野平　博司 (ノヒラ　ヒロシ,NOHIRA Hiroshi)

基本情報	研究分野	研究業績	教育業績	社会貢献業績

書籍等出版物
No.	タイトル	担当区分	出版社	出版年月	担当範囲	ISBN
1	Fundamental Aspects of Silicon Oxidation		Springer-Verlag Berlin Germany (総ページ数260)	2001年
2	Fundamental Aspects of Silicon Oxidation		Springer-Verlag Berlin Germany	2001年

論文
No.	論文タイトル	誌名(出版物名)	巻	号	開始ページ	終了ページ	出版年月	DOI	査読の有無
1	Effects of plasma oxidation and plasma nitridation on chemical bonding state of AlScN evaluated by AR-HAXPES	Japanese Journal of Applied Physics	63	4	04SP66	04SP66	2024年04月01日	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad39251
2	Electrically induced change in HfO<inf>2</inf>/1-monolayer TiO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf>metal-oxide-semiconductor stacks: Capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies	Applied Physics Express	14	7	071005	071005	2021年07月01日	https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac0b081	査読有り
3	SiO₂/SiCに及ぼすプラズマ窒化処理の影響の角度分解X線光電子分光法による解析	SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web)	8	2	251	253	2020年	https://doi.org/10.18957/rr.8.2.2511	査読有り
4	Effect of strain on the binding energy of Ge 2p and 3d core level	Semiconductor Science and Technology	34	1			2019年01月01日	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaf3ee1	査読有り
5	Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures/Scanning Probe Microscopy	Japanese Journal of Applied Physics	58	SI			2019年01月01日	https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab28641	査読有り
6	Study on Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Ge interface formed by ALD directly on epitaxial Ge	Semiconductor Science and Technology	33	12			2018年11月20日	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaec511	査読有り
7	Photoelectron Nano-spectroscopy of Reactive Ion Etching-Induced Damages to the Trench Sidewalls and Bottoms of 4H-SiC Trench-MOSFETs^∗	e-Journal of Surface Science and Nanotechnology	16		257	261	2018年06月09日	https://doi.org/10.1380/ejssnt.2018.2571	査読有り
8	ラジカル窒化処理で形成したSiON/SiC構造の窒素の深さ方向分布の角度分解X線光電子分光法による解明	SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web)	6	1	13	16	2018年	https://doi.org/10.18957/rr.6.1.131	査読有り
9	Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/La<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Ge high-k gate-stacks	Materials Science in Semiconductor Processing	70		260	264	2017年11月01日	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.11.0161	査読有り
10	Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with selective Ar⁺ ion implantation using oil-immersion Raman spectroscopy	Japanese Journal of Applied Physics	56	5			2017年05月	https://doi.org/10.7567/JJAP.56.0513011	査読有り
11	Improving the barrier ability of Ti in Cu through-silicon vias through vacuum annealing	Japanese Journal of Applied Physics	56	4			2017年04月	https://doi.org/10.7567/JJAP.56.04CC081	査読有り
12	Angle-resolved photoelectron spectroscopy studies of initial stage of thermal oxidation on 4H-SiC (0001) on-Axis and 4° off-axis substrates	ECS Transactions	77	6	51	57	2017年	https://doi.org/10.1149/07706.0051ecst1	査読有り
13	La<inf>2</inf>O<inf>3</inf> gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT	Microelectronics Reliability	60		16	19	2016年05月01日	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.02.0041	査読有り
14	Enhanced light emission from germanium microdisks on silicon by surface passivation through thermal oxidation	Applied Physics Express	9	5			2016年05月	https://doi.org/10.7567/APEX.9.0521011	査読有り
15	Angle-resolved photoelectron spectroscopy study of initial stage of thermal oxidation on 4H-SiC(0001)	Japanese Journal of Applied Physics	55	4			2016年04月	https://doi.org/10.7567/JJAP.55.04EB041	査読有り
16	軟X線光電子分光によるSi中にドープされた不純物のクラスター化の熱処理条件および濃度依存性	SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web)	4	1	11	17	2016年	https://doi.org/10.18957/rr.4.1.111	査読有り
17	Effect of atomic-arrangement matching on La<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Ge heterostructures for epitaxial high- k -gate-stacks	Journal of Applied Physics	118	22			2015年12月14日	https://doi.org/10.1063/1.49371471	査読有り
18	Reliable reduction of Fermi-level pinning at atomically matched metal/Ge interfaces by sulfur treatment	Applied Physics Letters	104	17	172109-1 - 172109-4		2014年04月	https://doi.org/10.1063/1.48750161	査読有り
19	Angle-resolved photoelectron spectroscopy studies of initial stage of oxidation on C-face 4H-SiC	ECS Transactions	64	7	245	252	2014年	https://doi.org/10.1149/06407.0245ecst1	査読有り
20	Detection of effect of strain on the valence band structure of SiGe by HXPES with high spatial resolution	ECS Transactions	64	6	431	439	2014年	https://doi.org/10.1149/06406.0431ecst1	査読有り
21	AR-HPES study on chemical bonding states of high-κ/high-μ gate stacks for advanced CMOS	Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena	190	PART B	295	301	2013年10月	https://doi.org/10.1016/j.elspec.2013.06.0101	査読有り
22	Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on interfacial transition layer and oxidation-induced residual stress in Si(100) substrate near the interface	MICROELECTRONIC ENGINEERING	109	-	197	199	2013年09月	https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.0041	査読有り
23	Erratum: Chemical structure of interfacial transition layer formed on Si(100) and its dependence on oxidation temperature, annealing in forming gas, and difference in oxidizing species (Japanese Journal of Applied Physics (2013) 52 031302)	Japanese Journal of Applied Physics	52	6 PART 1	031302-1～031302-14		2013年06月	https://doi.org/10.7567/JJAP.52.0692031	査読有り
24	La2O3/In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor capacitor with low interface state density using TiN/W gate electrode	SOLID-STATE ELECTRONICS	82	-	29	33	2013年04月	https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.01.0131	査読有り
25	Physical and electrical properties of ultra-thin nickel silicide Schottky diodes on Si (100)	15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILMS (ICTF-15)	417				2013年	https://doi.org/10.1088/1742-6596/417/1/0120151	査読有り
26	Interfacial layer formation at ZnO/CdS interface	APPLIED SURFACE SCIENCE	258	20	8090	8093	2012年08月	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.04.1771	査読有り
27	Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films on Si(100)	VACUUM	86	10	1513	1516	2012年04月	https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2012.02.0501	査読有り
28	Estimation of Breakdown Electric-Field Strength While Reflecting Local Structures of SiO2 Gate Dielectrics Using First-Principles Molecular Orbital Calculation Technique	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	51	4			2012年04月	https://doi.org/10.1143/JJAP.51.04DA071	査読有り
29	Angle-Resolved PES Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces	GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 2	50	3	243	250	2012年	https://doi.org/10.1149/05003.0243ecst1	査読無し
30	Locally Induced Stress in Stacked Ultrathin Si wafers: XPS and micro-Raman study	Proceedings of the 62th Electronic Components and Technology Conference (ECTC)			625	629	2012年	https://doi.org/10.1109/ECTC.2012.62488961	査読有り
31	Application of Cr K alpha X-ray photoelectron spectroscopy system to overlayer thickness determination	SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS	43	13	1632	1635	2011年12月	https://doi.org/10.1002/sia.37601	査読有り
32	Capacitance-Voltage Characterization of La2O3 Metal-Oxide-Semiconductor Structures on In0.53Ga0.47As Substrate with Different Surface Treatment Methods	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	50	10	10PD03-1 - 10PD03-4		2011年10月	https://doi.org/10.1143/JJAP.50.10PD031	査読無し
33	Study of High-kappa/In0.53Ga0.47As Interface by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	50	10	10PD02-1 - 10PD02-5		2011年10月	https://doi.org/10.1143/JJAP.50.10PD021	査読無し
34	In diffusion and electronic energy structure in polymer layers on In tin oxide	THIN SOLID FILMS	519	13	4216	4219	2011年04月	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.02.0341	査読有り
35	XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-mu Gate Stacks for Advanced CMOS	ULSI PROCESS INTEGRATION 7	41	7	137	146	2011年	https://doi.org/10.1149/1.36332931	査読無し
36	Thinning Process Induced Surface Defects in Ultra-Thin Si Wafer	Extended Abstract of International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)			50	51	2011年		査読有り
37	Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La2O3/In0.53Ga0.47As and on In0.53Ga0.47As Surface	PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K MATERIALS 9	41	3	265	272	2011年	https://doi.org/10.1149/1.36330431	査読無し
38	Reduction of Accumulation Capacitance in Direct-Contact HfO2/p-Type Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	49	6	060202-1 - 060202-3		2010年06月	https://doi.org/10.1143/JJAP.49.0602021	査読無し
39	Angle-resolved phototelectron study on the structures of silicon nitride films and Si(3)N(4)/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals (vol 104, 114112, 2008)	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	107	6			2010年03月	https://doi.org/10.1063/1.33667051	査読無し
40	SrO capping effect for La2O3/Ce-silicate gate dielectrics.	Microelectronics Reliability	50	3	356	359	2010年03月	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2009.12.0041	査読有り
41	Wafer Thinning, Bonding, and Interconnects Induced Local Strain/Stress in 3D-LSIs with Fine-Pitch High-Density Microbumps and Through-Si Vias	IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Technical Digest			30	34	2010年	https://doi.org/10.1109/IEDM.2010.57032791	査読有り
42	Study on chemical bonding states at high-κ/Si and high-κ/Ge interfaces by XPS	ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings			990	993	2010年	https://doi.org/10.1109/ICSICT.2010.56675111	査読有り
43	Soft X-ray photoelectron spectroscopy study of activation and deactivation of impurities in shallow junctions	ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings			863	866	2010年	https://doi.org/10.1109/ICSICT.2010.56674541	査読有り
44	XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS	DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 4: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING	28	2	129	137	2010年	https://doi.org/10.1149/1.33725701	査読無し
45	Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy	PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K MATERIALS 8	33	3	467	472	2010年	https://doi.org/10.1149/1.34816351	査読無し
46	Hard-X-ray Photoelectron Diffraction from Si(001) Covered by a 0-7-nm-Thick SiO2 Layer	APPLIED PHYSICS EXPRESS	3	5	056701 (3 pages)		2010年	https://doi.org/10.1143/APEX.3.0567011	査読無し
47	Comprehensive x-ray photoelectron spectroscopy study on compositional gradient lanthanum silicate film	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	106	12	pp. 124903-1-124903-6		2009年12月	https://doi.org/10.1063/1.32697051	査読無し
48	Report on the 47th IUVSTA Workshop 'Angle-Resolved XPS: the current status and future prospects for angle-resolved XPS of nano and subnano films'	SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS	41	11	840	857	2009年11月	https://doi.org/10.1002/sia.31051	査読無し
