion implantation technique	Applied Physics Letters	90	20	202101		2007年	https://doi.org/10.1063/1.27393241	査読有り
227	Spin-dependent nonlocal resistance in a Si SiGe quantum Hall conductor	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	75	3	033307		2007年	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.75.0333071	査読有り
228	Fabrication of SiGe virtual substrates by ion implantation technique	ECS Transactions	11	6	75	89	2007年	https://doi.org/10.1149/1.27783671	査読有り
229	Observation of two-dimensional hole gas with mobility and carrier density exceeding those of two-dimensional electron gas at room temperature in the SiGe heterostructures	Applied Physics Letters	91	8	082108		2007年	https://doi.org/10.1063/1.27737441	査読有り
230	Enhancement of hole mobility and carrier density in Ge quantum well of SiGe heterostructure via implementation of double-side modulation doping	Applied Physics Letters	88	25	252115		2006年06月19日	https://doi.org/10.1063/1.22156331	査読有り
231	Strain dependence of hole Hall mobility in compressively strained Ge channel heterostructures	Thin Solid Films	508	1-2	355	358	2006年06月05日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.08.4041	査読有り
232	Strain field and related roughness formation in SiGe relaxed buffer layers	Thin Solid Films	508	1-2	117	119	2006年06月05日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.08.4141	査読有り
233	Dislocation distribution in a strain-relaxed SiGe thin film grown on an ion-implanted Si substrate	Thin Solid Films	508	1-2	103	106	2006年06月05日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.08.3921	査読有り
234	Determination of lattice parameters of SiGe/Si(110) heterostructures	Thin Solid Films	508	1-2	132	135	2006年06月05日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.08.4121	査読有り
235	Mobility enhancement in strained-Ge modulation-doped structures by planarization of SiGe buffer layers	Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures	32	1-2 SPEC. ISS.	520	523	2006年05月	https://doi.org/10.1016/j.physe.2005.12.1381	査読有り
236	Spin-dependent edge-channel transport in a Si/SiGe quantum Hall system	PHYSICAL REVIEW B	73	12			2006年03月	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.73.1213041	査読有り
237	Spin-dependent edge-channel transport in a Si/SiGe quantum Hall system	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	73	12	121304		2006年	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.73.1213041	査読有り
238	Thermal stability of strained-SOI (sSQI)	Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest	2006				2006年		査読有り
239	Magnetotransport properties of Ge channels with extremely high compressive strain	Applied Physics Letters	89	16	162103		2006年	https://doi.org/10.1063/1.23544671	査読有り
240	Strain and hole-density dependence of hole mobility in strained-Ge modulation-doped structures	Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest	2006	1	S161	S163	2006年	https://doi.org/10.1109/istdm.2006.2466061	査読有り
241	Enhancement of Hole Mobility and Carrier Density in Ge Quantum Well SiGe Heterostructure via Implementation of Double-Sides Doping	Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest	2006	-	63	67	2006年	https://doi.org/10.1109/istdm.2006.2466091	査読有り
242	Spin dependence of edge-channel transport in siliconbased quantum Hall systems	Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics	3	12	4251	4254	2006年	https://doi.org/10.1002/pssc.2006728051	査読有り
243	Influence of Ge atoms on mobility and junction properties of thin-film transistors fabricated on solid-phase crystallized poly-SiGe	Applied Physics Letters	89	19	192102		2006年	https://doi.org/10.1063/1.23850861	査読有り
244	Thickness dependence of strain field distribution in SiGe relaxed buffer layers	Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers	44	12	8445	8447	2005年12月08日	https://doi.org/10.1143/JJAP.44.84451	査読有り
245	Compressive strain dependence of hole mobility in strained Ge channels	Applied Physics Letters	87	19	1	3	2005年11月07日	https://doi.org/10.1063/1.21261141	査読有り
246	Quantitative coverage and stability of hydrogen-passivation layers on HF-etched Si <inf>(1-x)</inf>Ge <inf>x</inf> surfaces	Journal of Applied Physics	98	2	023503		2005年07月15日	https://doi.org/10.1063/1.19789681	査読有り
247	Observation of strain field fluctuation in SiGe-relaxed buffer layers and its influence on overgrown structures	Materials Science in Semiconductor Processing	8	1-3 SPEC. ISS.	177	180	2005年02月	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.1001	査読有り
248	Changes in elastic deformation of strained Si by microfabrication	Materials Science in Semiconductor Processing	8	1-3 SPEC. ISS.	181	185	2005年	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.0371	査読有り
249	Corrigendum to ''Changes in elastic deformation of strained si by microfabrication''. [Materials Science in Semiconductor Processing 8 (2005) 181-185] (DOI:10.1016/j.mssp.2004.09.037)	Materials Science in Semiconductor Processing	8	6	652		2005年	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.04.0021	査読有り
250	Mobility enhancement in strained Ge heterostructures by planarization of SiGe buffer layers grown on Si substrates	Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters	44	42-45	L1320	L1322	2005年	https://doi.org/10.1143/JJAP.44.L13201	査読有り
251	Strain-field evaluation of strain-relaxed thin SiGe layers fabricated by ion implantation method	Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters	44	42-45	L1316	L1319	2005年	https://doi.org/10.1143/JJAP.44.L13161	査読有り
252	Transport properties of polycrystalline SiGe thin films grown on SiO <inf>2</inf>	Materials Research Society Symposium Proceedings	829		443	448	2005年		査読有り
253	Quality of SiO <inf>2</inf> and of SiGe formed by oxidation of Si/Si <inf>0.7</inf> Ge <inf>0.3</inf> heterostructure using atomic oxygen at 400 °C	Applied Surface Science	237	1-4	134	138	2004年10月15日	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.06.0421	査読有り
254	Fabrication of high-quality strain-relaxed thin SiGe layers on ion-implanted Si substrates	Applied Physics Letters	85	13	2514	2516	2004年09月27日	https://doi.org/10.1063/1.17943531	査読有り
255	Strain relaxation and induced defects in SiGe thin films grown on ion-implanted Si substrates	Materials Transactions	45	8	2644	2646	2004年08月	https://doi.org/10.2320/matertrans.45.26441	査読有り
256	Effects of spacer thickness on quantum efficiency of the solar cells with embedded Ge islands in the intrinsic layer	Applied Physics Letters	84	15	2802	2804	2004年04月	https://doi.org/10.1063/1.16976321	査読有り
257	Fabrication of solar cell with stacked Ge islands for enhanced absorption in the infrared regime	Thin Solid Films	451-452	-	604	607	2004年03月22日	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.11.0271	査読有り
258	Formation of thin SiGe virtual substrates by ion implantation into Si substrates	Applied Surface Science	224	1-4	99	103	2004年03月15日	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.08.0931	査読有り
259	Improved photovoltaic cell performance based on Ge islands embedded into the intrinsic layer	Proceedings - Electrochemical Society	7		1067	1076	2004年		査読有り
260	Observation of dislocations in strain-relaxed silicon-germanium thin films with flat surfaces grown on ion-implanted silicon substrates	Materials Science in Semiconductor Processing	7	4-6 SPEC. ISS.	389	392	2004年	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.0081	査読有り
261	Fabrication of p-i-n Si<inf>0.5</inf>Ge<inf>0.5</inf> photodetctors on SiGe-on-Insulator Substrates	2004 1st IEEE International Conference on Group IV Photonics			61	63	2004年		査読有り
262	In-plane strain fluctuation in strained-Si/SiGe heterostructures	Applied Physics Letters	83	21	4339	4341	2003年11月24日	https://doi.org/10.1063/1.16291421	査読有り
263	Enhancement of strain relaxation of SiGe thin layers by pre-ion-implantation into Si substrates	Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters	42	7 A	L735	L737	2003年07月01日	https://doi.org/10.1143/jjap.42.l7351	査読有り
264	Stacked Ge islands for photovoltaic applications	Science and Technology of Advanced Materials	4	4	367	370	2003年07月01日	https://doi.org/10.1016/S1468-6996(03)00054-81	査読有り
265	Surface planarization of strain-relaxed SiGe buffer layers by CMP and post cleaning	Journal of the Electrochemical Society	150	7	G376	G379	2003年07月	https://doi.org/10.1149/1.15767731	査読有り
266	Relaxation enhancement of SiGe thin layers by ion implantation into Si substrates	Journal of Crystal Growth	251	1-4	685	688	2003年04月	https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)02287-X1	査読有り
267	Planarization of SiGe virtual substrates by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures	Journal of Crystal Growth	251	1-4	693	696	2003年04月	https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)02286-81	査読有り
268	Mobility enhancement in strained Si modulation-doped structures by chemical mechanical polishing	Applied Physics Letters	82	3	412	414	2003年01月20日	https://doi.org/10.1063/1.15395571	査読有り
269	Improved quantum efficiency of solar cells with Ge dots stacked in multilayer structure	Proceedings of the 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion	C		2746	2749	2003年		査読有り
270	Surface smoothing of SiGe strain-relaxed buffer layers by chemical mechanical polishing	Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology	89	1-3	406	409	2002年02月14日	https://doi.org/10.1016/S0921-5107(01)00843-11	査読有り
271	Planarization of SiGe virtual substrates by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures	MBE 2002 - 2002 12th International Conference on Molecular Beam Epitaxy			407	408	2002年	https://doi.org/10.1109/MBE.2002.10379311	査読有り
272	Relaxation enhancement of SiGe thin layers by ion implantation into Si substrates	MBE 2002 - 2002 12th International Conference on Molecular Beam Epitaxy			403	404	2002年	https://doi.org/10.1109/MBE.2002.10379291	査読有り
273	On the origin of the drastic enhancement of the no-phonon transition in GaAsP/GaP indirect quantum wells with an ultrathin AlP layer	Journal of the Korean Physical Society	39	3	440	442	2001年09月		査読有り
