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野平 博司 (ノヒラ ヒロシ,NOHIRA Hiroshi)

基本情報 研究分野 研究業績 教育業績 社会貢献業績

 

書籍等出版物  
No.タイトル担当区分出版社出版年月担当範囲ISBN
1Fundamental Aspects of Silicon Oxidation Springer-Verlag Berlin Germany (総ページ数260) 2001年  
2Fundamental Aspects of Silicon Oxidation Springer-Verlag Berlin Germany 2001年  

 

論文  
No.論文タイトル誌名(出版物名)開始ページ終了ページ出版年月DOI査読の有無
1Electrically induced change in HfO<inf>2</inf>/1-monolayer TiO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf>metal-oxide-semiconductor stacks: Capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies Applied Physics Express 14 071005 071005 2021年07月01日 https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac0b081査読有り 
2SiO2/SiCに及ぼすプラズマ窒化処理の影響の角度分解X線光電子分光法による解析 SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web) 251 253 2020年 https://doi.org/10.18957/rr.8.2.2511査読有り 
3Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures/Scanning Probe Microscopy Japanese Journal of Applied Physics 58 SI 2019年01月01日 https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab28641査読有り 
4Effect of strain on the binding energy of Ge 2p and 3d core level Semiconductor Science and Technology 34 2019年01月01日 https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaf3ee1査読有り 
5Study on Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Ge interface formed by ALD directly on epitaxial Ge Semiconductor Science and Technology 33 12 2018年11月20日 https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaec511査読有り 
6Photoelectron Nano-spectroscopy of Reactive Ion Etching-Induced Damages to the Trench Sidewalls and Bottoms of 4H-SiC Trench-MOSFETs e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 16 257 261 2018年06月09日 https://doi.org/10.1380/ejssnt.2018.2571査読有り 
7ラジカル窒化処理で形成したSiON/SiC構造の窒素の深さ方向分布の角度分解X線光電子分光法による解明 SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web) 13 16 2018年 https://doi.org/10.18957/rr.6.1.131査読有り 
8Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/La<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Ge high-k gate-stacks Materials Science in Semiconductor Processing 70 260 264 2017年11月01日 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.11.0161査読有り 
9Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with selective Ar+ ion implantation using oil-immersion Raman spectroscopy Japanese Journal of Applied Physics 56 2017年05月 https://doi.org/10.7567/JJAP.56.0513011査読有り 
10Improving the barrier ability of Ti in Cu through-silicon vias through vacuum annealing Japanese Journal of Applied Physics 56 2017年04月 https://doi.org/10.7567/JJAP.56.04CC081査読有り 
11Angle-resolved photoelectron spectroscopy studies of initial stage of thermal oxidation on 4H-SiC (0001) on-Axis and 4° off-axis substrates ECS Transactions 77 51 57 2017年 https://doi.org/10.1149/07706.0051ecst1査読有り 
12La<inf>2</inf>O<inf>3</inf> gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT Microelectronics Reliability 60 16 19 2016年05月01日 https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.02.0041査読有り 
13Enhanced light emission from germanium microdisks on silicon by surface passivation through thermal oxidation Applied Physics Express 2016年05月 https://doi.org/10.7567/APEX.9.0521011査読有り 
14Angle-resolved photoelectron spectroscopy study of initial stage of thermal oxidation on 4H-SiC(0001) Japanese Journal of Applied Physics 55 2016年04月 https://doi.org/10.7567/JJAP.55.04EB041査読有り 
15軟X線光電子分光によるSi中にドープされた不純物のクラスター化の熱処理条件および濃度依存性 SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web) 11 17 2016年 https://doi.org/10.18957/rr.4.1.111査読有り 
16Effect of atomic-arrangement matching on La<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/Ge heterostructures for epitaxial high- k -gate-stacks Journal of Applied Physics 118 22 2015年12月14日 https://doi.org/10.1063/1.49371471査読有り 
17Reliable reduction of Fermi-level pinning at atomically matched metal/Ge interfaces by sulfur treatment Applied Physics Letters 104 17 172109-1 - 172109-4 2014年04月 https://doi.org/10.1063/1.48750161査読有り 
18Angle-resolved photoelectron spectroscopy studies of initial stage of oxidation on C-face 4H-SiC ECS Transactions 64 245 252 2014年 https://doi.org/10.1149/06407.0245ecst1査読有り 
19Detection of effect of strain on the valence band structure of SiGe by HXPES with high spatial resolution ECS Transactions 64 431 439 2014年 https://doi.org/10.1149/06406.0431ecst1査読有り 
20AR-HPES study on chemical bonding states of high-κ/high-μ gate stacks for advanced CMOS Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 190 PART B 295 301 2013年10月 https://doi.org/10.1016/j.elspec.2013.06.0101査読有り 
21Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on interfacial transition layer and oxidation-induced residual stress in Si(100) substrate near the interface MICROELECTRONIC ENGINEERING 109 197 199 2013年09月 https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.0041査読有り 