49	Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron	2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor	109		157	160	2009年06月		査読有り
50	Effect of Oxide Charge Trapping on X-ray Photoelectron Spectroscopy of HfO2/SiO2/Si Structures	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	48	4	041201-041206		2009年04月	https://doi.org/10.1143/JJAP.48.0412011	査読無し
51	Impact of Remnant Stress/Strain and Metal Contamination in 3D-LSIs with Through-Si Vias Fabricated by Wafer Thinning and Bonding	IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Technical Digest			361	364	2009年	https://doi.org/10.1109/IEDM.2009.54243481	査読有り
52	Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure	PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K GATE DIELECTRICS 7	25	6	321	326	2009年	https://doi.org/10.1149/1.32066301	査読無し
53	Electrical characterization of MOS memory devices with self-assembled tungsten nano-dots dispersed in silicon nitride	ECS Transactions	18	1	33	37	2009年	https://doi.org/10.1149/1.30964231	査読有り
54	Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-assembled Tungsten Nano-dots Dispersed in Silicon Nitride	Proceedings of the International Semiconductor Technology Conference/China Semiconductor Technology International Conference (ISTC/CSTIC)			85	89	2009年		査読有り
55	Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si3N4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	104	11	114112-1 - 114112-8		2008年12月	https://doi.org/10.1063/1.30024181	査読無し
56	Activated boron and its concentration profiles in heavily doped Si studied by soft x-ray photoelectron spectroscopy and Hall measurements	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	104	9	pp. 093709-1 - 093709-5		2008年11月	https://doi.org/10.1063/1.30140331	査読無し
57	Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack.	Microelectronics Reliability	48	11-12	1769	1771	2008年11月	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2008.09.0041	査読無し
58	Correlation between the dipole moment induced at the Slater transition state and the optical dielectric constant of Si and Al compounds	APPLIED PHYSICS LETTERS	93	19	193503 - 193503-3		2008年11月	https://doi.org/10.1063/1.29881911	査読無し
59	Investigation of the effect of in situ annealing of FePt nanodots under high vacuum on the chemical states of Fe and Pt by x-ray photoelectron spectroscopy	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	104	7	pp. 074316-1 - 074316-5		2008年10月	https://doi.org/10.1063/1.29736651	査読無し
60	Combination of high-resolution RBS and angle-resolved XPS: accurate depth profiling of chemical states	SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS	40	3-4	423	426	2008年03月	https://doi.org/10.1002/sia.26281	査読無し
61	New Analysis of Heavily Doped Boron and Arsenic in Shallow Junctions by X-ray Photoelectron Spectroscopy	ESSDERC 2008: PROCEEDINGS OF THE 38TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE			142	+	2008年		査読有り
62	Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds	PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS/13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE SCIENCE/INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY	100	No. 1	pp. 012011-1-012011-4		2008年	https://doi.org/10.1088/1742-6596/100/1/0120111	査読無し
63	Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer	PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K GATE DIELECTRICS 6	16	5	171	+	2008年	https://doi.org/10.1149/1.29815991	査読無し
64	Electric characteristics of Si3N4 films formed by directly radical nitridation on Si(110) and Si(100) surfaces	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS	46	4B	1895	1898	2007年04月	https://doi.org/10.1143/JJAP.46.18951	査読無し
65	Subnitride and valence band offset at Si3N4/Si interface formed using nitrogen-hydrogen radicals	APPLIED PHYSICS LETTERS	90	12	123114-1 - 123114-3		2007年03月	https://doi.org/10.1063/1.27150371	査読無し
66	Angle-resolved photoelectron spectroscopy on gate insulators.	Microelectronics Reliability	47	1	20	26	2007年01月	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2006.03.0031	査読無し
67	Soft X-ray absorption and emission study of silicon oxynitride/Si(100) interface	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS	46	1-3	L77	L79	2007年01月	https://doi.org/10.1143/jjap.46.l771	査読無し
68	Photoelectron spectroscopy studies of SiO(2)/Si interfaces	PROGRESS IN SURFACE SCIENCE	82	1	3	54	2007年	https://doi.org/10.1016/j.progsurf.2006.10.0011	査読無し
69	Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on ultrathin gate dielectrics	ECS Transactions	11	6	183	194	2007年	https://doi.org/10.1149/1.27783761	査読無し
70	放射光を用いた光電子分光によるゲートスタックの評価	表面科学	Vol. 28,	No. 8	p. 475		2007年		査読無し
71	角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み	表面科学	28	11	620	625	2007年	https://doi.org/10.1380/jsssj.28.6201	査読無し
72	X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constant for Si compounds	APPLIED PHYSICS LETTERS	89	15	pp. 154103-1 – 154103-3		2006年10月	https://doi.org/10.1063/1.23611771	査読無し
73	Interfacial structure of HfON/SiN/Si gate stacks	The 2nd International Workshop on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy					2006年09月		査読無し
74	The dependence of the intermediate nitridation states density at Si3N4/Si interface on surface Si atoms density	Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices			265	270	2006年07月		査読有り
75	Thermal stability of Gd2O3/Si(100) interfacial transition layer	JOURNAL DE PHYSIQUE IV	132	-	273	277	2006年03月	https://doi.org/10.1051/jp4:20061320521	査読無し
76	Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard X-ray photoelectron spectroscopy at Spring-8	International Journal of High Speed Electronics and Systems	16	1	353	364	2006年03月	https://doi.org/10.1142/S01291564060036801	査読有り
77	Valence charges for ultrathin SiO2 films formed on Si(100)	JOURNAL DE PHYSIQUE IV	132	-	83	86	2006年03月	https://doi.org/10.1051/jp4:20061320161	査読無し
78	Effect of deposition temperature on chemical structure of lanthanum oxide/Si interface structure	ECS Transactions	3	2	169	173	2006年	https://doi.org/10.1149/1.23562761	査読無し
79	Characterization of oxide films on 4H-SiC epitaxial (0001) faces by high-energy-resolution photoemission spectroscopy: Comparison between wet and dry oxidation	Journal of Applied Physics	100	5	pp. 053710-1 - 053710-7		2006年	https://doi.org/10.1063/1.23454711	査読無し
80	Hard and soft X-ray excited photoelectron spectroscopy study on high-kappa gate insulators	2006 INTERNATIONAL WORKSHOP ON NANO CMOS, PROCEEDINGS			69	+	2006年		査読有り
81	Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard x-ray photoelectron spectroscopy at SPring-8	FRONTIERS IN ELECTRONICS	41	No. 1	353	+	2006年	https://doi.org/10.1142/S01291564060036801	査読無し
82	Off-angle dependence of characteristics of 4H-SiC-oxide interfaces	Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pts 1 and 2	527-529		1003	1006	2006年	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.10031	査読有り
83	High Quality Si3N4 Gate Dielectric For Sub-100nm ULSI Devices	PROCEEDINGS OF THE 3RD STUDENT-ORGANIZING INTERNATIONAL MINI-CONFERENCE ON INFORMATION ELECTRONICS SYSTEM			143	146	2005年10月		査読有り
84	Development of hard X-ray photoelectron spectroscopy at BL29XU in SPring-8	NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT	547	1	50	55	2005年07月	https://doi.org/10.1016/j.nima.2005.05.0111	査読無し
85	Angle-resolved XPS studies on transition layers at SiO2/Si interfaces	JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA	144	-	457	460	2005年06月	https://doi.org/10.1016/j.elspec.2005.01.2211	査読無し
86	Angle-resolved XPS study on chemical bonds in ultrathin silicon oxynitride films	MICROELECTRONIC ENGINEERING	80	No. 5	98	101	2005年06月	https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.04.0491	査読無し
87	A novel probe of intrinsic electronic structure: hard X-ray photoemission spectroscopy	JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA	144	-	1063	1065	2005年06月	https://doi.org/10.1016/j.elspec.2005.01.0441	査読無し
88	Determination of electron escape depth in ultrathin silicon oxide	APPLIED PHYSICS LETTERS	86	8	081911_1 -081911_3		2005年02月	https://doi.org/10.1063/1.18680661	査読無し
89	Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer	Electrochemical Society Inc., ECS Transactions	Vol. 1	No. 1	87	95	2005年		査読無し
90	HR-XPS Study on Si3N4/Si Interface Structures and its Correlation with Hysteresis in C-V Curves	Electrochemical Society Inc., ECS Transactions	Vol. 1	No. 1	267	276	2005年		査読無し
91	ゲートスタックの誘電率と界面の評価	表面科学	Vol. 26	No. 11	p.704		2005年		査読無し
92	Characterization of oxide films on SiC epitaxial (000-1) faces by angle-resolved photoemission spectroscopy measurements using synchrotron radiation	Materials Science Forum	483-485	-	585	588	2005年	https://doi.org/10.4028/0-87849-963-6.5851	査読無し
93	Nondestructive depth profiling of gate insulators by angle-resolved photoelectron spectroscopy	2005 IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS, PROCEEDINGS			155	160	2005年		査読有り
94	Quality of SiO2 and of SiGe formed by oxidation of Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure using atomic oxygen at 400 degrees C	APPLIED SURFACE SCIENCE	237	1-4	134	138	2004年10月	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.06.0421	査読無し
95	Dependence of SiO2/Si interface structure on low-temperature oxidation process	APPLIED SURFACE SCIENCE	234	1-4	197	201	2004年07月	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.05.0441	査読無し
96	Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La2O3/Si(100) interfacial transition layer	APPLIED SURFACE SCIENCE	234	1-4	493	496	2004年07月	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.05.0321	査読無し
97	X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO2/Si interface structures formed by three kinds of atomic oxygen at 300 degrees C	APPLIED PHYSICS LETTERS	84	19	3756	3758	2004年05月	https://doi.org/10.1063/1.17377931	査読無し
98	Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer	MICROELECTRONIC ENGINEERING	72	1-4	283	287	2004年04月	https://doi.org/10.1016/j.mee.2004.01.0051	査読無し
99	Accurate determination of SiO2 film thickness by x-ray photoelectron spectroscopy	APPLIED PHYSICS LETTERS	83	16	3422	3424	2003年10月	https://doi.org/10.1063/1.16162041	査読無し
100	High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems	APPLIED PHYSICS LETTERS	83	5	1005	1007	2003年08月	https://doi.org/10.1063/1.15957141	査読無し
101	Chemical and electronic structures of Lu2O3/Si interfacial transition layer	APPLIED SURFACE SCIENCE	216	1-4	234	238	2003年06月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00425-21	査読無し
102	Depth profiling of oxynitride film formed on Si(100) by photon energy dependent photoelectron spectroscopy	APPLIED SURFACE SCIENCE	216	1-4	287	290	2003年06月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00389-11	査読無し
103	極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス	103	149	25	29	2003年06月		査読無し
104	Chemical and electronic structure of SiO2/Si interfacial transition layer	APPLIED SURFACE SCIENCE	212	-	547	555	2003年05月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00054-01	査読無し