274	On the origin of the drastic enhancement of the no-phonon transition in GaAsP/GaP indirect quantum wells with an ultrathin AIP layer	JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY	39	3	440	442	2001年09月		査読有り

MISC
No.	MISCタイトル	誌名	巻	号	開始ページ	終了ページ	出版年月(日)
1	hBN/MoS₂積層構造を利用したナノ機械共振器の電気機械特性	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	69th				2022年
2	Ge-on-Si(111)LEDからの室温EL発光ピークに注入電流が与える影響	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	83rd				2022年
3	二テルル化モリブデンのhBN封止構造における熱安定性	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	68th				2021年
4	In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	68th				2021年
5	歪みGe-on-Si(111)ダイオード構造からの室温EL発光	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	68th				2021年
6	Ge-on-Si(111)LEDの熱処理による室温EL発光強度増大	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	82nd				2021年
7	単層MoTe₂のhBN封止構造における熱処理による光学特性への影響	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	67th				2020年
8	GOI基板作製における貼り合わせ後熱処理の影響	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	67th				2020年
9	熱処理によるhBN/単層MoTe₂ヘテロ構造の界面不純物除去	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	81st				2020年
10	In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	81st				2020年
11	選択成長を用いたGe-on-Si(111)基板上への高品質な歪みSiGe層の作製	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	81st				2020年
12	イオン注入と熱処理による金属相MoTe₂の形成	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	81st				2020年
13	ナノ多孔層ガラス基板を利用したGeナノドットの作製	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	80th				2019年
14	hBN/1L-WSe₂/hBN構造の光取り出し効率の改善	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	80th				2019年
15	ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	64th				2017年
16	ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	78th				2017年
17	イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	77th				2016年
18	鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	77th				2016年
19	Arイオン注入法を用いた圧縮歪みSi/緩和Si_1-xC_xヘテロ構造の作製	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	62nd				2015年
20	イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_xヘテロ構造の熱的安定性	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	76th				2015年
21	イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	62nd				2015年
22	歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	62nd				2015年
23	圧縮歪みSi/Si_1-XC_X/Si(100)ヘテロ構造における炭素傾斜組成の電気伝導特性への効果	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	61st				2014年
24	歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の不純物活性化過程における結晶性及び電気特性評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	75th				2014年
25	不純物イオン注入および熱処理がSi_1-xC_x層の結晶性に及ぼす影響	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	61st				2014年
26	イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性及びデバイス特性評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	75th				2014年
27	イオン注入法がSi_1-XC_X/Si(001)構造の欠陥形成過程に及ぼす効果	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	61st				2014年
28	固相成長法によるCap-Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と界面準位及び移動度の評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	74th				2013年
29	圧縮歪みSi/Si_1-XC_X/Si(100)ヘテロ構造における結晶欠陥形成過程の研究	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	74th				2013年
30	水素ラジカルによる選択加熱現象を利用したSi_1-XGe_X薄膜形成技術	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
31	圧縮歪みGeチャネル変調ドープ構造の磁気輸送特性	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
32	Si(110)基板上に形成したSiGe nMOSFETの電子移動度の評価	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
33	Si-capによるHfO₂/歪みGe界面のHfジャーマネイト形成の抑制	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
34	n-GeへのSbデルタドーピングにおけるSi添加の効果	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	73rd				2012年
35	選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	73rd				2012年
36	中性粒子ビーム酸化膜を用いた超高速歪みGeチャネルデバイス開発	東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学研究拠点活動報告書	2011				2012年
37	CMPによるGe表面の平坦化と歪みGOI(111)基板の作製	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	73rd				2012年
38	Ge/SiGeヘテロ構造中に形成される二次元正孔ガス中の正孔散乱機構の解析	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
39	(110)傾斜基板上に形成した歪みSiの電子移動度と結晶性との関係	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
40	圧縮歪みSi/Si_1-XC_X/Si(100)ヘテロ構造の形成と評価	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
41	SiGe/Si(110)ヘテロ構造の正孔移動度測定	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th				2012年
42	貼り合わせ法による歪みGOI基板の作製	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	58th				2011年
43	圧縮歪ゲルマニウム中の自己拡散	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	58th				2011年
44	Ge/Siエピタキシャル成長を利用した薄膜歪GOI(111)構造の形成	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	72nd				2011年
45	水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶Si_1-xGe_x形成技術	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	72nd				2011年
46	2段階成長法によるSi(111)基板上Ge薄膜の作製	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	72nd				2011年
47	選択的イオン注入法により作製される一軸性歪みSiGeの表面構造評価	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	71st				2010年
48	角度分解X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪Ge/SiGe構造の評価	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	57th				2010年
49	低抵抗コンタクト形成へ向けたGeへのSbデルタドーピングとその偏析現象	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	57th				2010年
50	選択的イオン注入法により作製された一軸性歪みSiGeの歪み状態に与えるメサエッチの影響	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	57th				2010年
51	Ge(111)への高濃度Sbデルタドーピングによる低抵抗コンタクト形成	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	71st				2010年
52	イオン注入法によるSi(111)基板上緩和SiGeバッファ層の作製	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	71st				2010年
53	Ar⁺およびSi⁺イオン注入欠陥がSiGe層の歪緩和に与える影響	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	71st				2010年
54	Siキャップ層による歪みGeチャネルの歪み安定性向上	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	57th				2010年
55	CVDにより作製した歪みGeチャネルの電気伝導特性	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	71st				2010年
56	HfO₂/歪みGeチャネル変調ドープ構造における正孔移動度の正孔密度依存性	応用物理学会学術講演会講演予稿集	70th	1			2009年
57	選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	56th	1			2009年
58	Si(111)基板上へのSiGe層のMBE成長と結晶性評価	応用物理学会学術講演会講演予稿集	70th	1			2009年
59	イオン注入法による高Ge組成薄膜緩和SiGe層の開発	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	55th	1			2008年
60	選択的イオン注入法により作製したSiGe層における一軸性歪みの観測	応用物理学会学術講演会講演予稿集	69th	1			2008年
61	Siイオン注入法により作製されたSiGeバッファー層の歪緩和過程	応用物理学会学術講演会講演予稿集	69th	1			2008年
62	選択的イオン注入法によるSiGe層の面内歪み制御	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	55th	1			2008年
63	イオン注入法により作製した薄膜SiGe緩和層上の歪みSi-nMOSFET	応用物理学会学術講演会講演予稿集	68th	1			2007年
64	Si⁺イオン注入法による高品質SiGeバッファー層の作製	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	54th	1			2007年
65	TEOS酸化膜の堆積によるsSOI構造の熱的安定性の改善	応用物理学会学術講演会講演予稿集	68th	1			2007年
66	Geイオン注入法による超平坦な薄膜SiGe緩和層の作製	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	53rd	1			2006年
67	厚膜歪みSOI(sSOI)構造の熱的安定性	応用物理学会学術講演会講演予稿集	67th	1			2006年
68	歪みSOI(sSOI)構造の熱的安定性	応用物理学会学術講演会講演予稿集	66th	1			2005年

講演・口頭発表等
No.	講演・口頭発表タイトル	会議名	発表年月日	主催者	開催地
1	Observation of photoluminous from SiGe/Ge MQW on Ge-on-Si(111)	ISNTT2021	2021年12月
2	Strong room-temperature EL emission from Ge-on-Si(111) diodes with ferromagnetic Schottky-tunnel electrodes	ISNTT2021	2021年12月
3	Strong resonant light emission in strained Ge microbridges	ISNTT2021	2021年12月
4	Epitaxial growth of strained Si0.2Ge0.8 on Ge microbridge	21st ICMBE 2021	2021年09月
5	Strong room-temperature EL emission from Ge-on-Si(111) diodes	21st ICMBE 2021	2021年09月
6	Suppression of crack formation and propagation in strained SiGe by patterning Ge-on-Si substrates	21st ICMBE 2021	2021年09月
7	Room tempetature EL from strained Ge-on-Si(111) diode strctures	EMRS 2021spring meeting	2021年06月02日
8	Michihiro Yamada, Kohei Hamaya and Kentarou Sawano “Suppression of crack formation in strained SiGe layers by patterning of Ge-on-Si substrates	EMRS 2021spring meeting	2021年06月02日
9	Effect of uniaxial strain direction on luminescence properties of strained Ge microbridge structures	EMRS 2021spring meeting	2021年05月31日
10	歪みGe-on-Si(111)ダイオード構造からの室温EL発光	第68回応用物理学会春季学術講演会	2021年03月
11	高Q値中赤外Siマイクロディスク共振器	第68回応用物理学会春季学術講演会	2021年03月
12	二テルル化モリブデンのhBN封止構造における熱安定性	第68回応用物理学会春季学術講演会	2021年03月
13	Ge基板に替わりGe-on-Siを用いることによる歪みSiGeへのクラック発生抑制	第68回応用物理学会春季学術講演会	2021年03月
14	歪・組成制御エピタキシャルSiGe薄膜の熱電特性	第68回応用物理学会春季学術講演会	2021年03月
15	歪みGeマイクロブリッジ構造の発光特性に及ぼす一軸歪み方向の影響	第68回応用物理学会春季学術講演会	2021年03月
16	In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光	第68回応用物理学会春季学術講演会	2021年03月
17	プラズマCVDを用いたSiO2/GeO2/Ge MOS構造の形成技術開発	第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会	2021年01月
18	縦型半導体スピン素子のための単結晶Co₂FeSi上Ge薄膜の高品質化	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2021年
19	Si(111)基板上のエピタキシャルGe(111)ダイオードからの室温EL発光	第3回結晶工学×ISYSE 合同研究会	2020年12月23日
20	歪みGeマイクロブリッジ構造の発光特性に与える一軸歪み方向の影響	第3回結晶工学×ISYSE 合同研究会	2020年12月23日
21	メサ型Ge-on-Si(111)基板上への臨界膜厚を超えた歪みSiGe層の作製	第3回結晶工学×ISYSE 合同研究会	2020年12月23日
22	Strong room-temperature electroluminescence from Ge-on-Si by precise in-situ doping control	PRiME 2020	2020年10月
23	Increased critical thickness for strained SiGe on Ge-on-Si(111)	PRiME 2020	2020年10月
24	Thermal stability at the interface between ferromagnetic alloys and germanium for semiconductor spintronics devices	PRiME 2020(the joint international meeting of ECS, ECSJ, and KECS)	2020年10月
25	Crystal quality degradation in MoTe2 monolayers by a thermal annealing and its suppression by hexagonal boron nitride encapsulation	PRiME 2020	2020年10月
26	Formation and Evaluation of Al2O3 Layer by Direct ALD on Epitaxial SiGe	PRiME 2020	2020年10月
27	Strain engineering of Si/Ge heterostructures on Ge-on-Si platform	PRiME 2020	2020年10月
28	Engineering Strain, Defects and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si	PRiME 2020	2020年10月
29	選択成長を用いたGe-on-Si(111)基板上への高品質な歪みSiGe層の作製	第81回応用物理学会秋季学術講演会	2020年09月
30	熱処理によるhBN/単層MoTe2ヘテロ構造の界面不純物除去	第81回応用物理学会秋季学術講演会	2020年09月
31	熱電出力因子増大に向けたエピタキシャルCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の開発	第81回応用物理学会秋季学術講演会	2020年09月