105	Surface preparation and interfacial stability of high-k dielectrics deposited by atomic layer chemical vapor deposition	MICROELECTRONIC ENGINEERING	65	3	259	272	2003年03月	https://doi.org/10.1016/S0167-9317(02)00898-51	査読無し
106	TOF-SIMS as a rapid diagnostic tool to monitor the growth mode of thin (high k) films	APPLIED SURFACE SCIENCE	203	-	400	403	2003年01月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(02)00688-81	査読無し
107	エネルギー可変X線光電子分光法および硬X線光電子分光法	表面科学	Vol. 24	No. 11	p.715		2003年		査読無し
108	ULSIゲート絶縁膜の高輝度軟X線・硬X線光電子分光	化学工業	Vol. 54	No. 9	698	703	2003年		査読無し
109	Integration issues of polysilicon with high k dielectrics deposited by Atomic Layer Chemical Vapor Deposition	SEMICONDUCTOR SILICON 2002, VOLS 1 AND 2	2002	2	747	760	2002年		査読有り
110	Valence-band offset variation induced by the interface dipole at the SiO2/Si(111) interface	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	64	15	1553251	1553256	2001年10月15日
111	Valence-band offset variation induced by the interface dipole at the SiO2/Si(111) interface	PHYSICAL REVIEW B	64	15	155325-1-155325-6		2001年10月		査読無し
112	Influence of interface structure on oxidation rate of silicon	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS	40	1AB	L68	L70	2001年01月	https://doi.org/10.1143/jjap.40.L681	査読無し
113	Layer-by-layer Oxidation of Silicon		Vol. 2001-17		169	173	2001年		査読無し
114	Valence-band offset variation induced by the interface dipole at the (formula presented) interface	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics	64	15			2001年	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.1553251	査読有り
115	Gate stack preparation with high-k materials in a cluster tool	2001 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, CONFERENCE PROCEEDINGS			395	398	2001年		査読有り
116	X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出	J. Vac. Soc. Jpn.	44	8	715	719	2001年	https://doi.org/10.3131/jvsj.44.7151	査読無し
117	Detection of interface states correlated with SiO2/Si(111) interface structures	APPLIED SURFACE SCIENCE	166	1-4	460	464	2000年10月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00472-41	査読無し
118	Atomic structure of SiO2 at SiO2/Si interfaces	APPLIED SURFACE SCIENCE	166	1-4	455	459	2000年10月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00469-41	査読無し
119	Elastic scattering of Si 2p photoelectrons in ultrathin silicon oxides	APPLIED SURFACE SCIENCE	162	-	304	308	2000年08月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00208-71	査読無し
120	Atomic-scale surface morphology of ultrathin thermal oxide formed on Si(100) surface	APPLIED SURFACE SCIENCE	162	-	62	68	2000年08月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00171-91	査読無し
121	Periodic changes in interface state distribution in accordance with layer-by-layer oxidation on Si(100)	APPLIED SURFACE SCIENCE	159	-	67	71	2000年06月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00052-01	査読無し
122	The initial growth steps of ultrathin gate oxides	MICROELECTRONIC ENGINEERING	48	1-4	17	24	1999年09月	https://doi.org/10.1016/S0167-9317(99)00329-91	査読無し
123	Elastic scattering of Si 2p photoelectrons in silicon oxide	APPLIED SURFACE SCIENCE	144-45	-	297	300	1999年04月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(98)00813-71	査読無し
124	Compositional and structural transition layer studied by the energy loss of O 1s photoelectrons	THIN SOLID FILMS	343	-	401	403	1999年04月	https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)01664-21	査読無し
125	Structural transition layer at SiO2/Si interfaces	PHYSICAL REVIEW B	59	8	5617	5621	1999年02月	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.59.56171	査読無し
126	Energy loss of O1s photoelectrons in compositional and structural transition layer at and near the SiO2/Si interface	Solid State Phenomena	65-66		241	244	1999年	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.65-66.2411	査読有り
127	Energy loss of O1s photoelectrons in compositional and structural transition layer at and near the SiO(2)/Si interface	SOLID STATE PHENOMENA	65-6	-	241	244	1999年		査読無し
128	Initial stage of SiO2 valence band formation	APPLIED SURFACE SCIENCE	123	-	542	545	1998年01月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(97)00567-91	査読無し
129	Valence band edge of ultra-thin silicon oxide near the interface	APPLIED SURFACE SCIENCE	123	-	546	549	1998年01月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(97)00568-01	査読無し
130	SiO2 valence band near the SiO2/Si(111) interface	APPLIED SURFACE SCIENCE	117	-	119	122	1997年06月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(97)80063-31	査読無し
131	Valence band discontinuity at and near the SiO2/Si(111) interface	SCIENCE AND TECHNOLOGY OF SEMICONDUCTOR SURFACE PREPARATION	477		421	425	1997年		査読無し
132	Effect of chemical preoxidation treatment on the structure of SiO2/Si interfaces	APPLIED SURFACE SCIENCE	104	-	359	363	1996年09月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00171-71	査読無し
133	Initial stage of oxidation of hydrogen-terminated silicon surfaces	APPLIED SURFACE SCIENCE	104	-	323	328	1996年09月	https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00165-11	査読無し
134	EFFECT OF PREOXIDE ON THE STRUCTURE OF THERMAL OXIDE	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS	34	1	245	248	1995年01月	https://doi.org/10.1143/JJAP.34.2451	査読無し
135	PREPARATION OF YBBA2CU3O7-X FILMS ON SI(100) SUBSTRATES USING SRTIO3 BUFFER LAYERS	APPLIED PHYSICS LETTERS	61	12	1459	1461	1992年09月	https://doi.org/10.1063/1.1075171	査読無し
136	INITIAL-STAGE OF SIO2 SI INTERFACE FORMATION ON SI(111) SURFACE	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS	31	5B	L638	L641	1992年05月	https://doi.org/10.1143/JJAP.31.L6381	査読無し
137	PREPARATION OF AS-DEPOSITED YB-BA-CU-O SUPERCONDUCTING FILMS BY DC ARC-DISCHARGE EVAPORATION METHOD	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS	29	12	L2466	L2468	1990年12月		査読無し
138	PREPARATION OF YB-BA-CU-O SUPERCONDUCTING FILMS USING AN ARC-DISCHARGE EVAPORATION METHOD	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS	28	5	L816	L818	1989年05月		査読無し

MISC
No.	MISCタイトル	誌名	巻	号	開始ページ	終了ページ	出版年月(日)
1	ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池応用に向けたALD-TiO₂層のXPS評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	69th				2022年
2	ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池応用に向けたALD-TiO₂層の評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	69th				2022年
3	HAXPESによる界面ダイポール変調発生の確認	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	82nd				2021年
4	HAXPESによる界面ダイポール変調機構の解明	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	68th		2279	2279	2021年
5	分極反転させたAlScN膜中の元素の化学結合状態のHAXPES評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	82nd				2021年
6	プラズマ窒化処理が4H-SiC表面の化学結合状態に及ぼす影響	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	67th		3157	3157	2020年
7	AR-XPSを用いたAlScNの化学結合状態の評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	81st		885	885	2020年
8	Interface Dipole Modulation in HfO <inf>2</inf> /SiO <inf>2</inf> MOS Stack Structures	Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM	2018-December		7.6.1	7.6.4	2019年01月16日
9	HfO₂/SiO₂ MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作	電子情報通信学会技術研究報告	118	429(SDM2018 81-90)	27	30	2019年
10	角度分解硬X線光電子分光法によるダイヤモンド半導体表面のsoft-ICPエッチングダメージ評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	66th		1460	1460	2019年
11	バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO₂/SiO₂界面ダイポール変調の評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	80th		3026	3026	2019年
12	角度分解硬X線光電子分光法によるダイヤモンド半導体表面のICPエッチングダメージ評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	80th		1266	1266	2019年
13	AR-XPSによる4H-SiC (0001) on-Axis, 4° Off-Axis基板の初期酸化過程の解明 Ⅱ	応用物理学会学術講演会講演予稿集	2018.2		3430	3430	2018年09月05日
14	溶液処理による結晶Lu-doped La₂O₃/La₂O₃/Ge(111)MIS界面特性改善	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	65th		3082	3082	2018年
15	AR-XPSによる4H-SiC(0001)on-Axis,4°Off-Axis基板の初期酸化過程の解明 II	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	79th				2018年
16	Formation of Mo<inf>2</inf>C electrodes using stacked sputtering process for thermally stable SiC Schottky barrier diodes	17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017			81	82	2017年06月30日
17	エネルギー値高精度較正の為のピークエネルギー値再考—Discussions for highly precise and accurate energy calibration for the peak energies—表面分析研究会第48回研究会講演資料	Journal of surface analysis / 表面分析研究会編	23	3			2017年03月
18	Siキャップ/Ge量子ドット積層構造のXPS評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	78th				2017年
19	エネルギー値高精度較正の為のピークエネルギー値再考	Journal of Surface Analysis	23	3			2017年
20	高空間分解能HXPESによるGe2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	64th				2017年
21	エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl₂O₃層の形成と評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	78th				2017年
22	ARXPSによるsoft-ICPエッチングプロセスがダイヤモンド半導体表面に与える影響	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	78th				2017年
23	XPS測定を用いた積層Mo/C電極とSiCショットキー接合界面の特性評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	77th		ROMBUNNO.14p‐P9‐4		2016年09月01日
24	La_2xA_2(1-x)O₃(A=Lu,Y)/La₂O₃/Ge(111)MIS構造におけるC-V特性の改善	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	63rd				2016年
25	AR-XPSによる4H-SiC(0001)on-Axis,4°Off-Axis基板の初期酸化過程の解明	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	63rd				2016年
26	Zr Lα線源を用いたAESによるSiO₂/Si界面構造の評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	62nd				2015年
27	高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	62nd				2015年
28	AR-XPSによる4H-SiC(0001)の初期酸化過程の解明	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	76th				2015年
29	結晶性La₂O₃/Ge(111)高品質界面のXPS分析	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	76th				2015年
30	ドライ酸化プロセスの制御によるC関連欠陥の減少	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	76th				2015年
31	角度分解X線光電子分光法を用いた4H-SiCの初期酸化過程の解明—Initial stage of oxidation on 4H-SiC using angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy—シリコン材料・デバイス	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報	114	255	35	39	2014年10月
32	硬X線光電子分光を用いた金属/AlGaN/GaNのバンド構造の解析	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	75th		ROMBUNNO.17P-A27-5		2014年09月01日
33	液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	75th				2014年
34	AR-XPSによる4H-SiCの初期酸化過程の解明	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	61st				2014年
35	高空間分解能HXPESによる一軸歪み量の違いがSiGe価電子帯に与える影響の検出	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	75th				2014年
36	角度分解X線光電子分光法を用いた4H-SiCの初期酸化過程の解明	電子情報通信学会技術研究報告	114	255(SDM2014 84-95)			2014年
37	中性粒子ビーム酸化膜を用いた超高速歪みGeチャネルデバイス開発	東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学研究拠点活動報告書	2013				2014年
38	AR-XPSによる4H-SiCの初期酸化過程の解明(II)	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	75th				2014年
39	企画の意図	応用物理	82	5	421		2013年05月10日
40	企画の意図	応用物理	82	4	330		2013年04月10日
41	企画の意図	應用物理	82	3	263		2013年03月10日
42	企画の意図	應用物理	82	2	162		2013年02月10日
43	企画の意図	應用物理	82	1	68		2013年01月10日
44	Detection of oxidationinduced compressive stress in Si(100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution		USB				2013年
45	Niシリサイド/Siショットキー接合界面における偏析不純物の活性化の評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	60th				2013年
46	AR-XPSによる異なる酸化雰囲中のIn_0.53Ga_0.47Asの初期酸化過程の評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	60th				2013年
47	熱処理によるゲート金属(Ti or TiSi₂)/AlGaN界面の化学結合状態変化	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	74th				2013年