32	Silicon Microdisk Resonators in the Mid-Infrared for On-Chip Gas Sensing	SSDM 2020	2020年09月
33	In-situドーピング制御によるGe-on-Siからの室温EL発光	第81回応用物理学会秋季学術講演会	2020年09月
34	歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける正孔移動度のチャネル方向依存性	第81回応用物理学会秋季学術講演会	2020年09月
35	GOI基板作製における貼り合わせ後熱処理の影響	第67回応用物理学会春季学術講演会	2020年03月
36	ナノ構造化Si薄膜における構造制御による高熱電性能化	第67回応用物理学会春季学術講演会	2020年03月
37	Ge-on-Si基板のパターニングによる歪みSiGe層中クラック発生の抑制	第67回応用物理学会春季学術講演会	2020年03月
38	Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因	第67回応用物理学会春季学術講演会	2020年03月
39	単層MoTe2のhBN封止構造における熱処理による光学特性への影響	第67回応用物理学会春季学術講演会	2020年03月
40	ナノ多孔層ガラス基板を利用したGeナノ結晶の作製	第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会	2019年11月20日
41	Ge-on-Si(111) 及びGe(111) 基板上の歪みSi1-xGexの表面形状と臨界膜厚	第2回結晶工学×ISYSE 合同研究会	2019年11月20日
42	"Enhanced Photoluminescence from Strained Ge-on-Insulator Surface-Passivated with Hydrogenated Amorphous Si	8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces	2019年11月
43	Inverse local magnetoresistance effect up to room temperature in ferromagnet-semiconductor lateral spin-valve devices	8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-8)	2019年11月
44	Thermal stability of mechanically-exfoliated monolayer and few layer MoTe2	8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces	2019年11月
45	"Surface Morphology Evolution of Strained Si1-xGex Grown on Relaxed Ge(111)	8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces	2019年11月
46	Optical Interferences in Monolayer Tungsten Disulfide and Tungsten Diselenide Encapsulated by Hexagonal Boron nitride	8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces	2019年11月
47	P ドープ Ge-on-Si における拡散ストップ層挿入の効果	第80回応用物理学会秋季学術講演会	2019年09月
48	Effect of thermal annealing at a low temperature on exciton dynamics in semiconducting MoTe2 crystals	SSDM 2019	2019年09月
49	In-situ ドープによる Ge-on-Si(111)の n 型伝導制御	第80回応用物理学会秋季学術講演会	2019年09月
50	歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の反転キャリアのHall移動度評価	第80回応用物理学会秋季学術講演会	2019年09月
51	歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性	第80回応用物理学会秋季学術講演会	2019年09月
52	Ge-on-Si(111) 及びGe(111) 基板上の歪みSi1-xGexの臨界膜厚	第80回応用物理学会秋季学術講演会	2019年09月
53	hBN/1L-WSe2/hBN構造の光取り出し効率の改善	第80回応用物理学会秋季学術講演会	2019年09月
54	欠陥制御によるナノ結晶含有Si薄膜の熱電特性改善	第80回応用物理学会秋季学術講演会	2019年09月
55	サブ波長格子構造を有するSi中赤外導波路	第80回応用物理学会秋季学術講演会	2019年09月
56	ナノ多孔層ガラス基板を利用したGeナノドットの作製	第80回応用物理学会秋季学術講演会	2019年09月
57	Strain states and critical thickness of Si1-xGex epitaxial layers on Ge-on-Si(111)	ISTDM / ICSI 2019 Conference	2019年06月
58	Si/Ge Heterostructures with Various Surface Orientations	EMN Epitaxy	2019年06月
59	水素ラジカル加熱を用いたガラス基板上Poly-Si形成技術開発	第66回応用物理学会春季学術講演会	2019年03月
60	ガラス上へのGe貼り合わせにおける界面アモルファス層挿入の効果	第66回応用物理学会春季学術講演会	2019年03月
61	温度と組成に依存するSi1-xGexナノワイヤ中の準弾道的熱輸送	第66回応用物理学会春季学術講演会	2019年03月
62	高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化	第66回応用物理学会春季学術講演会	2019年03月
63	Ge-on-Si(111)及びGe(111)基板上の歪みSi_1-xGe_xの臨界膜厚	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2019年
64	強磁性体/半導体スピン素子におけるスピン蓄積信号の非線形バイアス依存性	日本磁気学会学術講演概要集	2019年
65	Spin transport in Ge and SiG	CSRN-Osaka Annual Workshop 2018	2018年12月
66	Local magnetoresistance effect at room temperature in Co2FeAlxSi1-x/n-Ge lateral spin-valve devices	One-Day Symposium on Spintronics Properties of Graphene and Related 2D Materials	2018年11月22日
67	Ge量子ドットを有する円形DBR微小共振器構造の発光特性	第79回応用物理学会秋季学術講演会	2018年09月
68	伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のゲート電圧印加Hall測定による移動度評価	第79回応用物理学会秋季学術講演会	2018年09月
69	Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurements	第79回応用物理学会秋季学術講演会	2018年09月
70	ウェットエッチングによる歪みGeマイクロブリッジの作製	第79回応用物理学会秋季学術講演会	2018年09月
71	選択エッチングを用いた歪みSiGe(111)-On-Insulator基板の作製	第79回応用物理学会秋季学術講演会	2018年09月
72	低温におけるSiGeナノワイヤー中の熱輸送に関する考察	第79回応用物理学会秋季学術講演会	2018年09月
73	Spin transport in a Ge-rich SiGe alloy	2018 European Materials Research Society (E-MRS 2018)	2018年09月
74	Probing thermal phonon mean free path using phononic crystal nanostructures	Journal of Physics: Conference Series	2018年07月26日
75	Germanium light source monolithically integrated on Si platform	International Conference on Small Science 2018 (ICSS 2018)	2018年07月04日
76	Strained Ge Optoelectronic Devices Integrated on a Si Platform	Nanotech Malaysia 2018	2018年05月07日
77	Room-temperature magnetoresistance effect in Ge lateral spin valve devices	Joint ISTDM / ICSI 2018	2018年05月
78	Electrical spin injection and transport in a SiGe alloy	Joint ISTDM / ICSI 2018	2018年05月
79	Fabrication of Ge MOS with low interface trap density by ALD of Al2O3 on epitaxially grown Ge	Joint ISTDM / ICSI 2018	2018年05月
80	Germanium light source monolithically integrated on Si platform	Joint ISTDM / ICSI 2018	2018年05月
81	“CMOS-compatible Germanium Light Sources	233rd ECS Meeting, Seattle	2018年05月
82	Formation of high quality Al2O3/Ge interface by ALD directly on epitaxial Ge	Joint ISTDM / ICSI 2018	2018年05月
83	Structural and electrical properties of compressive strained Ge channels fabricated on Si (111) and Si (100)	Joint ISTDM / ICSI 2018	2018年05月
84	Effect of Strain on the Binding Energy of Ge 2p and 3d core level	Joint ISTDM / ICSI 2018	2018年05月
85	Effects of post annealing on in-situ n-doped Ge-on-Si	Joint ISTDM / ICSI 2018	2018年05月
86	Fabrication and evaluation of Ge on Si (110) by using two-step growth method	Joint ISTDM / ICSI 2018	2018年05月
87	Observation of local spin signals at room temperature in germanium lateral devices	INTERMAG 2018	2018年04月
88	Ge(111)基板上の歪みSi_1-xGe_x膜成長と臨界膜厚の評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2018年03月05日
89	Ge中赤外光グレーティングカプラ	第65回応用物理学会春季学術講演会	2018年03月
90	界面制御によるSi/SiGe超格子の出力因子操作	第65回応用物理学会春季学術講演会	2018年03月
91	In-situ n型ドープGe-on-Siにおけるポストアニールの影響	第65回応用物理学会春季学術講演会	2018年03月
92	ナノ構造化Si 薄膜における出力因子決定機構	第65回応用物理学会春季学術講演会	2018年03月
93	Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurement		2018年03月
94	SiGeナノワイヤーにおける弾道的熱輸送	第65回応用物理学会春季学術講演会	2018年03月
95	MBEとALDによるAl2O3/歪みGeチャネル構造の形成と電気特性評価	第65回応用物理学会春季学術講演会	2018年03月
96	ヘテロ接合型Si太陽電池のElectroluminescence特性	第65回応用物理学会春季学術講演会	2018年03月
97	歪みGeチャネル構造におけるPドープを用いたパラレル伝導の抑制	第65回応用物理学会春季学術講演会	2018年03月
98	Ge(111)基板上の歪みSi1-xGex膜成長と臨界膜厚の評価	第65回応用物理学会春季学術講演会	2018年03月
99	Resonant light emission from highly N-doped germanium-on-insulator microdisks with circular bragg grating	2017 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2017 - Proceedings	2017年10月25日
100	ゲルマニウム中の電子スピン伝導とスピン緩和	日本磁気学会学術講演概要集	2017年09月05日
101	Siキャップ/Ge量子ドット積層構造のXPS評価	第78回応用物理学会秋季学術講演会	2017年09月
102	組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大	第78回応用物理学会秋季学術講演会	2017年09月
103	二段階成長法を用いたSi(110)基板上Ge層の作製と評価	第78回応用物理学会秋季学術講演会	2017年09月
104	低RAショットキートンネル接合電極を用いたn-Ge中の室温スピン伝導検出	第78回応用物理学会秋季学術講演会	2017年09月
105	ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響	第78回応用物理学会秋季学術講演会	2017年09月
106	Spin-on-dopant拡散によるGeダイオードの電流注入での発光	第78回応用物理学会秋季学術講演会	2017年09月
107	Ge量子ドットへのP-Spin-on-Dopingが発光特性に与える効果	第78回応用物理学会秋季学術講演会	2017年09月
108	Controlled doping for Ge based optoelectronic devices	2017 EMN/CC Meeting	2017年09月
109	エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl2O3層の形成と評価	第78回応用物理学会秋季学術講演会	2017年09月
110	The Resonant Phenomenon in the PL Spectra Measured in the Tensile-Strained Ge Microbridges	2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)	2017年09月
111	組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子増大	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2017年08月25日
112	低RAショットキートンネル接合電極を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導検出	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2017年08月25日
113	ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2017年08月25日
114	Donor-Induced Spin Relaxation in n-Ge	The 9th International school and conference on Spintech	2017年06月
115	Local Magnetoresistance in a Co2FeAl0.5Si0.5/n+-Ge lateral spin valve	The 9th International school and conference on Spintech	2017年06月
116	Giant Enhancement of Nonlocal Spin Signals in n-Ge using Co2FeAl0.5Si0.5 Electrodes	The 9th International school and conference on Spintech	2017年06月
117	Circular distributed Bragg reflector resonators on highly n-doped Ge-on-insulator	10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)	2017年05月
118	Resonant light emission from uniaxially tensile-strained Ge microbridges	10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)	2017年05月
119	Resonant light emission from highly n-doped germanium-on-insulator microdisks with circular Bragg grating	2017 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO: 2017)	2017年05月
120	Thermal Phonon MFP Spectrum Probing Using Phononic Crystals	2017 MRS Spring Meeting & Exhibit	2017年05月
121	ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2017年03月01日
122	波長スプリッティング太陽電池ボトムセルへの応用を目指したヘテロ接合Ge太陽電池	第64回応用物理学会春季学術講演会	2017年03月
123	An Optical Resonator for Tensile-strained Ge Microbridge by Using Multimode Interference Coupler Loop Mirrors	第64回応用物理学会春季学術講演会	2017年03月
124	InGaP//Si波長スプリッティング太陽電池の屋外発電特性	第64回応用物理学会春季学術講演会	2017年03月
125	高空間分解能HXPESによるGe 2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出	第64回応用物理学会春季学術講演会	2017年03月
126	Resonant light emission from highly n-doped germanium-on-insulator microdisks with circular bragg grating	Optics InfoBase Conference Papers	2017年01月01日
127	Formation of uniaxially strained Ge by local introduction of ion implantation defects	29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)	2017年
128	Low-Defect-Density Al2O3 Insulating Layer for Gate-Controlled Si/SiGe Quantum Dots	29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)	2017年
129	Effects of ion implantation defects on strain relaxation of SiGe layers on Si (110)	29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)	2017年
130	Anisotropic strain engineering of Si/Ge heterostructures	2016 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2016)	2016年12月24日
131	Enhanced Light Emission from N-Doped Ge Microdisks by Thermal Oxidation	Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2016)	2016年10月
132	Anisotropic Strain Introduction into Si/Ge Hetero Structures	Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2016)	2016年10月
133	Straining of Group IV Semiconductor Materials for Bandgap and Mobility Engineering	Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2016)	2016年10月
134	鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2016年09月01日
135	Si(111)基板上エピタキシャルβ‐FeSi₂薄膜の熱電特性	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2016年09月01日
136	イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2016年09月01日
137	多接合波長スプリッティング太陽電池の実現に向けた屋外発電特性評価	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
138	伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の結晶成長中における表面形状形成過程に関する研究	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
139	イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性評価	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
140	Siナノウォール構造の作製	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
141	GOI上歪み円形マイクロブリッジの発光特性	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
142	Electrical spin injection and detection in n+-Ge using Schottky tunnel contacts	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
143	Epitaxial Lift-Off (ELO)法を用いたGOI基板の作製	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
144	Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
145	鉄シリサイドナノドット積層構造の制御による熱電物性向上	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
146	Si薄膜中エピタキシャルGeナノドット積層構造における熱伝導率の低減	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
147	ヘテロ接合型Si太陽電池の開放電圧の制限要素	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
148	高濃度n型ドープGeマイクロディスクの共振フォトルミネセンス	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
149	SiGe フォノニック結晶におけるナノスケール熱伝導	第77回応用物理学会秋季学術講演会	2016年09月
150	Study on ion implantation conditions in fabricating compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures using the defect control by ion implantation technique	19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2016)	2016年09月
151	Highly N-doped Ge Microdisks with Circular Bragg Gratings on Ge-on-Insulator	The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)	2016年09月
152	Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(110) films by controlling defects via ion implantation	19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2016)	2016年09月
153	Light Emission Enhancement from Ge Quantum Dots with Phosphorous -Doping	19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2016)	2016年09月
154	Electrical spin injection and detection at room temperature in n-Ge based lateral spin valves with Co2FeSi0.5Al0.5/n+-Ge Schottky tunnel contact	9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids	2016年08月
155	Influences of Phosphorous δ-Doping at Ge Quantum Dots / Si Interface on Photoluminescence Properties and Dot Formation	The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)	2016年08月
156	Fabrication of uniaxially strained Ge by selective ion implantation technique	The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)	2016年08月
157	Hole Mobility in Strained Si/SiGe/Vicinal Si(110) Grown by Gas Source MBE	The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)	2016年08月
158	Thermal Stability of Compressively Strained Si/Relaxed Si1-xCx Heterostructures Formed on Ar Ion Implanted Si (100) Substrates	International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016)	2016年06月
159	Control of Electrical Properties in Heusler-Alloy/Ge Schottky Tunnel Contacts formed by Phosphorous δ-Doping with Si-Layer Insertion	International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016)	2016年06月
160	Room-temperature electrical spin injection and detection in n-Ge through Co2Fe0.5SiAl0.5/n+-Ge Schottky tunnel contacts	7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces/International SiGe Technology and Device Meeting	2016年06月
161	Control of electrical properties in Heusler-alloy/Ge Schottky tunnel contacts formed by phosphorous δ-doping with Si-layer insertion	7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces/International SiGe Technology and Device Meeting	2016年06月
162	Room-Temperature Electrical Spin Injection and Detection in n-Ge through Co2FeSi0.5Al0.5/n+-Ge Schottky Tunnel Contacts	International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016)	2016年06月
163	Formation of Strained Ge-on-Insulator (GOI) Substrates using SiGe Etching Stop Layers	International SiGe Technology and Device Meeting 2016 (ISTDM2016)	2016年06月
164	Strained Ge-on-Insulator Substrates toward Optoelectronic Integrated Circuits	The International Conference on Small Science (ICSS 2016)	2016年06月
165	High Q-factor resonant photoluminescence from Ge-on-Insulator microdisks	SPIE Photonics Europe 2016	2016年04月
166	貼り合わせ法による一軸性歪みSiGe-on-Insulator(SGOI)の作製	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
167	SiGeストップ層を用いた歪みGe-On-Insulator構造の形成技術開発	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
168	微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
169	選択的イオン注入法で作製した一軸性歪Geの異方性応力評価	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
170	低倍率集光型Siヘテロ接合太陽電池の動作解析	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
171	Ge量子ドット/Si界面へのPデルタドーピングが発光特性とドット形成に与える影響	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
172	円形マイクロブリッジ構造によるGOIの二軸引っ張り歪み増強	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
173	イオン注入を利用した圧縮歪みSi/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製におけるイオン注入条件の検討	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
174	高効率GaInP//Si低倍率集光型・波長スプリッティング太陽電池	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
175	アモルファスSiGeフォノニック結晶ナノ構造の熱伝導	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
176	エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上	第63回応用物理学会春季学術講演会	2016年03月
177	High Q-factor resonant photoluminescence from Ge-on-insulator micro-disks	Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering	2016年01月01日
178	3次元アトムプローブ法によるGe中のドーパント分布評価	東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)	2016年
179	Spin absorption affect at ferromagnetic alloy/n+-Ge interfaces	61st Anuual Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM 2016)	2016年
180	Si(111)基板上エピタキシャルβ-FeSi₂薄膜の熱電特性	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2016年
181	Schottkyトンネル接触を使ったn⁺-Ge中の電気スピン注入と検出	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2016年
182	Low-temperature Fabrication of a Gate Stack Structure for Ge-based Spin-MOSFET	2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (2015 IWDTF)	2015年11月
183	“Low-temperature fabrication of a gate stack structure for Ge-based spin-MOSFET	2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices -Science and Technology- (2015 IWDTF)	2015年11月
184	Co₂FeSi_0.5Al_0.5ホイスラー合金電極を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導観測	日本金属学会講演概要(CD-ROM)	2015年09月02日
185	イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx ヘテロ構造の熱的安定性	第76回応用物理学会秋季学術講演会	2015年09月
186	PデルタドープしたGe基板の３次元アトムプローブ評価	第76回応用物理学会秋季学術講演会	2015年09月
187	バイオテンプレート極限加工によるSi1-xGexナノディスクの作製と特性評価	第76回応用物理学会秋季学術講演会	2015年09月
188	GOIマイクロディスクにおけるHigh-Q値共振フォトルミネセンス	第76回応用物理学会秋季学術講演会	2015年09月
189	Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果	第76回応用物理学会秋季学術講演会	2015年09月
190	中性粒子ビームエッチング技術を用いたSi量子ドットの作製と熱伝導特性	第76回応用物理学会秋季学術講演会	2015年09月
191	エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御	第76回応用物理学会秋季学術講演会	2015年09月
192	PデルタドープしたGe基板の3次元アトムプローブ評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2015年08月31日
193	イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_xヘテロ構造の熱的安定性	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2015年08月31日
194	Co₂FeSi_0.5Al_0.5/n⁺‐Geショットキートンネル接合を用いたn‐Ge中の室温スピン伝導検出	日本磁気学会学術講演概要集	2015年08月25日
195	Strained Germanium based Nano-Structures toward High Performance Optoelectronic Integrated Circuits	International Symposium for Advanced Materials Research 2015 (ISAMR 2015)	2015年08月
196	Cubic Rashba Spin-Orbit Interaction of a Two-Dimensional Hole Gas in a Ge/SiGe Quantum Well	21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-21)	2015年07月
197	Robust quantum dot devices for qubits in isotopically purified 28Si	21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-21)	2015年07月
198	Compressively strained Si/Si1-xCx heterostructures formed by Ar ion implantation technique	9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures	2015年05月
199	Fabrication of Strained Ge-on-Insulator for Ge-based Optoelectronic Devices	E-MRS 2015 Spring Meeting	2015年05月
200	n-GeへのPデルタドーピングにおけるSi挿入によるその偏析抑制効果	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
201	Arイオン注入法を用いた圧縮歪みSi/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
202	水素ラジカルによるW、Niの選択加熱を用いたa-Siの固相成長法とTFTの作製	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
203	Pのin-situドーピングにより作製したn型GOIの電気伝導特性	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
204	歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
205	伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)の表面モフォロジーへの成長速度の影響	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
206	イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
207	高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
208	熱酸化を用いた表面不活性化による引っ張り歪みGe on Siの発光強度増大	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
209	引っ張り歪みGOIのCMP薄膜化による発光強度増大	第62回応用物理学春季学術講演会	2015年03月
210	n‐GeへのPデルタドーピングにおけるSi挿入によるその偏析抑制効果	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2015年02月26日
211	イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2015年02月26日
212	Arイオン注入法を用いた圧縮歪みSi/緩和Si_1-xC_xヘテロ構造の作製	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2015年02月26日
213	歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2015年02月26日
214	アトムプローブ法によるGe中にデルタドープしたPの3次元分布評価	東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター共同利用研究経過報告書(CD-ROM)	2015年
215	Co₂FeSi_0.5Al_0.5ホイスラー合金電極を用いたn-Ge中の室温スピン伝導観測	日本金属学会講演概要(CD-ROM)	2015年
216	Co₂FeSi_0.5Al_0.5/n⁺-Geショットキートンネル接合を用いたn-Ge中の室温スピン伝導検出	日本磁気学会学術講演概要集	2015年
217	Anisotropic Strain Engineering in Si/Ge Heterostructures	The Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2014)	2014年11月
218	イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性及びデバイス特性評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	2014年09月01日