48	高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	74th				2013年
49	Si酸化膜正孔トラップ密度のSi面方位依存性	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	74th				2013年
50	HEPESによるFe₃Si/Geヘテロ構造の評価	応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	60th				2013年
51	The XPS Study on Depth Profile of N Atom in Oxynitride Film Formed on 4H-SiC by Radical Nitridation		USB				2013年
52	Detection of Oxidation-Induced Compressive Stress in Si(100) Substrate Near the SiO2/Si Interface by X-Ray Photoelectron Spectroscopy		CD-ROM		111	112	2013年
53	Detection of oxidationinduced compressive stress in Si(100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution		USB				2013年
54	Comparison of Oxide Hole/Electron Trap Densities of ~1 nm-SiO2 Films Formed on Si(100) and Si(111) Substrates		CDROM		41	42	2013年
55	HEPESによるFe₃Si/Geヘテロ構造の化学結合状態評価 II	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	74th				2013年
56	中性粒子ビーム酸化膜を用いた超高速歪みGeチャネルデバイス開発	東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学研究拠点活動報告書	2012				2013年
57	Detection of Oxidation-Induced Compressive Stress in Si(100) Substrate Near the SiO2/Si Interface by X-Ray Photoelectron Spectroscopy		CD-ROM		111	112	2013年
58	Comparison of Oxide Hole/Electron Trap Densities of ~1 nm-SiO2 Films Formed on Si(100) and Si(111) Substrates		CDROM		41	42	2013年
59	The XPS Study on Depth Profile of N Atom in Oxynitride Film Formed on 4H-SiC by Radical Nitridation		USB				2013年
60	XPSによるラジカル窒化処理をしたSiO₂/4H-SiC界面における窒素分布の評価	応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	74th				2013年
61	基礎講座	應用物理	81	12	1040		2012年12月10日
62	角度分解X線光電子分光法によるGeにδドープしたSbの深さ方向分布	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	73rd		ROMBUNNO.13P-PA10-6		2012年08月27日
63	Si‐capによるHfO₂/歪みGe界面のHfジャーマネイト形成の抑制	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	59th		ROMBUNNO.15P-GP1-13		2012年02月29日
64	Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Boron Doped on Top Surfaces and Sidewalls of Si Fin Structures	IWJT 2012 - 2012 12th International Workshop on Junction Technology	2012-January		1	4	2012年01月01日
65	硬X線光電子分光法によるSiO₂/4H-SiC構造の酸化膜中の炭素分布の推定	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	73rd				2012年
66	TiN-capがW/high-k絶縁膜/In_0.53Ga_0.47Asの熱安定性に及ぼす効果	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	73rd				2012年
67	XPS時間依存測定法によるSiO₂/Si界面の電荷トラップ密度の評価	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	73rd				2012年
68	AR-XPS及びHAX-PESによるSiO₂/SiC界面の化学結合状態評価	電子情報通信学会技術研究報告	112	263(SDM2012 89-97)			2012年
69	AR-XPSによる種々の表面処理したIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態の評価	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス	111	249	53	58	2011年10月13日
70	角度分解X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 III	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	58th		ROMBUNNO.27A-KW-4		2011年03月09日
71	Study of High-k/In0.53Ga0.47As Interface by HX-PES		-		89	90	2011年
72	第一原理分子軌道計算を用いた Si (Al) 化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法	応用物理学会薄膜・表面物理分科会並びに応用物理学会シリコンテクノロジー分科会			127	130	2011年
73	第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定	第 16 回ゲートスタック研究会 - 材料・プロセス・評価の物理 -			131	134	2011年
74	角度分解硬X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪みGe/SiGe構造の評価	電子情報通信学会技術研究報告	111	249(SDM2011 97-114)			2011年
75	XPS時間依存測定法によるSiO₂/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	58th				2011年
76	XPS時間依存測定法によるSiO₂/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価	電子情報通信学会技術研究報告	111	114(SDM2011 50-70)			2011年
77	Direct contact of high-k/Si gate stack for EOT below 0.7 nm using LaCe-silicate layer with V<inf>fb</inf> controllability	Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology			69	70	2010年10月19日
78	角度分解X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 II	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	71st		ROMBUNNO.15P-ZA-12		2010年08月30日
79	角度分解X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪Ge/SiGe構造の評価	応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)	57th		ROMBUNNO.18P-P9-10		2010年03月03日
80	Depth profiling of chemical bonding states of impurity atoms and their correlation with electrical activity in Si shallow junctions	IWJT-2010: Extended Abstracts - 2010 International Workshop on Junction Technology	-		174	177	2010年
81	Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価	応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)	71st				2010年
82	第一原理計算を用いたSiO₂/Si界面の誘電率推定	第 15 回ゲートスタック研究会 - 材料・プロセス・評価の物理 -			193	196	2010年
83	Depth profiling of chemical bonding states of impurity atoms and their correlation with electrical activity in Si shallow junctions	IWJT-2010: Extended Abstracts - 2010 International Workshop on Junction Technology	-		174	177	2010年
84	第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定	ゲートスタック研究会ー材料・プロセス・評価の物理ー（第14回研究会）		AP082202	175	178	2009年
85	角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究	電子情報通信学会技術研究報告	108	236(SDM2008 149-168)	69	74	2008年10月02日
86	HfO₂/SiO₂/Si構造で観測されるHf光電子スペクトルのブロードニング	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	55th	2	842		2008年03月27日
87	Annealing-Temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Bonding of HfLaOx /SiO2/Si Layer		Abst & CD-ROM		29	30	2008年
88	HfLaO_x/SiO₂/Siの組成分布に及ぼす熱処理の効果	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	55th	2			2008年
89	First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds	Book of Abstracts 7th Symposium SiO₂ Advanced Dielectrics and Related Devices			51	52	2008年
90	Relationship between the Dipole Moment Induced in Photoemission Process and the Optical Dielectric Constant		Abst & CD-ROM		143	144	2008年
91	Pr-Si-O Gate Stack with an Ultrathin Interfacial Layer Grown by MOCVD and PDA under Low O2 Partial Pressure		Abst & CD-ROM		67	68	2008年
92	Investigation of FePt Nano-Dots Fabricated by Self-Assembled Nano-Dot Deposition Method Using X-ray Photoelectron Spectroscopy	Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials	CDROM		1026	1027	2007年
93	LaO_X/ScO_X/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理温度依存性	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	54th	2			2007年
94	High Resolution Hard X‐ray Photoemission Spectroscopy at SPring‐8: Basic Performance and Characterization	AIP Conference Proceedings	879	Pt.2	1597	1602	2007年
95	プラズマドーピングで形成したp⁺極浅層における活性化ボロン深さ分布	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	54th	2			2007年
96	極薄熱酸化膜を界面層に用いたMOCVD堆積Pr系高誘電率絶縁膜の電気特性評価	応用物理学会学術講演会講演予稿集	68th	2			2007年
97	直接接合HfO₂/Si構造で生じる負のVfbシフト	応用物理学会学術講演会講演予稿集	67th	2	716		2006年08月29日
98	XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス	106	108	119	124	2006年06月14日
99	Electric characteristics of Si3N4 films formed by directly radical nitridation on Si (110) and Si (100) surfaces		J-3-4		386	387	2006年
100	Effect of Post-Deposition Annealing on the Electrical Properties of MOCVD-grown Praseodymium Silicate MIS Diode		-		103	104	2006年
101	Al酸化物・窒化物における相対的ケミカルシフトと誘電率の関係の検証	応用物理学会学術講演会講演予稿集	67th	2			2006年
102	XPSを用いたAu/極薄SiO₂界面のバリアハイトの測定	シリコンテクノロジー		82-2	55	60	2006年
103	硬X線光電子分光法による極薄SiO₂膜の誘電率の推定）	ゲートスタック研究会ー材料・プロセス・評価の物理ー（第11回研究会）		AP062204	91	96	2006年
104	X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interfaces	ICSICT-2006			368	371	2006年
105	28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))	日本物理学会講演概要集	61	0			2006年
106	Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer		CDROM		p. 18		2006年
107	Electric characteristics of Si3N4 films formed by directly radical nitridation on Si (110) and Si (100) surfaces		J-3-4		386	387	2006年
108	Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer		CDROM		p. 18		2006年
109	X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study on Dielectric Properties of AlN and Al2O3 Films		-		25	26	2006年
110	Effect of Post-Deposition Annealing on the Electrical Properties of MOCVD-grown Praseodymium Silicate MIS Diode		-		103	104	2006年
111	X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study on Dielectric Properties of AlN and Al2O3 Films		-		25	26	2006年
112	MOCVD法によるPrシリケートゲート絶縁膜のN₂アニール効果の検討	応用物理学会学術講演会講演予稿集	67th	2			2006年
113	Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy for HfON/SiN/Si System		CDROM				2005年
114	Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy for HfON/SiN/Si System		CDROM				2005年
115	極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス	pp. 540-541	108	49	54	2005年
116	シリコン表面近傍にプラズマドープしたボロン原子の化学結合状態	応用物理学会学術講演会講演予稿集	66th	2			2005年
117	Thermal Stability of GdOx/Si Interfacial Transition Layer		PII-5				2005年
118	Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Gate Insulators		Volume 2005-01		19	32	2005年
119	Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Gate Insulators		Volume 2005-01		19	32	2005年
120	Depth Profile of Various Bonding Configration of Nitrogen Atoms in Silicon Oxynitrides formed by Plasma Nitridation	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス	pp. 540-541	108	49	54	2005年
121	Thermal Stability of GdOx/Si Interfacial Transition Layer		PII-5				2005年
122	LaO_x/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性	応用物理学会学術講演会講演予稿集	65th	2	688		2004年09月
123	Structural and Electrical Properties of Praseodymium Silicate Ultrathin Gate Dielectrics Grown by MOCVD		CDROM		19	20	2004年
124	Influence of Thermal Annealing on Chemical Structure of Lanthanum oxide/Si Interfacial Transition Layer		P5-15, pp.540-541				2004年
125	Angle-resolved XPS Studies on Al2O3/SiON Interface Reaction		CDROM		111	112	2004年
126	Structural and Electrical Properties of Praseodymium Silicate Ultrathin Gate Dielectrics Grown by MOCVD		CDROM		19	20	2004年
127	Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies on Compositional and Structural Transition Layers at SiO2/Si Interfaces		CDROM		43	44	2004年
128	Effect of Post-Deposition Annealing of Composition and Chemical Structures of La2O3 film/Si(100) Interfacial Transition Layers		CDROM		113	114	2004年
129	Angle-resolved XPS Studies on Al2O3/SiON Interface Reaction		CDROM		111	112	2004年
130	Effect of Post-Deposition Annealing of Composition and Chemical Structures of La2O3 film/Si(100) Interfacial Transition Layers		CDROM		113	114	2004年
131	Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies on Compositional and Structural Transition Layers at SiO2/Si Interfaces		CDROM		43	44	2004年
132	Pr-silicate Ultrathin Films for High-k Gate Dielectrics Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition	46th Electronic Materials Conference					2004年
133	13aXC-10 硬 X 線光電子分光の高分解能化・高効率化(吸収分光・MCD・光電子分光, 領域 5)	日本物理学会講演概要集	59	0			2004年
134	Influence of Thermal Annealing on Chemical Structure of Lanthanum oxide/Si Interfacial Transition Layer		P5-15, pp.540-541				2004年
135	Chemical Structures of HfO2/Si Interfacial Transition Layer		D-9-2		818	819	2003年
136	Chemical Structures of HfO2/Si Interfacial Transition Layer		D-9-2		818	819	2003年
137	Energy-dependent x-ray photoelectron spectroscopy and Hard X-ray photoemission spectroscopy	Journal of The Surface Science Society of Japan	Vol. 24	No. 11	p.715		2003年
138	Characterization of ALCVD-Al2O3 and ZrO2 layer using X-ray photoelectron spectroscopy	JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS	303	1	83	87	2002年05月
139	Compositional depth profiling of ultrathin oxynitride/Si interface using XPS	APPLIED SURFACE SCIENCE	190	1-4	39	42	2002年05月
140	Characterization of ALCVD-Al2O3 and ZrO2 layer using X-ray photoelectron spectroscopy	JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS	303	1	83	87	2002年05月
141	Compositional depth profiling of ultrathin oxynitride/Si interface using XPS	APPLIED SURFACE SCIENCE	190	1-4	39	42	2002年05月
142	結晶質シリコンの酸化過程に及ぼす応力の効果	応用物理学関係連合講演会講演予稿集	49th	1			2002年
143	Depth Profiling of High-K Dielectric/Si Interfacial Transition Layer		C-8-2		758	759	2002年
144	Depth Profiling of High-K Dielectric/Si Interfacial Transition Layer		C-8-2		758	759	2002年
145	Chemical and Electronic Structures of LuOx/Si Interfacial Transition Layer		A4-5				2002年
146	Influence of interface structure on oxidation rate of silicon	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS	40	1AB	L68	L70	2001年01月
147	Atomic-Scale Depth Profiling of Oxides/Si(111) and Oxynitrides/Si(100) Interface		B-6-2		224	225	2001年
148	Surface and interface morphologies of ultrathin oxynitrides films formed on Si(100)	Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator, IWGI 2001	7.13		152	155	2001年
149	Physical Characterisation of High-k Gate Stacks Deposited on HF-Last Surfaces		5.2		86	91	2001年
150	Infrared Interface Analysis of High-k Dielectrics Deposited by Atomic Layer Chemical Vapour Deposition		8.4		226	229	2001年
151	Atomic-Scale Depth Profiling of Oxides/Si(111) and Oxynitrides/Si(100) Interface		B-6-2		224	225	2001年
152	Accurate determination of SiO2 film thickness by x-ray photoelectron spectroscopy	J. Vac. Soc. Jpn.	Vol.44	-	715	719	2001年
153	X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出ー酸化膜中の光電子の弾性散乱を考慮した場合ー	極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性（第5回研究会）		AP002201	197	202	2000年
154	SiO₂/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討	極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性（第5回研究会）		AP002201	203	208	2000年
155	XPS時間依存測定法によるラジカル（Kr/O²）酸化膜中電荷トラップの解析	シリコンテクノロジー		21	18	21	2000年
156	Detection of interfaces states correlated with layer-by-layer oxidation on Si(100)	Materials Research Society Symposium - Proceedings	592		33	37	2000年
157	Chemical structures of oxynitride/Si(100) interface	PHYSICS AND CHEMISTRY OF SIO2 AND THE SI-SIO2 INTERFACE - 4	2000	2	181	186	2000年
158	Periodic changes in interface state distribution in accordance with layer-by-layer oxidation on Si(100)	Applied Surface Science	159		67	71	2000年
159	Elastic scattering of Si 2p photoelectrons in silicon oxide	APPLIED SURFACE SCIENCE	144-45		297	300	1999年04月
160	Elastic scattering of Si 2p photoelectrons in silicon oxide	APPLIED SURFACE SCIENCE	144-45		297	300	1999年04月
161	Correlation between Interface States and Structures in Ultrathin SiO2/Si System		pp. 83-93				1999年
162	シリコン酸化膜中のSi 2p光電子の弾性散乱と非弾性散乱	極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性（第４回研究会）		AP992204	271	274	1999年
163	Elastic and Inelastic Scattering of Si 2p photoelectrons in Silicon Oxides		23a-6-4		39	40	1999年
164	シリコン酸化膜中のSi2p光電子の弾性散乱と非弾性散乱	シリコンテクノロジー		9	24	25	1999年
165	SiO₂/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討	シリコンテクノロジー		12	18	19	1999年
166	Structural transition layer at SiO₂/Si interfaces	Physical Review B	59	8	5617	5621	1999年
167	Surface morphology of ultrathin oxide formed on Si(100)	ULTRATHIN SIO2 AND HIGH-K MATERIALS FOR ULSI GATE DIELECTRICS	567		163	167	1999年
168	Accurate Thickness Determination of Ultrathin Silicon Oxide Film by XPS		LP-2				1999年
169	Atomic Structure of SiO2 at SiO2/Si Interface		041		p. 128		1999年
170	Detection of Inteitace States Correlated with SiO2/Si(111)Interface Structures		042		p. 129		1999年
171	Periodic changes in interface state distribution in accordance with layer-by-layer oxidation on Si(100)		A2-6				1999年
172	Accurate Thickness Determination of Ultrathin Silicon Oxide Film by XPS		LP-2				1999年
173	Elastic and Inelastic Scattering of Si 2p photoelectrons in Silicon Oxides		23a-6-4		39	40	1999年
174	Detection of Interfaces States Correlated with Layer-by-Layer Oxidation on Si(100)		p.316 AM T1.7				1999年
175	Atomic-Scale Surface Morphology of Ultrathin Thermal Oxide Formed on Si(100) Surface		WE.B 14.30 O				1999年
176	Atomic Structure of SiO2 at SiO2/Si Interface		041		p. 128		1999年
177	Detection of Inteitace States Correlated with SiO2/Si(111)Interface Structures		042		p. 129		1999年
178	Atomic-Scale Surface Morphology of Ultrathin Thermal Oxide Formed on Si(100) Surface		WE.B 14.30 O				1999年
179	Structural Origin of Carrier Trap Levels at SiO2/Si Interface		pp. 130-131				1998年
180	Valence band edge of ultra-thin silicon oxide		ThP161				1997年
181	Atomic Scale Oxidation Process on Hydrogen-Terminated Silicon Surface		pp. 341-343				1996年
182	Atomic Scale Oxidation Process on Hydrogen-Terminated Silicon Surface		pp. 341-343				1996年
183	Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces		Tu-1510		p. 40		1995年
184	Initial Stage of SiO2/Si Interface Formation on Hydrogen-Terminated Si Surfaces		pp. 497-499				1995年
185	Initial Stage of SiO2/Si Interface Formation on Hydrogen-Terminated Si(111)1×1 Surfaces		F-6		165	166	1995年
186	Effect of Preoxides on Structures of SiO2 and SiO2/Si Interfaces		Tu-P-56		p. 128		1995年
187	Initial Stage of SiO2/Si Interface Formation on Hydrogen-Terminated Si(111)1×1 Surfaces		F-6		165	166	1995年
188	Initial Stage of SiO2/Si Interface Formation on Hydrogen-Terminated Si Surfaces		pp. 497-499				1995年
189	Effect of Chemical Oxide on SiO2/Si(111) Interface Structure		EM-ThP-27		p. 456		1995年
190	Effect of Preoxide on Structure of Oxide and SiO2/Si Interface		EM-ThP-26		p. 456		1995年
191	Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces		-		385	387	1994年
192	Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces	電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス	-	185	385	387	1994年
193	Initial stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surface		B3-1				1993年
194	Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surface		-		603	605	1993年
195	INITIAL-STAGE OF SIO2/SI INTERFACE FORMATION ON HYDROGEN-TERMINATED SILICON SURFACES	SURFACE CHEMICAL CLEANING AND PASSIVATION FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING	315		387	392	1993年
196	Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surface		-		603	605	1993年
197	Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Si (100) and Si (111)		-		89	90	1992年
198	Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Si (100) and Si (111)		-		89	90	1992年
199	Preparation of YbBa2Cu3O7-x Films on Si (100) Substrates Using SrTiO3 Buffer Layers		-		505	507	1991年
200	Epitaxial Growth of YbBa2Cu3O7-x Films on SrTiO3 by Monolayer Stacking in Arc Discharge Evaporation Method		PF05		52	55	1991年
201	Preparation of YbBa2Cu3O7-x Films on Si (100) Substrates Using SrTiO3 Buffer Layers		-		505	507	1991年
202	PREPARATION OF AS-DEPOSITED YB-BA-CU-O SUPERCONDUCTING FILMS BY DC ARC-DISCHARGE EVAPORATION METHOD	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS	29	12	L2466	L2468	1990年12月
203	As-Deposited Yb-Ba-Cu-O Superconducting Films by DC Arc Discharge Evaporation Method		-		585	588	1990年

講演・口頭発表等
No.	講演・口頭発表タイトル	会議名	発表年月日	主催者	開催地
1	Elucidation of the initial oxidation process of 4H-SiC by AR-XPS study	The 61th JSAP Spring Meeting, 2013	2014年
2	The Effect of (NH4)2S Surface Treatment on La2O3/In0.53Ga0.47As Using ALD	19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2014年
3	The XPS Study on Depth Profile of N Atom in Oxynitride Film Formed on 4H-SiC by Radical Nitridation	19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2014年
4	HXPES Study of Fe3 Si/Ge Hetero Structure	19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2014年
5	ラジカル窒化処理したSiO2/4H-SiCの窒素分布のXPSによる評価	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2014年
6	HXPESによるFe3 Si/Geヘテロ構造の評価	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2014年
7	高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2014年
8	Detection of Effect of Uniaxial Strain on the Valence Band of SiGe by HXPES with High Spatial Resolution	19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2014年
9	ALD法を用いたLa2O3/In0.53Ga0.47As構造に及ぼす(NH4)2S表面処理の効果	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１９回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2014年
10	AR-XPS による4H-SiC の初期酸化過程の解明	第61 回応用物理学会春季学術講演会	2014年
11	高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出	2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（同志社大）	2013年
12	AR-XPSによる異なる酸化雰囲中のIn0.53Ga0.47Asの初期酸化過程の評価	第60回応用物理学関係連合講演会	2013年
13	X線光電子分光の原理に基づいた誘電率・絶縁破壊電界の推定モデル	シリコンテクノロジー分科会モデリング研究会第162回研究集会	2013年
14	放射光を用いた光電子分光によるSiO2/SiおよびSiO2/SiC界面構造の評価	日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第１３５回研究会	2013年
15	HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の化学結合状態評価Ⅱ	2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（同志社大）	2013年
16	Niシリサイド／Siショットキー接合界面における偏析不純物の活性化の評価	第60回応用物理学関係連合講演会	2013年
17	HEPESによるFe3 Si/Geヘテロ構造の評価	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2013年
18	XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の評価	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2013年
19	角度分解X線光電子分光法によるGeにδドープしたSbの深さ方向分布の評価	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2013年
20	W/high-k絶縁膜/In0.53Ga0.47Asの熱安定性に及ぼすTiN-capの効果	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2013年
21	第一原理分子軌道計算を用いたゲート絶縁膜の局所的な誘電応答と絶縁破壊電界の関係性の解明	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2013年
22	HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の評価	第60回応用物理学関係連合講演会	2013年
23	SiO2ゲート絶縁膜における静的誘電率の変化：その推定法の精度とMOSFETの出力電流への影響	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１８回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2013年
24	熱処理によるゲート金属（Ti or TiSi2）/AlGaN界面の化学結合状態変化	2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（同志社大）	2013年
25	X線光電子分光法によるラジカル窒化処理をしたSiO2/4H-SiC界面における窒素分布の評価	2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（同志社大）	2013年
26	Si酸化膜正孔トラップ密度のSi面方位依存性	2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会（同志社大）	2013年
27	Study of SiO2/Si and SiO2/SiC Interface Structure by Synchrotron Radiation excited Photoelectron Spectroscopy	145th Committee on Processing and Characterization of Crystals	2013年
28	HEPES study of Fe3Si/Ge heterostructure	The 60th JSAP Spring Meeting, 2013	2013年
29	Initial Stage of Oxidation on In0.53Ga0.47As in Different Oxidative Atmosphere Studied by AR-XPS	The 60th JSAP Spring Meeting, 2013	2013年
30	HEPES Study of Fe3 Si/Ge Hetero Structure	18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2013年
31	Evaluation of electrical activation of impurities segregated at Ni-silicide/Si Schottky junction interface	The 60th JSAP Spring Meeting, 2013	2013年
32	Depth Profile of δ Doped Sb in Ge Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy	18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2013年
33	XPS Time-Dependent Measurement of SiO2/Si Interfaces	18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2013年