219	イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性及びデバイス特性評価	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
220	Al2O3をゲート絶縁膜とした歪みGe MOS構造の電気特性	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
221	選択的イオン注入法によるサブミクロン領域でのSiGe歪み制御	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
222	高空間分解能HXPESによる一軸歪み量の違いがSiGe価電子帯に与える影響の検出	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
223	歪みSi/Si1-XCx/Si(001)構造の不純物活性化過程における結晶性及び電気特性評価	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
224	伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)の微細構造および電気的特性への熱処理の影響	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
225	Enhancement of Photoluminescence from Si/Ge Quantum Dots by Phosphorus -doping	18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy	2014年09月
226	Suppression of segregation in P delta doping for ultrashallow Ohmic contact on n-type Ge	18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Flagstaff	2014年09月
227	歪Geマイクロブリッジの作製と評価	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
228	水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱とそのデバイス応用	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
229	n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
230	貼り合わせ法による高移動度歪みGOIの作製	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
231	液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価	第75回応用物理学会秋季学術講演会	2014年09月
232	Formation of ultrashallow Ohmic contacts for n-type Ge by P delta-doping	7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014 ISTDM	2014年06月
233	Formation of Uniaxially Strained SiGe with High Ge Concentrations by Selective Ion Implantation	7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014 ISTDM	2014年06月
234	Electrical properties of strained Ge(111)-on-Insulator (GOI) fabricated by Ge epitaxy on Si and layer transfer	7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014 ISTDM	2014年06月
235	Generation and detection of pure spin current in n-Ge using L21-ordered Co2FeSi electrodes	IEEE International Magnetics Conference (Intermag 2014)	2014年05月
236	水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱を用いた多結晶Si膜形成とデバイスプロセス応用	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月17日
237	27aAW-4 弱反局在測定を用いた歪Ge/SiGe二次元正孔系におけるラシュバスピン軌道相互作用の検出(27aAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2014年03月05日	一般社団法人日本物理学会
238	Cap-Si/圧縮歪みSiGeチャネル/Si(110)ヘテロ構造を有するp-MOSFETの界面準位密度と正孔移動度に与えるCap-Si膜厚の影響	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
239	シリコンマイクロディスクを用いた熱光学効果型光変調器	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
240	n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
241	Ge量子ドット/Si界面へのPデルタドーピングと発光特性評価	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
242	SiO2上に形成したGe膜の発光特性評価	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
243	Pデルタドープによるn型Geへの極浅オーミック接触の形成	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
244	イオン注入法がSi1-XCX/Si(001)構造の欠陥形成過程に及ぼす効果	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
245	不純物イオン注入および熱処理がSi1-xCx層の結晶性に及ぼす影響	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
246	圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造における炭素傾斜組成の電気伝導特性への効果	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
247	Highly efficient detection of pure spin currents in n-Ge using L21-Co2FeSi Heusler-compound electrodes	第61回応用物理学春季学術講演会	2014年03月
248	Resonant light emission from N-doped germanium-on-insulator microdisks at room-temperature	IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP	2014年01月01日
249	Tensile-strained, heavily n-doped germanium-on-insulator for light emitting devices on silicon	Conference on Lasers and Electro-Optics Europe - Technical Digest	2014年01月01日
250	Tensile-strained, heavily N-doped germanium-on-insulator for light emitting devices on silicon	Optics InfoBase Conference Papers	2014年01月01日
251	Resonant photoluminescence from Ge microdisks on Ge-on-insulator	2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014	2014年01月01日
252	Strain engineered Si/Ge heterostructures	The International Conference on Small Science (ICSS 2013)	2013年12月
253	HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の化学結合状態評価Ⅱ	第74回応用物理学会秋季学術講演会	2013年09月19日
254	貼り合わせ法により作製した歪みGOI構造の電気特性	第74回応用物理学会秋季学術講演会	2013年09月18日
255	選択的イオン注入法による高Ge組成一軸歪みSiGeの形成	第74回応用物理学会秋季学術講演会	2013年09月18日
256	圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造における結晶欠陥形成過程の研究	第74回応用物理学会秋季学術講演会	2013年09月18日
257	固相成長法によるCap-Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と界面準位及び移動度の評価	第74回応用物理学会秋季学術講演会	2013年09月17日
258	縮歪みSiGe/Si(110)の形成とnMOSFETの電子移動度評価	第74回応用物理学会秋季学術講演会	2013年09月17日
259	高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出	第74回応用物理学会秋季学術講演会	2013年09月17日
260	水素ラジカルを用いた遷移金属の選択加熱現象による薄膜トランジスタ用多結晶Si形成	第74回応用物理学会秋季学術講演会	2013年09月
261	“Uniaxially strained Si/Ge heterostructures grown on selectively ion-implanted substrates	17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)	2013年08月
262	Formation of Ge(111) on Insulator by Ge epitaxy on Si(111) and layer transfer	The 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)	2013年06月
263	Highly n-doped, tensile-strained Ge grown on Si by molecular beam epitaxy	The 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)	2013年06月
264	Epitaxial Ge/Metallic Silicide Grown on Si with Atomically Smooth Heterointerfaces	The 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8)	2013年06月
265	Formation of Uniaxially Strained Ge by Selective Ion Implantation	E-MRS 2013 Spring Meeting, Symposium I	2013年05月30日
266	HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の評価	第60回応用物理学春季学術講演会	2013年03月29日
267	Si+イオン注入により導入した点欠陥に関連するSiGe混晶中のアクセプタ準位	第60回応用物理学春季学術講演会	2013年03月28日
268	水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶Si形成技術とデバイスへの応用	第60回応用物理学春季学術講演会	2013年03月27日
269	29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2013年03月26日	一般社団法人日本物理学会
270	27aXQ-1 Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2013年03月26日	一般社団法人日本物理学会
271	Surface segregation behavior of B, Ga, Sb, and as dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) examined with a first-principles method	Journal of Physics: Conference Series	2013年01月01日
272	Temperature, electron density and in-plane magnetic field dependence of cyclotron relaxation time in the two-dimensional metallic phase	Journal of Physics: Conference Series	2013年01月01日
273	High efficiency quantum dot solar cells using 2-dimensional 6.4-nm-diameter Si nanodisk with SiC interlayer	Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference	2012年11月26日
274	Fabrication and characterization of Si/SiGe quantum dots with capping gate	2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012	2012年10月12日
275	Formation of Uniaxially Strained Si/Ge Channels on SiGe Buffers Strain-controlled with Selective Ion Implantation	Pacific Rim Meeting (PRiME) 2012	2012年10月10日
276	Formation of high-quality Ge(111) layers on Si (111) substrates	The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy	2012年09月27日
277	On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique	The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy	2012年09月26日
278	CMPによるGe表面の平坦化と歪みGOI (111) 基板の作製	第73回応用物理学会学術講演会	2012年09月13日
279	n-GeへのSbデルタドーピングにおけるSi添加の効果	第73回応用物理学会学術講演会	2012年09月13日
280	角度分解X線光電子分光法によるGeにδドープしたSbの深さ方向分布	第73回応用物理学会学術講演会	2012年09月13日
281	選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成	第73回応用物理学会学術講演会	2012年09月13日
282	伸張歪みSi/SiGe/Si(110)薄膜構造の形成とpMOSFETの特性評価	第73回応用物理学会学術講演会	2012年09月13日
283	硬X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiC構造の酸化膜中の炭素分布の推定	第73回応用物理学会学術講演会	2012年09月11日
284	Magnetotransport properties of 20-nm-thick strained Ge with various compressive stresses	2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)	2012年09月
285	18pFB-7 Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2012年08月24日	一般社団法人日本物理学会
286	Upper limit of two-dimensional hole gas mobility in Ge/SiGe heterostructures	2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings	2012年07月30日
287	第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス	2012年06月14日	一般社団法人電子情報通信学会
288	圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造の形成と評価	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
289	水素ラジカルによる選択加熱現象を利用したSi1-XGeX薄膜形成技術	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
290	Fe3Si/n+-Ge/n-Ge素子におけるスピン蓄積の生成・検出	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
291	Si-capによるHfO2/歪みGe界面のHfジャーマネイト形成の抑制	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
292	第一原理計算によるSbドーパント表面偏析挙動の検討	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
293	Si-MOSFET構造におけるスピン蓄積の検出	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
294	Si(110)基板上に形成したSiGe nMOSFETの電子移動度の評価	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
295	圧縮歪みGeチャネル変調ドープ構造の磁気輸送特性	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
296	SiGe/Si(110)ヘテロ構造の正孔移動度測定	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
297	(110)傾斜基板上に形成した歪みSiの電子移動度と結晶性との関係	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
298	Ge/SiGe ヘテロ構造中に形成される二次元正孔ガス中の正孔散乱機構の解析	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
299	Capping gate構造を有するSi/SiGe量子ドットの作製と評価	2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会	2012年03月
300	Fe₃Si/n⁺-Ge/n-Ge素子におけるスピン蓄積の生成・検出	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	2012年
301	Cyclotron resonance of two dimensional electrons near the metal-insulator transition	AIP Conference Proceedings	2011年12月01日
302	Ion Implantation for Strain Engineering of Si-based Semiconductor	BIT’s 1st Annual World Congress of Nano-S&T 2011	2011年10月26日
303	角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス	2011年10月13日	一般社団法人電子情報通信学会
304	シリコンの価電子帯分散構造の2 軸引っぱり歪みによる変化	第72回応用物理学会学術講演会	2011年09月
305	Surface segregation behavior of B, Ga, Sb, and As dopant atoms on Ge(100) and Ge(111) examined with a first-principles method	ICSi-7 2011 (International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures)	2011年08月30日