34	Elucidation of the Relationship between Local Dielectric Response and Breakdown Electric-Field Strength of Gate Dielectrics Using First-Principles Molecular Orbital Calculation Technique	18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2013年
35	The Effect of TiN-cap on Thermal Stability of W/high-k Dielectrics/In0.53Ga0.47As	18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2013年
36	Variations in Static Dielectric Constants of SiO2 Gate Insulator Films : Accuracy of an Estimation Technique and Influence on Output Currents of MOSFETs	18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2013年
37	Annealing temperature dependence of chemical bonding states of Boron in Si	The 59th Spring Meeting, 2012	2012年
38	Angle-Resolved XPS Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces	The 59th Spring Meeting, 2012	2012年
39	The suppression of hafnium germanate formation by Si-cap layer at HfO2/strained-Ge interface	The 59th Spring Meeting, 2012	2012年
40	AR-XPS Study on Chemical Bounding State of In0.53Ga0.47 Surface treated by Various Surface Treatments	17th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2012年
41	Detection of impurities having various chemical bonding states and their depth profiles in ultra shallow junctions	The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers	2012年
42	Estimation of Breakdown Electric-Field Strength of Defective Silicon Dioxide Gate Dielectrics Using First-Principles Molecular Orbital Calculation Technique	17th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2012年
43	Angle-Resolved XPS Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces	222nd Meeting of The Electrochemical Society ( PRiME 2012), Honolulu, HI, USA	2012年
44	Study on concentration depth profiles of B clusters in ultra-shallow heavily doped region in Si by soft X-ray photoelectron spectroscopy	The 59th Spring Meeting, 2012	2012年
45	AR-XPS and HAX-PES Studies on Chemical bonding states at SiO2/SiC Interfaces	The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers	2012年
46	XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の評価	2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（愛媛大・松山大）	2012年
47	Estimation Method for Static Dielectric Constants of Polymorphic Forms of Silicon Dioxide with a First-principles Calculation System	17th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2012年
48	第一原理計算を用いたSiO2多形の静的誘電率推定	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１７回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2012年
49	XPS とXAFS を用いたZnO/CdS 界面の化学結合状態評価	第59回応用物理学関係連合講演会	2012年
50	TiN-capがW/high-k絶縁膜/In0.53Ga0.47Asの熱安定性に及ぼす効果	2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（愛媛大・松山大）	2012年
51	軟X 線光電子分光法を用いたSi 中B の化学結合状態の熱処理温度依存性	第59回応用物理学関係連合講演会	2012年
52	In0.53Ga0.47As 表面の初期酸化過程のAR-XPS による評価	第59回応用物理学関係連合講演会	2012年
53	Si-cap によるHfO2/ 歪みGe 界面のHf ジャーマネイト形成の抑制	第59回応用物理学関係連合講演会	2012年
54	Ce 酸化物/Si(100) 界面におけるCe の価数とCe シリケート	第59回応用物理学関係連合講演会	2012年
55	軟X線光電子分光法によるSi中の極浅高濃度Bドープ層におけるクラスター濃度分布解析	第59回応用物理学関係連合講演会	2012年
56	Angle-Resolved XPS Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces	222nd Meeting of The Electrochemical Society ( PRiME 2012), Honolulu, HI, USA	2012年
57	硬X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiC構造の酸化膜中の炭素分布の推定	2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（愛媛大・松山大）	2012年
58	AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価	電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス	2012年
59	種々の表面処理によるIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の角度分解光電子分光法による評価	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１７回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2012年
60	角度分解X線光電子分光法によるGeにδドープしたSbの深さ方向分布	2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（愛媛大・松山大）	2012年
61	SiO2/SiC 界面構造の角度分解光電子分光法による評価	第59回応用物理学関係連合講演会	2012年
62	極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価	電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス	2012年
63	第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO2の絶縁破壊電界の推定	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１７回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2012年
64	Chemical Bonding States Analysis at ZnO/CdS Interfaces by XPS and XAFS	The 59th Spring Meeting, 2012	2012年
65	Initial Stage of Oxidation on In0.53Ga0.47As Surface Studied by AR-XPS	The 59th Spring Meeting, 2012	2012年
66	Valence number of Ce and Ce silicate at cerium oxide/Si(100) interface	The 59th Spring Meeting, 2012	2012年
67	第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１６回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2011年
68	(Invited) XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-µ Gate Stacks for Advanced CMOS	220th Meeting of The Electrochemical Society, Boston, MA, USA	2011年
69	軟X線光電子分光法を用いたFin構造中の不純物化学結合状態分析	2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（山形大）	2011年
70	第一原理計算を用いた Si 化合物の静的誘電率推定	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１６回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2011年
71	角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価	応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１６回研究会） (旧「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)	2011年
72	XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価	応用物理学会シリコンテクノロジー分科会137回研究集会（共催：電子情報通信学会SDM研究会）	2011年
73	[招待講演] 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価	電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス	2011年
74	AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価	電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス	2011年
75	Si中にドープされたAsの軟X線光電子分光による化学結合状態の検出とその深さ方向分布	2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（山形大）	2011年
76	Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La2O3/In0.53Ga0.47As and on In0.53Ga0.47As Surface	220th Meeting of The Electrochemical Society, Boston, MA, USA	2011年
77	第一原理分子軌道計算を用いた SiO2 の局所構造を反映した絶縁破壊電界の推定	2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（山形大）	2011年
78	AR-XPSによる(NH4)2S処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価	2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（山形大）	2011年
79	第一原理計算を用いた SiO2/Si 界面近傍中間酸化物の静的誘電率推定	2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（山形大）	2011年
80	Dependence of carrier traps at SiO2/Si interfaces on Si surface orientation studied by XPS time-dependent measurement	Silicon Technology	2011年
81	Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La2O3/In0.53Ga0.47As and on In0.53Ga0.47As Surface	220th Meeting of The Electrochemical Society, Boston, MA, USA	2011年
82	(Invited) XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-µ Gate Stacks for Advanced CMOS	220th Meeting of The Electrochemical Society, Boston, MA, USA	2011年
83	AR-XPS Study on Chemical Bonding State of In0.53Ga0.47As Surface treated by Various Surface Treatments	The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers	2011年
84	Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectroscopy	The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers	2011年
85	Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectroscopy	16th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2011年
86	The Estimation of Local Breakdown Voltage of Si•Al Compounds Using First-principles Molecular Orbitals Calculation	16th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2011年
87	Estimation Method for Permittivity due to Electronic and Lattice Polarization by using First-principles Calculation	16th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization	2011年
88	Influence of Post Deposition Annealing on Compositional Depth Profile and Chemical Structures of SrO/La2O3/CeO2/Si(100)	15th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterizations -	2010年
89	XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS	217th Meeting of The Electrochemical Society, Vancouver, Canada	2010年
90	Study on chemical bonding states of As and P in Si detected by X-ray photoelectron spectroscopy	The 57th Spring Meeting, 2010	2010年
91	Study of HfO2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy	218th Meeting of The Electrochemical Society, Las Vegas, NV, USA	2010年
92	Dielectric Constant Estimation for SiO2/Si Interface Based on the First-principles Calculation	15th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterizations -	2010年
93	Study on Chemical Bonding States at high-κ/Si and high-κ/Ge Interfaces by XPS		2010年
94	Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Activation and Deactivation of Impurities in Shallow Junctions		2010年
95	Siエピタキシャル層にドープされたボロンの軟X線光電子分光	2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（長崎大）	2010年
96	Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価	2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（長崎大）	2010年
97	実験室硬X線光電子分光装置の開発とその半導体への応用	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年
98	XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS	217th Meeting of The Electrochemical Society, Vancouver, Canada	2010年
99	HfO2/La2O3/In0.53Ga0.47As構造の熱安定性	2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（長崎大）	2010年
100	SiO2/Si 界面の誘電率のSi面方位依存性についての考察	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年
101	SrO/La2O3/CeO2/Si(100) 構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響	応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第15回研究会)	2010年
102	角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年
103	格子分極起因の誘電率推定法についての考察	2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（長崎大）	2010年
104	第一原理計算を用いたSiO2/Si 界面の誘電率推定	応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第15回研究会)	2010年
105	第一原理分子軌道計算を用いたSi・Al化合物の絶縁破壊電界の推定	2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（長崎大）	2010年
106	光電子分光により検出したSi中のAsおよびPの化学結合状態の評価	第57回応用物理学関係連合講演会	2010年
107	Study of HfO2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy	218th Meeting of The Electrochemical Society, Las Vegas, NV, USA	2010年
108	角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 II	2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（長崎大）	2010年
109	A study of the orientation dependence of dielectric constant at SiO2/Si interfaces	The 57th Spring Meeting, 2010	2010年
110	Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectro	The 57th Spring Meeting, 2010	2010年
111	Development of Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy System and Applications to Semiconductors	The 57th Spring Meeting, 2010	2010年
112	角度分解光電子分光法によるシリコン窒化膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究	応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第14回研究会)	2009年
113	第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定	応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第14回研究会)	2009年
114	第一原理計算を用いたSiO2/Si 界面の誘電率推定	第70回応用物理学会学術講演会	2009年
115	軟Ｘ線光電子分光法によるゲートスタック構造の評価	SPring-8講習会「高輝度放射光を利用した光電子分光技術」	2009年
116	光電子分光によるSi中Asの化学結合状態評価	第56回応用物理学関係連合講演会	2009年
117	Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure	216th Meeting of The Electrochemical Society, Vienna, Austria	2009年
118	第一原理計算を用いたSiO2多形間の誘電率の違いについての検討	第56回応用物理学関係連合講演会	2009年
119	光電子分光により検出したSi中のSbの化学結合状態の評価	第70回応用物理学会学術講演会	2009年
120	第一原理計算によるSi中のAsドーパントのXPS解析	第70回応用物理学会学術講演会	2009年
121	CeO2/La2O3/Si(100)構造の熱安定性 (2)	第56回応用物理学関係連合講演会	2009年