306	Microstructure Change of Si0.99C0.01 Thin Films Caused by Arsenic-Ion-, Boron-Ion-, and Silicon-Ion-Implantation and Successive Rapid Thermal Annealing Treatment	ICSi-7 2011 (International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures)	2011年08月30日
307	Fabrication of strained thin-film GOI based on wafer bonding	ICSi-7 2011 (International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures)	2011年08月30日
308	第一原理計算によるドーパント表面偏析挙動の検討	第72回応用物理学会学術講演会	2011年08月
309	2段階成長法によるSi(111)基板上Ge薄膜の作製	第72回応用物理学会学術講演会	2011年08月
310	Ge/Siエピタキシャル成長を利用した薄膜歪GOI(111)構造の形成	第72回応用物理学会学術講演会	2011年08月
311	Si/SiGe量子ドット構造のシミュレーションと作製	第72回応用物理学会学術講演会	2011年08月
312	水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶Si1-xGex形成技術	第72回応用物理学会学術講演会	2011年08月
313	Ratchet photovoltage in Si/SiGe heterostructure for different antidot lattice parameters	The 19th international conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS19)	2011年07月25日
314	Temperature dependence of two-dimensional hole gas mobility in a strained Ge quantum well	The 19th international conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS19)	2011年07月25日
315	Electron-antidot interaction in antidot lattice with different etching parameter	The 19th international conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS19)	2011年07月25日
316	Stripe line width dependence of anisotorpic strain states induced into SiGe films by selective ion implantation technique	European Materials Research Society (E-MRS) 2011 Spring Meeting	2011年05月09日
317	28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2011年03月03日	一般社団法人日本物理学会
318	圧縮歪ゲルマニウム中の自己拡散	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
319	Si/SiGe量子ドット作製に向けたPdトップゲート動作点の低電圧化	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
320	角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 III	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
321	第一原理計算によるドーパント表面偏析挙動の検討	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
322	ハンル効果測定を用いた強磁性合金/シリコン界面近傍におけるスピン蓄積の電気的検出	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
323	Si(110)傾斜基板上に形成された歪みSi-nMOSFETにおける電子移動度の評価	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
324	圧縮歪みSiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と素子応用	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
325	貼り合わせ法による歪みGOI基板の作製	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
326	水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶ゲルマニウム形成技術	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
327	歪みGeチャネルにおける正孔有効質量の歪み依存性と散乱機構	第58回応用物理学関係連合講演会	2011年03月
328	Cyclotron resonance in the two-dimensional metallic phase of Si quantum wells	Journal of Physics: Conference Series	2011年01月01日
329	n-Ge中に生成されたスピン蓄積の検出	日本磁気学会学術講演概要集	2011年
330	三端子Hanle効果測定法を用いたSi中のスピン蓄積の検出	日本磁気学会学術講演概要集	2011年
331	Formation of ultra-shallow Ohmic contacts on n-Ge by Sb δ-doping	MRS 2010 Fall Meeting, Symposium AA: Group IV Semiconductor Nanostructures and Applications	2010年12月02日
332	選択的イオン注入法により作製される一軸性歪みSiGeの表面構造評価	第71回応用物理学会学術講演会	2010年09月
333	角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 II	第71回応用物理学会学術講演会	2010年09月
334	Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製	第71回応用物理学会学術講演会	2010年09月
335	イオン注入法によるSi(111)基板上緩和SiGeバッファ層の作製	第71回応用物理学会学術講演会	2010年09月
336	CVDにより作製した歪みGeチャネルの電気伝導特性	第71回応用物理学会学術講演会	2010年09月
337	(110)面を表面に有する歪みSiの正孔移動度と結晶モフォロジーとの関係	第71回応用物理学会学術講演会	2010年09月
338	Ge(111)への高濃度Sbデルタドーピングによる低抵抗コンタクト形成	第71回応用物理学会学術講演会	2010年09月
339	Ar+およびSi+イオン注入欠陥がSiGe層の歪緩和に与える影響	第71回応用物理学会学術講演会	2010年09月
340	24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2010年08月18日	一般社団法人日本物理学会
341	24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure	日本物理学会講演概要集	2010年08月18日	一般社団法人日本物理学会
342	CMP for high mobility strained Si/Ge channels	Materials Research Society Symposium Proceedings	2010年07月01日
343	Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels	E-MRS 2010 Spring Meeting, Symposium H : Post-Si CMOS electronic devices: the role of Ge and III-V materials Strasbourg	2010年06月10日
344	Effect of line width on uniaxial strain states of SiGe layers fabricated by selective ion implantation	5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2010	2010年05月24日
345	20pHV-3 Si/SiGe2次元金属相におけるサイクロトロン共鳴(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2010年03月01日	一般社団法人日本物理学会
346	角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年03月
347	選択的イオン注入法により作製された一軸性歪みSiGeの歪み状態に与えるメサエッチの影響	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年03月
348	Fe3Si/Siショットキー障壁を介したSiへの電気的スピン注入・検出	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年03月
349	Fe3Si/Siショットキートンネルバリアを介したSiへのスピン注入とその電気的検出	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年03月
350	熱処理の歪みSi1-yCy/Siヘテロ構造と素子特性に与える影響	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年03月
351	Ge濃縮層/SiGe層/Si(100)構造の形成と素子応用	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年03月
352	Siキャップ層による歪みGeチャネルの歪み安定性向上	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年03月
353	低抵抗コンタクト形成へ向けたGeへのSbデルタドーピングとその偏析現象	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年03月
354	Fe3Si/Ge(111) Schottky contacts for spin injection into a Ge channel	11th Joint MMM-Intermag Conference (2010/1/20)	2010年01月20日
355	"Nonlocal voltage detection of spin transport in silicon using Fe3Si/Si Schottky tunnel contacts	11th Joint MMM-Intermag Conference (2010/1/19).	2010年01月19日
356	Fe₃Si/Siショットキー障壁を介したSiへの電気的スピン注入・検出	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	2010年
357	Formation of ultra-shallow Ohmic contacts on n-Ge by Sb δ-doping	Materials Research Society Symposium Proceedings	2010年
358	Room-temperature observation of quantum size effects in photoluminescence of Si/Si0.8Ge0.2 nanocolumns prepared by neutral beam etching	International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics 2009	2009年11月
359	Nonlocal voltage detection of spin transport in silicon using Fe3Si/Si Schottky tunnel contacts	International IMR Workshop on Group IV Spintronics	2009年10月04日
360	Probing the Behaviors of Point Defects in Silicon and Germanium Using Isotope Superlattices	The 216th Meeting of the Electrochemical Society, Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization 6	2009年10月
361	Si(111)基板上へのSiGe層のMBE成長と結晶性評価	第70回応用物理学会学術講演会	2009年09月
362	Fe3Si/Geエピタキシャル界面のショットキー伝導特性評価	第70回応用物理学会学術講演会	2009年09月
363	HfO2/歪みGeチャネル変調ドープ構造における正孔移動度の正孔密度依存性	第70回応用物理学会学術講演会	2009年09月
364	ショットキー障壁を介したシリコンへのスピン注入とその電気的検出	第70回応用物理学会学術講演会	2009年09月
365	Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation	第70回応用物理学会学術講演会	2009年09月
366	ソース／ドレインの強磁性シリサイド化とスピン注入：Si系スピントランジスタの実現を目指して	第70回応用物理学会学術講演会	2009年09月
367	(110)面上に形成された歪みSi薄膜の結晶性の改善	第70回応用物理学会学術講演会	2009年09月
368	As+, B+, Si+ イオン注入したSi-C混晶半導体膜のRTA処理による組織変化	第70回応用物理学会学術講演会	2009年09月
369	25pXD-3 Si/SiGe量子井戸二次元電子系における井戸幅と谷分離エネルギーの関係(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)	日本物理学会講演概要集	2009年08月18日	一般社団法人日本物理学会
370	Deactivation Mechanism of Ion-Implanted Arsenic in Germanium	The 25th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-25)	2009年07月
371	Identification of scattering mechanisms limiting the mobility of two-dimensional electron gas in Si/SiGe heterostructures	The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18)	2009年07月
372	Landau level crossing and pseudospin phase transitions in Si quantum wells	The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18)	2009年07月
373	Cyclotron resonance of two-dimensional electrons in a Si quantum well	The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18)	2009年07月
374	Absence of Transient Enhanced Diffusion in Ion-Implanted Ge Investigated by Isotope Superlattices	E-MRS 2009 Spring Meeting, Symposium I : Silicon and Germanium issues for future CMOS devices	2009年06月
375	Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique	E-MRS 2009 Spring Meeting, Symposium I	2009年06月
376	“Ion dose and species dependence of strain relaxation of SiGe buffer layers formed by ion-implantation technique	6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures	2009年05月
377	CMP for high mobility strained Si/Ge Channels	2009 MRS (Materials Research Society) Spring Meeting, Symposium E	2009年04月16日
378	As+イオン注入したSi-C混晶半導体薄膜のRTA処理による組織変化	第56回応用物理学関係連合講演会	2009年03月
379	選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性	第56回応用物理学関係連合講演会	2009年03月
380	μ波プラズマ加熱による金属の選択加熱現象を利用した多結晶シリコン形成技術	第56回応用物理学関係連合講演会	2009年03月
381	Fe₃Si/Siショットキー障壁を介したスピン注入の電気的検出	日本磁気学会学術講演概要集	2009年
382	Strained Si/Ge Heterostructures: SiGe Virtual Substrate and Strained Ge Channel	16th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP 2008	2008年12月01日
383	Ge同位体超格子を用いたGe自己拡散と砒素拡散の同時観測によるGe中の拡散機構の解明	第69回応用物理学会学術講演会	2008年09月
384	μ波プラズマ中の金属の選択加熱現象を利用した多結晶シリコン形成技術	第69回応用物理学会学術講演会	2008年09月
385	Siイオン注入法により作製されたSiGeバッファー層の歪緩和過程	第69回応用物理学会学術講演会	2008年09月
386	非晶質Siの細線加工による固相成長多結晶Si内部の応力分布の制御	第69回応用物理学会学術講演会	2008年09月
387	歪みSi/SiGeヘテロ構造における2次元電子ガスの電気輸送特性の評価	第69回応用物理学会学術講演会	2008年09月
388	シリコン中リン不純物の低磁場磁気共鳴	第69回応用物理学会学術講演会	2008年09月
389	選択的イオン注入により作製したSiGe層における一軸性歪みの観測	第69回応用物理学会学術講演会	2008年09月
390	Si(110)基板上に形成した歪みSi/SiGe構造の歪み解析	第69回応用物理学会学術講演会	2008年09月
391	20pYK-11 シリコン2次元電子系におけるランダウ準位交差と擬スピン非偏極状態の可能性(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2008年08月25日	一般社団法人日本物理学会
392	Observation of high mobility 2DHG with very high hole density in the modulation doped strained Ge quantum well at room temperature	The 13th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-13)	2008年07月
393	Crystalline morphology of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates	4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)	2008年05月
394	Structural and transport properties of strained Ge and SiGe grown on patterned substrates	4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)	2008年05月
395	Strain relaxation mechanism in step-graded SiGe/Si(110) structure grown at 650 – 800 °C	4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)	2008年05月
396	Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high-Ge composition by ion implantation method	4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)	2008年05月
397	Local Control of Strain in SiGe by Ion Implantation Technique	4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)	2008年05月