122	CeO2/La2O3/Si(100)構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響	応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第14回研究会)	2009年
123	Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure	216th Meeting of The Electrochemical Society, Vienna, Austria	2009年
124	SrO/La2O3/CeO2/Si(100)構造の熱安定性	第70回応用物理学会学術講演会	2009年
125	光電子分光によるSi中Asの活性化状態の深さ方向分布評価	第69回応用物理学会学術講演会	2008年
126	第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定	第69回応用物理学会学術講演会	2008年
127	CeO2/La2O3/Si(100)構造の熱安定性	第69回応用物理学会学術講演会	2008年
128	LaOx/ScOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理温度依存性	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第13回研究会）	2008年
129	Pr-silicate極薄膜界面化学結合状態に及ぼす低酸素分圧アニールの影響	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第13回研究会）	2008年
130	HfO2/SiO2/Si構造で観測されるHf光電子スペクトルのブロードニング	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年
131	角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究	電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス	2008年
132	Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer	214th Meeting of The Electrochemical Society, Honolulu, Hawaii, USA	2008年
133	Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy	The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers	2008年
134	HfLaOx/SiO2/Si(100)からの光電子の結合エネルギーの熱処理依存性	第69回応用物理学会学術講演会	2008年
135	HfLaOx/SiO2/Siの組成分布に及ぼす熱処理の効果	第55回応用物理学関係連合講演会	2008年
136	Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer	214th Meeting of The Electrochemical Society, Honolulu, Hawaii, USA	2008年
137	角度分解光電子分光法の新しい試み	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年
138	Siのラジカル窒化により形成したSi3N4/Si界面におけるサブナイトライドと価電子帯オフセット	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年
139	LaOx/ScOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理温度依存性	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年
140	極薄熱酸化膜を界面層に用いたMOCVD堆積Pr系高誘電率絶縁膜の電気特性評価	第68回応用物理学会学術講演会予稿集	2007年
141	MOCVD法により作製したPrシリケート極薄膜の化学結合状態のアニール処理依存性	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第12回研究会）	2007年
142	プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造	電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス	2007年
143	Study on subnitride and valence band offset at Si3N4 / Si interface formed using nitrogen radicals	The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers	2007年
144	Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Ultrathin Gate Dielectrics	212th Meeting of The Electrochemical Society, Washington, USA,	2007年
145	Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Ultrathin Gate Dielectrics	212th Meeting of The Electrochemical Society, Washington, USA,	2007年
146	XPSによるFePtナノドットの評価	第68回応用物理学会学術講演会予稿集	2007年
147	プラズマドーピングで形成したp+極浅層における活性化ボロン深さ分布	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年
148	極浅高濃度ボロンドーピング層における正孔移動度深さ分布	第68回応用物理学会学術講演会予稿集	2007年
149	MOCVD法により作製したPrシリケート極薄膜の化学結合状態のアニール処理依存性	第54回応用物理学関係連合講演会	2007年
150	Si(100),(110)面上の極薄Si3N4-Si界面構造とその電気的特性	電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス	2006年
151	X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interfaces		2006年
152	LaOX/Si 界面組成遷移層の熱安定性	第53回応用物理学関係連合講演会予稿集	2006年
153	硬X線光電子分光による極薄SiO2膜の誘電率の推定	ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-	2006年
154	直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性	電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス	2006年
155	XPSによるAu/極薄SiO2界面のバリアハイトについての検討	第53回応用物理学関係連合講演会予稿集	2006年
156	NH*による直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性	ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-	2006年
157	Effect of Deposition Temperature on Chemical Structure of Lanthanum Oxide/Si Interface Structure	Symposium on Advanced Gate Stack, Source/Drain and Channel Engineering for Si-Based CMOS 2: New Materials, Processes, and Equipment, 210th Meeting, The Electrochemical Society, Cancun, Mexico	2006年
158	SiO2/HfO2/SiO2積層トンネル膜を用いたスタック型二重フローティングゲートメモリ	第53回応用物理学関係連合講演会予稿集	2006年
159	硬X 線光電子分光法によるゲートスタック構造のSiOx の誘電率の推定	第53回応用物理学関係連合講演会予稿集	2006年
160	プラズマ窒化により形成したSi/Si3N4界面のSi 2p3/2 XPSスペクトルの第一原理計算	第53回応用物理学関係連合講演会予稿集	2006年
161	MOCVD法によるPrシリケートゲート絶縁膜のN2アニール効果の検討	第67回応用物理学会学術講演会予稿集	2006年
162	Al酸化物・窒化物における相対的ケミカルシフトと誘電率の関係の検証	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2006年
163	XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定	電子情報通信学会技術研究会報告シリコン材料・デバイス	2006年
164	直接接合HfO2/Si構造で生じる負のVfbシフト	第67回応用物理学会学術講演会予稿集	2006年
165	プラズマドープしたボロンの化学結合形態とその深さ方向分布のSpike RTA による変化	第67回応用物理学会学術講演会予稿集	2006年
166	角度分解光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/Si界面の評価	SPring-8 ナノテクノロジー総合支援プロジェクト第2回成果発表会	2006年
167	XPS studies on barrier height at Au/ultra-thin SiO2 interface	The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers	2006年
168	Effect of Deposition Temperature on Chemical Structure of Lanthanum Oxide/Si Interface Structure	Symposium on Advanced Gate Stack, Source/Drain and Channel Engineering for Si-Based CMOS 2: New Materials, Processes, and Equipment, 210th Meeting, The Electrochemical Society, Cancun, Mexico	2006年
169	The dependence of the intermediate nitridation states density at Si3N4/Si interface on surface Si atoms density	The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers	2006年
170	Nondestructive Depth Profiling of Gate Insulators by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy		2005年
171	シリコン表面近傍にプラズマドープしたボロン原子の化学結合状態	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2005年
172	LaOX/YOX/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性 Ⅱ	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2005年
173	硬X線電子分光による極薄SiO2膜の電子状態の検討	第52回応用物理学関係連合講演会予稿集	2005年
174	軟X 線光電子分光によるラジカル酸化膜/Si界面遷移層構造の面方位依存性についての検討	第52回応用物理学関係連合講演会予稿集	2005年
175	角度分解X線光電子分光法によるPrシリケート/Si(100)界面近傍の深さ方向化学結合状態分析	第52回応用物理学関係連合講演会予稿集	2005年
176	HR-XPS Study on Si3N4/Si Interface Structures and its Correlation with Hysteresis in C-V Curves	208th Meeting of The Electrochemical Society, The Westin Bonaventure Hotel and Suites, Los Angeles, CA, USA, 2005.	2005年
177	ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ	ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第10回研究会)	2005年
178	Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer	208th Meeting of The Electrochemical Society, The Westin Bonaventure Hotel and Suites, Los Angeles, CA, USA, 2005	2005年
179	LaOX/YOX/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性	第52回応用物理学関係連合講演会予稿集	2005年
180	様々な傾斜角を有するSiC基板上の酸化膜の評価	第52回応用物理学関係連合講演会予稿集	2005年
181	軟X線光電子分光によるSiO2/Si(100)界面遷移構造の検出(Ⅱ)	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2005年
182	high-k膜のXPSによる評価	電気学会主催電気材料研究会	2005年
183	極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布	応用物理学会シリコンテクノロジー分科会/電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会共催第70回研究集会	2005年
184	硬X線光電子分光による極薄SiO2膜の電子状態の検討	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2005年
185	HRBS測定に基づく角度分解XPS解析による高誘電率膜／シリコン界面構造の原子スケール深さ方向分析	文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト「分子・物質総合合成・解析支援グループ」成果発表会「分子・物質に視点をおいたナノテクノロジー・ナノサイエンスIII」における発表および討論	2005年
186	高誘電率ゲート絶縁膜/Si(100)界面遷移層の熱安定性	シンポジウム「来るべきナノCMOS 時代に向けての挑戦とその課題」（於早稲田大学）	2005年
187	H*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度	応用物理学会シリコンテクノロジー分科会/電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会共催第70回研究集会	2005年
188	X線光電子分光法によるAl2O3/OI-SiN/Si(100)構造の元素組成とバンドオフセットの決定	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2005年
189	極薄シリコン酸窒化膜中の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布 (Ⅱ)	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2005年
190	極薄シリコン酸窒化膜中の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布	第52回応用物理学関係連合講演会予稿集	2005年
191	XPS時間依存測定法による金蒸着SiO2薄膜の電荷捕獲現象の検討	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2005年
192	OI-SiN膜上へのAl2O3の堆積により生じる化学反応の角度分解光電子分光法による検出	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2005年
193	低オフ角C面SiC基板上の酸化膜の評価	第66回応用物理学会学術講演会予稿集	2005年
194	プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光	ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第10回研究会)	2005年
195	LaOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性	ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第10回研究会)	2005年
196	HR-XPS Study on Si3N4/Si Interface Structures and its Correlation with Hysteresis in C-V Curves	208th Meeting of The Electrochemical Society, The Westin Bonaventure Hotel and Suites, Los Angeles, CA, USA, 2005.	2005年
197	Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer	208th Meeting of The Electrochemical Society, The Westin Bonaventure Hotel and Suites, Los Angeles, CA, USA, 2005	2005年
198	Si(100)面上に形成したガドリニウム酸化膜の組成・化学結合状態の深さ方向分析	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会	2004年
199	MOCVD法によるPrシリケート膜の作製及び特性評価	第51回応用物理学関係連合講演会	2004年
200	LaOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性	第65回応用物理学会学術講演会	2004年
201	活性酸素原子により300℃で形成した高品質シリコン酸化膜の光電子分光法による評価(Ⅲ)	第51回応用物理学関係連合講演会予稿集	2004年
202	硬X線角度分解光電子分光法と高分解能ラザフォード後方散乱法によるHfO2/Si(100)の化学結合状態の深さ方向分析	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会	2004年
203	Si(100)面上に形成したランタンシリケート膜の組成・化学結合状態の深さ方向分析	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会	2004年
204	ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ	電子情報通信学会技術研究報告 SDM2004-173～179 信学技報	2004年
205	Determination of electron escape depth in ultrathin silicon oxide formed on Si(100)	Abstract of the 15th Symposium of the Materials Research Society of Japan	2004年
206	GdOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の深さ方向分布の熱処理依存性	第65回応用物理学会学術講演会	2004年
207	プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のＸ線光電子分光	第65回応用物理学会学術講演会	2004年
208	軟X線光電子分光によるSiO2/Si(100)界面遷移構造の検出	第65回応用物理学会学術講演会	2004年
209	ラジカル酸化および熱酸化法によりSi(111)面上に形成した構造遷移層中の電子の脱出深さ	第65回応用物理学会学術講演会	2004年
210	高エネルギーXPSおよび高分解能RBSによるHfO2/Si界面の化学状態分析	第1７回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム	2004年
211	歪みSi/Si0.7Ge0.3の酸化による深さ方向組成変化	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会	2004年
212	プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光	電子情報通信学会技術研究報告 SDM2004-173～179 信学技報	2004年
213	原子状酸素により300℃で形成したSiO2/Si界面構造	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会	2004年
214	MOCVD法によるPrシリケート膜の作製と特性評価	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第９回研究会	2004年
215	材料科学のための高エネルギー高分解能XPS	第1７回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム	2004年
216	Al2O3/SiON界面反応のX線光電子分光法による検出	第51回応用物理学関係連合講演会	2004年
217	シンクロトロン放射光を用いた角度分解光電子分光法によるSiC(0001_)エピ面上酸化膜の評価	第51回応用物理学関係連合講演会予稿集	2004年
218	Determination of electron escape depth in ultrathin silicon oxide formed on Si(100)	Abstract of the 15th Symposium of the Materials Research Society of Japan	2004年
219	高輝度放射光励起光電子分光法によるSiO2/Si界面構造の酸化プロセス依存性の検出	第50回応用物理学関係連合講演会	2003年
220	Atomic-scale Depth Profile of Composition, Chemical Structure and Electronic Band Structure of La2O3/Si(100) System	Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain	2003年
221	Oxidation of ultrathin strained Si layer formed on Si0.7Ge0.3 layer	Abstract of 7th Int Conf.on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Nara, Japan	2003年
222	Oxidation Process Dependence of SiO2/Si Interface Structure observed by Synchrotron Radiation High Energy Soft X-ray Photoemission Spectroscopy	Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain	2003年
223	極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造	応用物理学会分科会シリコンテクノロジー	2003年
224	LaOx極薄膜の深さ方向組成・化学結合状態分析	第50回応用物理学関係連合講演会	2003年
225	X線光電子分光法による極薄ゲート絶縁膜／シリコン界面の評価	第４回関西半導体解析技術研究会	2003年
226	Study of HfO2 Gate Dielectrics by Combination of High Resolution Synchrotron Radiation Hard X-Ray ESCA and Meadium Energy Rutherford Backscattering	Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain	2003年
227	LaOx極薄膜の組成・化学結合状態の深さ方向分析(Ⅱ)	第64回応用物理学会学術講演会	2003年
228	高輝度放射光励起光電子分光法によるSiO2/Si界面構造の酸化プロセス依存性の検出(Ⅱ)	第64回応用物理学会学術講演会	2003年
229	SPring-8, 分光エリプソメトリ, C-V法による4H及び6H-SiC上酸化膜の評価	第64回応用物理学会学術講演会	2003年
230	HRBSとHXPSによるHfO2膜の深さ方向組成・化学結合状態分析	第64回応用物理学会学術講演会	2003年
231	酸化による歪みSi/Si0.7Ge0.3の深さ方向組成変化	第64回応用物理学会学術講演会	2003年
232	フォトンエネルギー可変光電子分光法による酸窒化膜の深さ方向分析	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第８回研究会	2003年
233	希土類酸化物極薄膜中のシリケートとシリサイド	第50回応用物理学関係連合講演会	2003年
234	極薄歪みSi層/Si0.7Ge0.3界面近傍の酸化過程	第50回応用物理学関係連合講演会	2003年
235	極薄ゲート絶縁膜の組成、化学結合状態および電子状態	文部科学省特定領域研究（A）「超機能グローバルインテグレーション研究」研究会(於東工大)	2003年
236	ＸＰＳにより何が解明されたか？－ゲート絶縁膜／シリコン界面遷移層の場合－	応用物理学会分科会シリコンテクノロジー	2003年
237	LuOx極薄膜中のシリケート	第50回応用物理学関係連合講演会	2003年
238	LuOx/Si(100)界面遷移層の化学結合状態と電子帯構造	応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第８回研究会	2003年
239	Study of HfO2 Gate Dielectrics by Combination of High Resolution Synchrotron Radiation Hard X-Ray ESCA and Meadium Energy Rutherford Backscattering	Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain	2003年
240	Oxidation of ultrathin strained Si layer formed on Si0.7Ge0.3 layer	Abstract of 7th Int Conf.on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Nara, Japan	2003年
241	Oxidation Process Dependence of SiO2/Si Interface Structure observed by Synchrotron Radiation High Energy Soft X-ray Photoemission Spectroscopy	Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain	2003年
242	Atomic-scale Depth Profile of Composition, Chemical Structure and Electronic Band Structure of La2O3/Si(100) System	Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain	2003年
243	Chemical and Electronic Structures of Lu2O3/Si Interfacial Transition Layer	4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan	2002年
244	SiO2/Si(100)界面層の高エネルギー放射光励起Si 1s光電子スペクトル	第63回応用物理学会学術講演会	2002年
245	Depth Profiling of Oxynitride/Si(100) Interface using Synchrotron Radiation	4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan	2002年
246	酸窒化膜／シリコン界面近傍における各種の結合形態の深さ方向分析	第49回応用物理学関係連合講演会	2002年
247	Si 2p光電子スペクトルに及ぼすSi内のバンド間直接遷移の影響	第49回応用物理学関係連合講演会	2002年
248	Si(100)面上に形成した極薄シリコン酸窒化膜の表面形態および界面形態	薄膜・表面物理分科会／シリコンテクノロジー分科会共催特別研究報告極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 (熱川ハイツ)	2002年
249	Atomic-Scale Depth Profiling of Oxynitride/Si(100) Interface	International Semiconductor Technology Conference ISTC 2002 Meeting, Tokyo, Japan	2002年
250	HfO2/Si(100)界面遷移層の高エネルギー放射光励起角度分解Si 1sスペクトル	第63回応用物理学会学術講演会	2002年
251	GdOxおよびLuOxの極薄膜の角度分解X線光電子分光分析	第49回応用物理学関係連合講演会	2002年
252	GdOx/Si(100)およびLuOx/Si(100)界面遷移層の角度分解X線光電子分光分析	第63回応用物理学会学術講演会	2002年
253	放射光のフォトン・エネルギーを変化させて求めた酸窒化膜の深さ方向組成分布	第63回応用物理学会学術講演会	2002年
254	Study High Resolution - High Energy X-ray Photoemission Spectroscopy by Synchrotron Radiation for Si- Insulator Interface Study	4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan	2002年
255	Depth Profiling of Oxynitride/Si(100) Interface using Synchrotron Radiation	4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan	2002年
256	Chemical and Electronic Structures of Lu2O3/Si Interfacial Transition Layer	4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan	2002年
257	Study High Resolution - High Energy X-ray Photoemission Spectroscopy by Synchrotron Radiation for Si- Insulator Interface Study	4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan	2002年
258	Atomic-Scale Depth Profiling of Oxynitride/Si(100) Interface	International Semiconductor Technology Conference ISTC 2002 Meeting, Tokyo, Japan	2002年
259	Layer-by-layer Oxidation of Silicon	Intern. Conf. on Semiconductor Technology	2001年
260	Compositional Depth Profiling of Ultrathin Oxinitride/Si Interface using XPS	8th Int Conf on Formation of Semiconductor Interfaces	2001年
261	Detection of Interface States Correlated with Interface Structure	8th Int Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces	2001年
262	Characterization of ALCVD-Al2O3 and ZrO2 Layer using X-Ray Photoelectron Spectroscopy	European Materials Research Society Spring Meeting, Strasbourg (France)	2001年
263	Si(111)面の酸化過程に及ぼす界面構造の影響	薄膜・表面物理分科会主催特別研究会研究報告極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性	2001年
264	界面における窒素量が極薄シリコン酸窒化膜/シリコン界面の形態に及ぼす効果(Effect of Interface-Nitrogen Concentration on Morphology of SiO	第48回応用物理学関係連合講演会	2001年
265	活性酸素原子により形成したSiO2/Si(111)界面の原子スケールの深さ方向分析	第48回応用物理学関係連合講演会	2001年
266	SiO2/Si(111)界面構造と関係づけられる界面準位の検出	第62回応用物理学会学術講演会	2001年
267	酸化膜のNO処理により形成した酸窒化膜/シリコン界面の構造	極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性(第6回研究会)	2001年
268	Characterization of ALCVD-Al2O3 and ZrO2 Layer using X-Ray Photoelectron Spectroscopy	European Materials Research Society Spring Meeting, Strasbourg (France)	2001年
269	Detection of Interface States Correlated with Interface Structure	8th Int Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces	2001年
270	SiO2/Si(111)界面における価電子帯オフセット振動の検討	第47回応用物理学関係連合講演会	2000年
271	水素終端したSi(100)-2×1面の酸化の初期過程	薄膜・表面物理分科会／シリコンテクノロジー分科会共催特別研究報告極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性第5回研究会 (熱川ハイツ)	2000年
272	極薄シリコン酸化膜/シリコン界面構造に及ぼす窒素添加の効果(Ⅱ)	第47回応用物理学関係連合講演会	2000年
273	Si(100)面の層状酸化と関係づけられる界面準位の検出	薄膜・表面物理分科会／シリコンテクノロジー分科会共催特別研究報告極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性第5回研究会 (熱川ハイツ)	2000年
274	SiO2/Si(100)界面の界面準位密度分布に及ぼす水素ラジカルの影響	第47回応用物理学関係連合講演会	2000年
275	SiO2/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討	薄膜・表面物理分科会／シリコンテクノロジー分科会共催特別研究報告極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性第5回研究会 (熱川ハイツ)	2000年
276	酸素ラジカルにより形成したSiO2/Si(111)界面構造	第47回応用物理学関係連合講演会	2000年
277	X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出 -酸化膜中の光電子の弾性散乱を考慮した場合-	薄膜・表面物理分科会／シリコンテクノロジー分科会共催特別研究報告極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性第5回研究会 (熱川ハイツ)	2000年
278	シリコン酸化膜中のSi 2p光電子の弾性散乱と非弾性散乱	第46回応用物理学関係連合講演会	1999年
279	シリコン酸化膜中のSi 2p光電子の弾性散乱と非弾性散乱(2)	第60回応用物理学会学術講演会	1999年
280	極薄シリコン酸化膜における界面準位密度分布に及ぼす水素ラジカルの影響	第46回応用物理学関係連合講演会	1999年
281	SiO2/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討	第60回応用物理学会学術講演会	1999年
282	極薄シリコン/シリコン界面構造に及ぼす窒素添加の効果	第60回応用物理学会学術講演会	1999年
283	SiO2/Si界面の構造遷移層のDV-Xa法による検討	第46回応用物理学関係連合講演会	1999年
284	SiO2/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討	応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会主催第3回ミニ学術講演会	1999年
285	Energy Loss of O1s Photoelectrons in Compositional and Structural Transition Layer	Reported at 14th Int. Vacuum Congress and 10th Int. Conf. on Solid Surfaces, Birmingham, UK	1998年
286	Energy Loss of O1s Photoelectrons in Compositional and Structural Transition Layer at and near the SiO2/Si Interface	4th Intern. Symp. on UCPSS '98, held in Ostend, Belgium	1998年
287	Energy Loss of O1s Photoelectrons in Compositional and Structural Transition Layer at and near the SiO2/Si Interface	4th Intern. Symp. on UCPSS '98, held in Ostend, Belgium	1998年
288	Energy Loss of O1s Photoelectrons in Compositional and Structural Transition Layer	Reported at 14th Int. Vacuum Congress and 10th Int. Conf. on Solid Surfaces, Birmingham, UK	1998年
289	0 1s光電子の極薄シリコン酸化膜中での非弾性散乱	第58回応用物理学会学術講演会	1997年
290	シリコン酸化膜の価電子帯形成過程のDV‐Xαの法による検討	第44回応用物理学会関係連合講演会、船橋	1997年
291	極薄シリコン酸化膜の表面、界面、価電子帯の構造	平成8年度東北大学電気通信研究所共同ﾌﾟﾛｼﾞｪｸﾄ研究 A-2｢ULSI用高品質酸化膜形成ﾌﾟﾛｾｽの研究｣討論会	1997年
292	SiO2/Si界面の構造遷移層の検討	第58回応用物理学会学術講演会	1997年
293	界面構造の変化に伴う界面準位密度の変化	第58回応用物理学会学術講演会	1997年
294	Valence Band Discontinuity at and near the SiO2/Si(111) Interface	Abstr. MRS Spring Meeting, San Francisco, California, USA.	1997年
295	SiO2/Si(100)界面近傍の価電子帯の上端の酸化に伴う変化	第44回応用物理学会関係連合講演会、船橋	1997年
296	SiO2/Si(100)界面近傍の価電子帯に及ぼす酸化温度の効果	第58回応用物理学会学術講演会	1997年
297	水素終端したSi(111)‐1×1面上の原子スケール酸化過程	応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する特別研究会	1997年
298	界面および界面近傍におけるシリコン酸化膜の価電子帯	応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する特別研究会	1997年
299	Valence Band Discontinuity at and near the SiO2/Si(111) Interface	Abstr. MRS Spring Meeting, San Francisco, California, USA.	1997年
300	Initial stage of SiO2 valence band formation	2nd Intern. Conf. Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa	1996年
301	SiO2の価電子帯形成の初期過程	第43回応用物理学関係連合講演会	1996年
302	水素終端したSiの酸化の初期過程	平成7年度東北大学電気通信研究所共同ﾌﾟﾛｼﾞｪｸﾄ研究 A-2｢ULSI用高品質酸化膜形成ﾌﾟﾛｾｽの研究｣討論会	1996年
303	水素終端したSi(111)面の初期酸化過程	第43回応用物理学関係連合講演会	1996年
304	テラス幅がSiO2/Si界面構造に及ぼす影響	第43回応用物理学関係連合講演会	1996年
305	水素終端シリコンの初期酸化と界面、表面、価電子帯構造	文部省科学研究費補助金基盤研究「水素媒介新物質の物理と化学」に関する研究会	1996年
306	Initial stage of SiO2 valence band formation	2nd Intern. Conf. Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa	1996年
307	酸化膜の構造に及ぼすプレオキサイドの効果	第43回応用物理学関係連合講演会	1996年
308	界面における価電子帯端の不連続量の酸化の進行に伴う変化	第57回応用物理学会学術講演会	1996年
309	Orientation Dependent Changes in Interface Structures with Progress of Thermal Oxidation	25th IEEE Semiconductor Specialist Conf.	1994年

共同研究・競争的資金等の研究課題
No.	提供機関	制度名	課題名等	資金種別	研究期間
1	日本学術振興会	科学研究費助成事業	界面ダイポール変調の抵抗変化型メモリ応用とスイッチング機構の解明		2019年04月 - 2022年03月
2	日本学術振興会	科学研究費助成事業	多層界面ダイポール変調不揮発メモリの酸化膜界面構造最適化とアナログ動作モデリング		2016年04月 - 2019年03月
3	日本学術振興会	科学研究費助成事業	角度分解光電子分光法によるダイヤモンド表面の終端構造と電子帯構造の解明		2015年04月 - 2018年03月
4	日本学術振興会	科学研究費助成事業	光電子分光法を用いた極薄SiO2/Si界面の欠陥とアモルファス構造の研究		2014年04月 - 2017年03月
5	日本学術振興会	科学研究費助成事業	硬X線光電子分光法と第一原理計算を用いた極薄酸化膜の光学的誘電率の研究		2009年 - 2011年
6	日本学術振興会	科学研究費助成事業	革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発		2009年 - 2012年
7	日本学術振興会	科学研究費助成事業	光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/歪GeおよびSiチャネルの界面構造の決定		2009年 - 2011年
8	日本学術振興会	科学研究費助成事業	光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/Geチャネル界面構造の決定		2007年 - 2008年
9	日本学術振興会	科学研究費助成事業	金属酸化膜/半導体界面におけるダイポール発生機構の解明と制御		2007年 - 2008年
10	日本学術振興会	科学研究費助成事業	超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定		2007年 - 2009年
11	日本学術振興会	科学研究費助成事業	積層ゲート絶縁膜の局所的誘電率の研究		2006年 - 2008年
12	日本学術振興会	科学研究費助成事業	高誘電体/シリコン界面形成の原子スケール制御による高品質界面の実現		2004年 - 2005年
13	日本学術振興会	科学研究費助成事業	高エネルギー光電子分光法開発と高誘電率膜/シリコン界面の化学結合状態分析への応用		2003年 - 2005年
14	日本学術振興会	科学研究費助成事業	角度分解X線光電子分光法による高誘電体薄膜/シリコン界面構造の深さ方向分析		2002年 - 2003年
15	日本学術振興会	科学研究費助成事業	断面光電子分光法による非晶質シリコン酸化膜の組成および結合状態密度の深さ方向分析		2001年 - 2003年
16	日本学術振興会	科学研究費助成事業	極薄シリコン酸化膜/シリコン界面のキャリア捕獲準位と微視的構造との関係の解明		1998年 - 2000年
17	日本学術振興会	科学研究費助成事業	酸化の進行に伴う酸化膜の価電子帯形成過程の角度分解X線光電子分光法による解明		1997年 - 1998年
18	日本学術振興会	科学研究費助成事業	シリコン酸化膜/シリコン界面形成の原子スケール制御による超平坦界面の実現		1996年 - 1997年
19	日本学術振興会	科学研究費助成事業	水素終端されたシリコン面の初期酸化過程の角度分解紫外線光電子分光法による解明		1996年 - 1997年
20	日本学術振興会	科学研究費助成事業	原子スケールで平坦なシリコン表面上のAlの初期成長過程のX線光電子分光法による解明		1994年 - 1994年
21	日本学術振興会	科学研究費助成事業	水素終端したシリコン面の熱酸化による超平坦シリコン酸化膜/シリコン界面の実現		1994年 - 1995年
22	日本学術振興会	科学研究費助成事業	原子レベルで平坦なシリコン表面の初期酸化過程のX線光電子分光法による解明		1992年 - 1992年
23	日本学術振興会	科学研究費助成事業	水素終端シリコンの初期酸化機構と極薄金属膜/極薄シリコン酸化膜界面構造の解明		1992年 - 1993年
24			Initial stage of SiO2 valence band formation	競争的資金
25			AR-XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks	競争的資金
26			シリコンの初期酸化過程の解明	競争的資金
27			SiO2の価電子帯形成の初期過程の解明	競争的資金
28			角度分解X線光電子分光法による高誘電体薄膜／半導体界面の評価	競争的資金
29			Initial Stage of Oxidation of Silicon Surfaces	競争的資金