398	Selective and Rapid Heating Method for Polycrystallization of Amorphous Si Using Microwave Plasma Irradiation	4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2008	2008年05月
399	Strain Relaxation Mechanisms in Compositionally Uniform and Step-Graded SiGe Films Grown on Si(110) Substrates	4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2008	2008年05月
400	Observation of Pronounced Effect of Compressive Strain on Room-Temperature Transport Properties of 2DHG Confined in Ge Quantum Wells	4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2008	2008年05月
401	Development of Thin SiGe Virtual Substrate with High Ge Composition by Ion Implantation Method	4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2008	2008年05月
402	Local Strain Control of SiGe by Selective Ion Implantation Technique	4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2008	2008年05月
403	シリコン中のリン不純物磁気共鳴の電気的検出	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年03月
404	傾斜組成SiGe/Si(110)と均一SiGe/(110)の歪み緩和機構	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年03月
405	アモルファスSiの固相結晶成長に与える酸化膜基板形状の影響	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年03月
406	マイクロ波プラズマ加熱による非晶質シリコンの結晶化における加熱機構	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年03月
407	高移動度p-MOSFETのための表面Ge濃縮層/歪みSiGe層構造の形成	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年03月
408	歪みGeチャネル構造における正孔移動度の正孔密度依存性	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年03月
409	選択成長を利用したV溝基板上へのSiGe細線形成と電気伝導特性	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年03月
410	選択的イオン注入法によるSiGe層の面内歪み制御	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年03月
411	イオン注入法による高Ge組成薄膜緩和SiGe層の開発	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年03月
412	23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)	日本物理学会講演概要集	2008年02月29日	一般社団法人日本物理学会
413	Fabrication of SiGe Virtual Substrates by Ion Implantation Technique	212th ECS Meeting	2007年10月
414	Demonstration of holes in strained Ge quantum wells with much higher drift mobility and density than that of electrons in strained Si channels	Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials	2007年09月19日
415	イオン注入法により作製した薄膜SiGe緩和層上の歪みSi-nMOSFET	第68回応用物理学会学術講演会	2007年09月
416	無損傷中性粒子ビームエッチングを用いたSiGe量子ナノディスク積層構造の作製	第68回応用物理学会学術講演会	2007年09月
417	非晶質シリコンのマイクロ波加熱による結晶化の雰囲気依存性	第68回応用物理学会学術講演会	2007年09月
418	Si/歪みSiGe/Si 構造を用いて形成した酸化膜/半導体の界面状態に与える熱酸化時間の影響	第68回応用物理学会学術講演会	2007年09月
419	Demonstration of SiGe heterostructures with room-temperature 2DHG drift mobility and carrier density exceeding those of 2DEG	第68回応用物理学会学術講演会	2007年09月
420	圧縮歪みGeにおける正孔有効質量の正孔密度依存性に関する計算	第68回応用物理学会学術講演会	2007年09月
421	Si(110)基板上に成長した傾斜組成SiGeのモフォロジーの成長温度依存性	第68回応用物理学会学術講演会	2007年09月
422	TEOS酸化膜の堆積によるsSOI構造の熱的安定性の改善	第68回応用物理学会学術講演会	2007年09月
423	21aTH-6 高移動度シリコン2次元電子におけるランダウ準位交差と電気伝導の巨大異方性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)	日本物理学会講演概要集	2007年08月21日	一般社団法人日本物理学会
424	Hole density and strain dependencies of hole effective mass in compressively strained Ge channel structures	The 13th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-13)	2007年07月
425	Investigations of strain states and improvements of thermal stability in strained-Si-on-Insulator (sSOI) structures	5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi-5)	2007年05月
426	Strained-Si nMOSFET formed on very thin SiGe buffer layer fabricated by ion implantation technique	5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi-5)	2007年05月
427	Characterizations of Polycrystalline SiGe Films on SiO2 Grown by Gas-Source Molecular Beam Deposition	5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi-5)	2007年05月
428	Growth temperature dependence of the defect morphology in SiGe films grown on Si(110) substrates with step-graded buffer being employed	5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi-5)	2007年05月
429	Microstructure difference of Ni induced poly-crystallized SiGe by changing annealing atmosphere, and enhancement of Ni induced poly-crystallization of Si by Ar ion-implantation	5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi-5)	2007年05月
430	Fabrication of high quality SiGe relaxed thin layers by ion implantation technique with Ar, Si and Ge ions	5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi-5)	2007年05月
431	ノンドープSGOI層の電気特性の評価	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
432	歪みGeチャネル/SiGe擬似基板の移動度スペクトル解析	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
433	歪みGeチャネル構造における正孔有効質量の正孔密度依存性	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
434	Si+イオン注入法による高品質SiGeバッファー層の作製	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
435	Si(110)基板への傾斜組成SiGe 層のガスソースMBE成長	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
436	分子線堆積によるSiO2基板上多結晶SiGe薄膜の形成	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
437	SiGe歪み細線構造の構造評価と電気伝導特性	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
438	無損傷中性粒子ビーム加工を用いたSiGe量子ナノディスク積層構造の作製	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
439	マイクロ波加熱による非晶質シリコンの結晶化	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
440	金属誘起固相成長法における雰囲気の影響	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年03月
441	19aRC-1 Si/SiGe量子ホール系における谷分離端状態伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)	日本物理学会講演概要集	2007年02月28日	一般社団法人日本物理学会
442	Thermal stability of strained-SOI (sSQI)	Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest	2006年12月01日
443	Strain and hole-density dependence of hole mobility in strained-Ge modulation-doped structures	Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest	2006年12月01日
444	Enhancement of Hole Mobility and Carrier Density in Ge Quantum Well SiGe Heterostructure via Implementation of Double-Sides Doping	Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest	2006年12月01日
445	The hole density dependence of hole mobility in compressively strained Ge channel modulation-doped structures	2nd International WorkShop on New Group Ⅳ Semiconductor Nanoelectronics	2006年10月
446	Growth temperature dependence of the lattice structures of SiGe films grown on Si(110) substrates by gas source MBE	The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006)	2006年09月
447	Fabrication of Ge channels with extremely high compressive strain and their magnetotransport properties	The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006)	2006年09月
448	26aXL-3 強相関シリコン2次元電子系におけるスクリーニング効果(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2006年08月18日	一般社団法人日本物理学会
449	25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2006年08月18日	一般社団法人日本物理学会
450	厚膜歪みSOI(sSOI)構造の熱的安定性	第67回応用物理学会学術講演会	2006年08月
451	SiGe歪み細線構造の形成	第67回応用物理学会学術講演会	2006年08月
452	Geチャネル構造における散乱要因の歪み依存性	第67回応用物理学会学術講演会	2006年08月
453	Geチャネル構造における正孔有効質量の歪み依存性	第67回応用物理学会学術講演会	2006年08月
454	Spin dependence of edge-channel transport in silicon-based quantum Hall systems	The 4th Int. Conf. on Physics and Application of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV)	2006年08月
455	Ge層を導入した低温ソース・ドレイン領域形成法とそのイオン注入条件の検討	第67回応用物理学会学術講演会	2006年08月
456	The carrier density dependence of hole mobility in strained Ge channel modulation-doped structures	28th International conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-28)	2006年07月
457	Strain and hole-density dependence of hole mobility in strained-Ge modulation-doped structures	3rd International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2006	2006年05月
458	Investigations of Thermal Stability of strained-SOI (sSOI)	3rd International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2006	2006年05月
459	Enhancement of Hole Mobility and Carrier Density in Ge Quantum Well SiGe Heterostructure via Implementation of Double-Sides Doping	3rd International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2006	2006年05月
460	27pXB-6 Si/SiGe量子ホール系におけるエッジチャネル伝導(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))	日本物理学会講演概要集	2006年03月04日	一般社団法人日本物理学会
461	ガスソースMBE法により作製したSiGe/Si(110)における歪み緩和機構の成長温度依存性	第53回応用物理学関係連合講演会	2006年03月
462	走査型トンネル顕微鏡を用いたSiGe-pn接合の評価	第53回応用物理学関係連合講演会	2006年03月
463	SiGe擬似基板の歪み場ゆらぎがその表面洗浄工程に与える影響	第53回応用物理学関係連合講演会	2006年03月
464	Geイオン注入法による超平坦な薄膜SiGe緩和層の作製	第53回応用物理学関係連合講演会	2006年03月
465	ノンドープ緩和SiGeの電気特性の評価	第53回応用物理学関係連合講演会	2006年03月
466	Spin dependence of inter-edge-channel scattering in silicon-based quantum Hall systems	17th Int. Conf. on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (HMF)	2006年
467	Corrigendum to ''Changes in elastic deformation of strained si by microfabrication''. [Materials Science in Semiconductor Processing 8 (2005) 181-185] (DOI:10.1016/j.mssp.2004.09.037)	Materials Science in Semiconductor Processing	2005年12月01日
468	Strain field fluctuation in SiGe buffer layers and its reduction by ion implantation technique	Seventh International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Structures	2005年11月
469	歪みSOI(sSOI)構造の熱的安定性	応用物理学会学術講演会講演予稿集	2005年09月07日
470	Strain relaxation and surface morphology of new type thin SiGe virtual substrates	第66回応用物理学会学術講演会	2005年09月
471	SiGe緩和バッファー層における歪み場の膜厚依存性	第66回応用物理学会学術講演会	2005年09月
472	SiO2/Si1-xGex界面の電気的評価	第66回応用物理学会学術講演会	2005年09月
473	SiO2上に形成した多結晶SiGe-TFTのリーク電流評価	第66回応用物理学会学術講演会	2005年09月
474	歪みGeチャネル構造における正孔移動度の正孔濃度依存性	第66回応用物理学会学術講演会	2005年09月
475	歪みSOI (sSOI) 構造の熱的安定性	第66回応用物理学会学術講演会	2005年09月
476	ラマン分光法によるSi(110)基板上の歪みSi薄膜の歪み率測定	第66回応用物理学会学術講演会	2005年09月
477	Mobility enhancement in strained-Ge modulation-doped structures by planarization of SiGe buffer layers	12th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS12)	2005年07月
478	Transport properties of polycrystalline SiGe thin films grown on SiO<inf>2</inf>	Materials Research Society Symposium Proceedings	2005年06月20日
479	Strain field and related roughness formation in SiGe relaxed buffer layers	Forth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4),	2005年05月
480	Strain field distribution in strained-Si / SiGe virtual substrates and its influence on roughness formation	First International WorkShop on New Group Ⅳ Semiconductor Nanoelectronics	2005年05月
481	Transport Properties of SPC-Poly SiGe Crystallized at 700°C and GSMBE-Poly SiGe Grown at 600°C	Forth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)	2005年05月
482	Determination of Lattice Parameters of Strained-Si/SiGe Heterostructures Grown on Si(110) Substrates	Forth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)	2005年05月
483	Strain Relaxation Mechanism of a SiGe Thin Film Grown on an Ion-Implanted Si substrate	Forth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)	2005年05月
484	Si(110)基板上のSiGe薄膜の結晶構造解析	第52回応用物理学関係連合講演会	2005年03月
485	Si薄膜の紫外光励起ラマン分光法を用いたナノレベル深さ分解能応力評価	第52回応用物理学関係連合講演会	2005年03月
486	Geを用いた新規低温ソースドレイン領域形成法	第52回応用物理学関係連合講演会	2005年03月
487	Changes in elastic deformation of strained Si by microfabrication	Materials Science in Semiconductor Processing	2005年02月01日
488	Observation of Dislocations in strain-relaxed silicon-germanium thin films with flat surfaces grown on ion-implanted silicon substrates	Materials Science in Semiconductor Processing	2004年12月10日
489	Fabrication of p-i-n Si<inf>0.5</inf>Ge<inf>0.5</inf>photodetctors on SiGe-on-Insulator Substrates	2004 1st IEEE International Conference on Group IV Photonics	2004年12月01日
490	Improved photovoltaic cell performance based on Ge islands embedded into the intrinsic layer	Proceedings - Electrochemical Society	2004年12月01日
491	Transport Properties of Polycrystalline SiGe Thin Films Grown on SiO2	Materials Research Society 2004 Fall Meeting	2004年11月
492	Fabrication of p-i-n Si0.5Ge0.5 photodetectors on SiGe-on insulator substrates	Third international Workshop on new group-IV (Si-Ge-C) semiconductors	2004年10月
493	Elastic strain distribution in narrow strained Si channels	Third international Workshop on new group-IV (Si-Ge-C)	2004年10月
494	Fabrication of strained Ge channel structures with extremely high hole mobility	Third international Workshop on new group-IV (Si-Ge-C) semiconductors	2004年10月
495	Strain field fluctuation in strained-Si/SiGe heterostructures	Third international Workshop on new group-IV (Si-Ge-C) semiconductors	2004年10月
496	“Formation of high-quality thin straine-relaxed SiGe buffer layers by ion implantation	Third international Workshop on new group-IV (Si-Ge-C) semiconductors	2004年10月
497	Fabrication of p-i-n Si0.5Ge0.5 Photodetectors on SiGe-on-Insulator Substrates	1st International Conference on Group IV Photonics	2004年09月
498	Si基板上に成長したノンドープ緩和SiGeの電気伝導特性	第65回応用物理学会学術講演会	2004年09月
499	多結晶SiGe薄膜の電気伝導特性評価	第65回応用物理学会学術講演会	2004年09月
500	Observation of strain field fluctuation in SiGe relaxed buffer layers and its influence on overgrown structures	7th China-Japan Symposium on Thin Films	2004年09月
501	歪みGeチャネルヘテロ構造における移動度の歪み依存性	第65回応用物理学会学術講演会	2004年09月
502	歪みGeチャネル変調ドープ構造におけるSiGeバッファー層表面ラフネスの影響	第65回応用物理学会学術講演会	2004年09月
503	Growth of Functional Structures on SiGe-on-Insulator Substrates with High Ge Content	14th International Conference on Crystal Growth	2004年08月
504	Observation of Dislocations in Strain-Relaxed Silicon-Germanium Thin Films with Flat Surfaces Grown on Ion-Implanted Silicon Substrates	European Material Research Society (E-MRS) Meeting	2004年05月
505	Changes in Elastic Deformation of Strained Si by Micro-Fabrication	Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2004	2004年05月
506	High-Quality Thin SiGe Virtual Substrates Formed on Ion-Implanted Si Substrates	Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2004	2004年05月
507	Si(110)基板上のSiGe薄膜の結晶構造解析	第51回応用物理学関係連合講演会	2004年03月
508	共鳴核反応法によるSiGe表面の水素終端状態の定量的評価	第51回応用物理学関係連合講演会	2004年03月
509	イオン注入法によるSiGe緩和バッファー層の歪みゆらぎの低減	第51回応用物理学関係連合講演会	2004年03月
510	太陽電池効率改善におけるGe島状結晶の効果	第51回応用物理学関係連合講演会	2004年03月
511	多結晶Si1-xGex薄膜の形成と電気伝導特性	第51回応用物理学関係連合講演会	2004年03月
512	Observation of Strain Field Fluctuation in SiGe Relaxed Buffer Layers and its Influence on Overgrown Structures	Materials Science in Semiconductor Processing	2004年
513	Improved quantum efficiency of solar cells with Ge dots stacked in multilayer structure	Proceedings of the 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion	2003年12月01日
514	SiGe緩和バッファー層の歪みゆらぎがヘテロ構造に及ぼす影響	第64回応用物理学会学術講演会	2003年08月
515	歪みSi MOSFETにおける電子移動度の素子サイズ依存性	第64回応用物理学会学術講演会	2003年08月
516	積層Geドットを利用した太陽電池のSiスペーサ層厚が量子効率に及ぼす影響	第64回応用物理学会学術講演会	2003年08月
517	歪みSi/Si0.7Ge0.3の酸化による深さ方向組成変化	第64回応用物理学会学術講演会	2003年08月
518	Si基板上に成長したi-SiGeの電気伝導特性	第64回応用物理学会学術講演会	2003年08月
519	イオン注入法による超平坦な薄膜SiGe歪み緩和バッファー層の作製	第64回応用物理学会学術講演会	2003年08月
520	金属誘起固相成長法により作製した多結晶Si1-xGex薄膜デバイスの電気伝導特性	第64回応用物理学会学術講演会	2003年08月
521	酸化によるSi/Si_0.7Ge_0.3の深さ方向組成変化	応用物理学会学術講演会講演予稿集	2003年08月
522	Formation of thin SiGe virtual substrates by ion implantation into Si substrates	First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 2003	2003年01月
523	イオン注入法によるSiGe擬似基板における歪み緩和のドーズ量依存性	第63回応用物理学会学術講演会	2002年09月
524	空間分解ラマン分光法によるSiGe緩和バッファー層の歪み分布測定	第63回応用物理学会学術講演会	2002年09月
525	Planarization of SiGe virtual substrates by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures	MBE XII 2002 Conference	2002年09月
526	Relaxation enhancement of SiGe thin layers by ion implantation into Si substrates	MBE XII 2002 Conference	2002年09月
527	Fabrication of Ultrasmooth SiGe Virtual Substrates by CMP and their Application to Strained Si Modulation-Doped Structures	Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors	2002年06月
528	イオン注入Si基板を用いたSiGe歪み緩和薄膜の作製	第49回応用物理学関係連合講演会	2002年03月
529	CMPにより平坦化されたSiGe擬似基板上の歪みSi変調ドープ構造の作製と評価	第49回応用物理学関係連合講演会	2002年03月
530	Relaxation enhancement of SiGe thin layers by ion implantation into Si substrates	MBE 2002 - 2002 12th International Conference on Molecular Beam Epitaxy	2002年01月01日
531	Fabrication of Ultrasmooth SiGe Virtual Substrates by CMP and their Application to Strained Si Modulation-Doped Structures	MBE 2002 - 2002 12th International Conference on Molecular Beam Epitaxy	2002年01月01日
532	結晶質シリコンの酸化過程に及ぼす応力の効果	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	2002年
533	超平坦歪み緩和SiGeバッファー層の洗浄過程における表面変化	第62回応用物理学会学術講演会	2001年09月
534	Surface Smoothing of SiGe Strain-relaxed Buffer Layers by Chemical Mechanical Polishing	E-MRS Spring Meeting 2001 Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures	2001年06月
535	CMP(Chemical Mechanical Polishing)を用いた歪み緩和SiGeバッファー層の表面平坦化	第48回応用物理学会学術講演会	2001年03月
536	On the origin of drastic enhancement of the no-phonon transition in GaAsP/GaP indirect quantum wells with an ultrathin AlP layer	International Conference on Superlattices, Microstructures, and Microdevices 2000 (ICSMM-2000)	2000年09月
537	AlP電子局在層を有するGaAsP/GaP量子井戸構造におけるポテンシャルゆらぎ	第47回応用物理学会学術講演会	2000年03月

受賞
No.	受賞年月	授与機関	賞名	(対象業績)タイトル
1	2011年03月	応用物理学会シリコンテクノロジー分科会	研究奨励賞	Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures
2	2010年	日本磁気学会	論文賞	高品質Fe3Si/Siからなるショットキートンネル電極を用いたシリコン中のスピン伝導の電気的検出
3	2009年	応用物理学会	JJAP論文奨励賞	Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation

共同研究・競争的資金等の研究課題
No.	提供機関	制度名	課題名等	資金種別	研究期間
1	日本学術振興会	科学研究費助成事業	Ⅳ族半導体量子構造におけるスピンコヒーレンス工学の開拓		2023年04月 - 2028年03月
2	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(A)	フォトニクスとのアナロジーで拓くサーマルフォノンエンジニアリング		2021年04月 - 2026年03月
3	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(C)	(110)面を表面に有する歪みシリコン薄膜の酸化膜／半導体界面準位に関する研究		2021年04月 - 2024年03月
4	日本学術振興会	科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽)	多孔質ガラス表面上のGe量子構造創製と光電子融合素子への応用		2020年07月 - 2023年03月
5	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(S)	ゲルマニウムスピンMOSFETの実証		2019年06月 - 2024年03月
6	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(B)	Development of rare-earth oxide based optical amplifiers and lasers integrated on Si by using magnetic light-matter interactions		2019年04月 - 2022年03月
7	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(A)	フォノン・電子輸送制御したDirac電子超格子の創製とSi系熱電デバイス開発		2019年04月 - 2024年03月
8	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(B)	光暗号通信へ向けたゲルマニウム円偏光LEDの創製		2019年04月 - 2022年03月
9	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(C)	イオン注入法による歪みSi/SiGe/Si(110)構造の欠陥と表面形状の制御		2018年04月 - 2021年03月
10	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(A)	純スピン流伝導の光・電界制御		2016年04月 - 2020年03月
11	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(A)	新ヘテロナノ構造を用いたフォノン・キャリア波動制御に基く高性能Si熱電材料の創製		2016年04月 - 2020年03月
12	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(B)	超高移動度一軸歪みゲルマニウム・チャネルデバイスの開発		2014年04月 - 2017年03月
13	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(B)	ナノドットの一次元コヒーレント結合構造を用いたレアメタルフリー高性能熱電材料開発		2013年04月 - 2017年03月
14	日本学術振興会	科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究	歪みゲルマニウム二次元正孔ガスを用いた量子ドット単正孔デバイス開発		2013年04月 - 2016年03月
15	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(A)	縦型ショットキースピントランジスタの創製		2013年04月 - 2016年03月
16	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(B)	イオン注入による欠陥制御を利用した圧縮歪みシリコンの実現と高正孔移動度素子応用		2012年04月 - 2016年03月
17	日本学術振興会	科学研究費助成事業若手研究(B)	面方位と異方性歪みを同時制御した革新的ゲルマニウムチャネル開発		2010年 - 2011年
18	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(A)	革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発		2009年 - 2012年
19	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(C)	光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/歪GeおよびSiチャネルの界面構造の決定		2009年 - 2011年
20	日本学術振興会	科学研究費助成事業若手研究(B)	シリコンゲルマニウム系ヘテロ構造における選択的歪み制御技術開発		2007年 - 2008年
21		Grant-in-Aid for Scientific Research	Developement of selective strain controlling technology for Si/Ge hetero structures	競争的資金	2007年 - 2008年
22	日本学術振興会	科学研究費助成事業基盤研究(C)	マイクロ波直接加熱による高移動度多結晶シリコン・ゲルマニウム薄膜作製技術の開発		2006年 - 2007年
23	日本学術振興会	科学研究費助成事業	新IV族半導体ヘテロ構造の電気伝導特性とデバイス応用に関する研究		2004年 - 2005年

Works（作品等）
No.	作品名	作品分類	発表年月	発表場所（開催地）
1	科研費-超高移動度一軸歪みゲルマニウム・チャネルデバイスの開発		2014年 - 現在
2	科研費-歪みゲルマニウム二次元正孔ガスを用いた量子ドット単正孔デバイス開発		2013年 - 現在
3	科学研究費補助金-面方位と異方性歪みを同時制御した革新的ゲルマニウムチャネル開発		2010年 - 2010年
4	研究助成-Si/Geへテロ構造の結晶歪み制御と高速デバイス応用		2009年 - 2009年
5	産業技術研究助成事業（若手研究グラント）-次世代半導体Ge チャネルを利用した超低消費電力スピントランジスタの開発		2009年 - 2010年
6	科学研究費-革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発		2009年 - 現在
7	研究助成-選択的イオン注入法による一軸性歪みGeチャネル構造の開発		2008年 - 2009年
8	科研費-シリコンゲルマニウム系へテロ構造における選択的歪み制御技術開発		2007年 - 2008年
9	研究助成-高移動度歪みGeチャネルデバイスの開発と電気伝導特性に関する研究		2007年 - 2008年