22Erratum: Chemical structure of interfacial transition layer formed on Si(100) and its dependence on oxidation temperature, annealing in forming gas, and difference in oxidizing species (Japanese Journal of Applied Physics (2013) 52 031302) Japanese Journal of Applied Physics 52 6 PART 1 031302-1~031302-14 2013年06月 https://doi.org/10.7567/JJAP.52.0692031査読有り 
23La2O3/In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor capacitor with low interface state density using TiN/W gate electrode SOLID-STATE ELECTRONICS 82 29 33 2013年04月 https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.01.0131査読有り 
24Physical and electrical properties of ultra-thin nickel silicide Schottky diodes on Si (100) 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILMS (ICTF-15) 417 2013年 https://doi.org/10.1088/1742-6596/417/1/0120151査読有り 
25Interfacial layer formation at ZnO/CdS interface APPLIED SURFACE SCIENCE 258 20 8090 8093 2012年08月 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.04.1771査読有り 
26Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films on Si(100) VACUUM 86 10 1513 1516 2012年04月 https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2012.02.0501査読有り 
27Estimation of Breakdown Electric-Field Strength While Reflecting Local Structures of SiO2 Gate Dielectrics Using First-Principles Molecular Orbital Calculation Technique JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 2012年04月 https://doi.org/10.1143/JJAP.51.04DA071査読有り 
28Locally Induced Stress in Stacked Ultrathin Si wafers: XPS and micro-Raman study Proceedings of the 62th Electronic Components and Technology Conference (ECTC) 625 629 2012年 https://doi.org/10.1109/ECTC.2012.62488961査読有り 
29Angle-Resolved PES Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 2 50 243 250 2012年 https://doi.org/10.1149/05003.0243ecst1査読無し 
30Application of Cr K alpha X-ray photoelectron spectroscopy system to overlayer thickness determination SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 43 13 1632 1635 2011年12月 https://doi.org/10.1002/sia.37601査読有り 
31Study of High-kappa/In0.53Ga0.47As Interface by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 10 10PD02-1 - 10PD02-5 2011年10月 https://doi.org/10.1143/JJAP.50.10PD021査読無し 
32Capacitance-Voltage Characterization of La2O3 Metal-Oxide-Semiconductor Structures on In0.53Ga0.47As Substrate with Different Surface Treatment Methods JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 10 10PD03-1 - 10PD03-4 2011年10月 https://doi.org/10.1143/JJAP.50.10PD031査読無し 
33In diffusion and electronic energy structure in polymer layers on In tin oxide THIN SOLID FILMS 519 13 4216 4219 2011年04月 https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.02.0341査読有り 
34Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La2O3/In0.53Ga0.47As and on In0.53Ga0.47As Surface PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K MATERIALS 9 41 265 272 2011年 https://doi.org/10.1149/1.36330431査読無し 
35XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-mu Gate Stacks for Advanced CMOS ULSI PROCESS INTEGRATION 7 41 137 146 2011年 https://doi.org/10.1149/1.36332931査読無し 
36Thinning Process Induced Surface Defects in Ultra-Thin Si Wafer Extended Abstract of International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 50 51 2011年  査読有り 
37Reduction of Accumulation Capacitance in Direct-Contact HfO2/p-Type Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 060202-1 - 060202-3 2010年06月 https://doi.org/10.1143/JJAP.49.0602021査読無し 
38Angle-resolved phototelectron study on the structures of silicon nitride films and Si(3)N(4)/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals (vol 104, 114112, 2008) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107 2010年03月 https://doi.org/10.1063/1.33667051査読無し 
39SrO capping effect for La2O3/Ce-silicate gate dielectrics. Microelectronics Reliability 50 356 359 2010年03月 https://doi.org/10.1016/j.microrel.2009.12.0041査読有り 
40Hard-X-ray Photoelectron Diffraction from Si(001) Covered by a 0-7-nm-Thick SiO2 Layer APPLIED PHYSICS EXPRESS 056701 (3 pages) 2010年 https://doi.org/10.1143/APEX.3.0567011査読無し 
41XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 4: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING 28 129 137 2010年 https://doi.org/10.1149/1.33725701査読無し 
42Soft X-ray photoelectron spectroscopy study of activation and deactivation of impurities in shallow junctions ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings 863 866 2010年 https://doi.org/10.1109/ICSICT.2010.56674541査読有り 
43Study on chemical bonding states at high-κ/Si and high-κ/Ge interfaces by XPS ICSICT-2010 - 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings 990 993 2010年 https://doi.org/10.1109/ICSICT.2010.56675111査読有り 
44Wafer Thinning, Bonding, and Interconnects Induced Local Strain/Stress in 3D-LSIs with Fine-Pitch High-Density Microbumps and Through-Si Vias IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Technical Digest 30 34 2010年 https://doi.org/10.1109/IEDM.2010.57032791査読有り 
45Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K MATERIALS 8 33 467 472 2010年 https://doi.org/10.1149/1.34816351査読無し 
46Comprehensive x-ray photoelectron spectroscopy study on compositional gradient lanthanum silicate film JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106 12 pp. 124903-1-124903-6 2009年12月 https://doi.org/10.1063/1.32697051査読無し 
47Report on the 47th IUVSTA Workshop &apos;Angle-Resolved XPS: the current status and future prospects for angle-resolved XPS of nano and subnano films&apos; SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 41 11 840 857 2009年11月 https://doi.org/10.1002/sia.31051査読無し 
48Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor 109 157 160 2009年06月  査読有り 
49Effect of Oxide Charge Trapping on X-ray Photoelectron Spectroscopy of HfO2/SiO2/Si Structures JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48 041201-041206 2009年04月 https://doi.org/10.1143/JJAP.48.0412011査読無し 
50Electrical characterization of MOS memory devices with self-assembled tungsten nano-dots dispersed in silicon nitride ECS Transactions 18 33 37 2009年 https://doi.org/10.1149/1.30964231査読有り 
51Impact of Remnant Stress/Strain and Metal Contamination in 3D-LSIs with Through-Si Vias Fabricated by Wafer Thinning and Bonding IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Technical Digest 361 364 2009年 https://doi.org/10.1109/IEDM.2009.54243481査読有り 
52Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-assembled Tungsten Nano-dots Dispersed in Silicon Nitride Proceedings of the International Semiconductor Technology Conference/China Semiconductor Technology International Conference (ISTC/CSTIC) 85 89 2009年  査読有り 
53Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K GATE DIELECTRICS 7 25 321 326 2009年 https://doi.org/10.1149/1.32066301査読無し 
54Angle-resolved photoelectron study on the structures of silicon nitride films and Si3N4/Si interfaces formed using nitrogen-hydrogen radicals JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104 11 114112-1 - 114112-8 2008年12月 https://doi.org/10.1063/1.30024181査読無し 
55Correlation between the dipole moment induced at the Slater transition state and the optical dielectric constant of Si and Al compounds APPLIED PHYSICS LETTERS 93 19 193503 - 193503-3 2008年11月 https://doi.org/10.1063/1.29881911査読無し 
56Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack. Microelectronics Reliability 48 11-12 1769 1771 2008年11月 https://doi.org/10.1016/j.microrel.2008.09.0041査読無し 
57Activated boron and its concentration profiles in heavily doped Si studied by soft x-ray photoelectron spectroscopy and Hall measurements JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104 pp. 093709-1 - 093709-5 2008年11月 https://doi.org/10.1063/1.30140331査読無し 
58Investigation of the effect of in situ annealing of FePt nanodots under high vacuum on the chemical states of Fe and Pt by x-ray photoelectron spectroscopy JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104 pp. 074316-1 - 074316-5 2008年10月 https://doi.org/10.1063/1.29736651査読無し 
59Combination of high-resolution RBS and angle-resolved XPS: accurate depth profiling of chemical states SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 40 3-4 423 426 2008年03月 https://doi.org/10.1002/sia.26281査読無し 
60Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K GATE DIELECTRICS 6 16 171 2008年 https://doi.org/10.1149/1.29815991査読無し 
61Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS/13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE SCIENCE/INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY 100 No. 1 pp. 012011-1-012011-4 2008年 https://doi.org/10.1088/1742-6596/100/1/0120111査読無し 
62New Analysis of Heavily Doped Boron and Arsenic in Shallow Junctions by X-ray Photoelectron Spectroscopy ESSDERC 2008: PROCEEDINGS OF THE 38TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE 142 2008年  査読有り 
63Electric characteristics of Si3N4 films formed by directly radical nitridation on Si(110) and Si(100) surfaces JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 4B 1895 1898 2007年04月 https://doi.org/10.1143/JJAP.46.18951査読無し 
64Subnitride and valence band offset at Si3N4/Si interface formed using nitrogen-hydrogen radicals APPLIED PHYSICS LETTERS 90 12 123114-1 - 123114-3 2007年03月 https://doi.org/10.1063/1.27150371査読無し 
65Soft X-ray absorption and emission study of silicon oxynitride/Si(100) interface JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 46 1-3 L77 L79 2007年01月 https://doi.org/10.1143/jjap.46.l771査読無し 
66Angle-resolved photoelectron spectroscopy on gate insulators. Microelectronics Reliability 47 20 26 2007年01月 https://doi.org/10.1016/j.microrel.2006.03.0031査読無し 
67Photoelectron spectroscopy studies of SiO(2)/Si interfaces PROGRESS IN SURFACE SCIENCE 82 54 2007年 https://doi.org/10.1016/j.progsurf.2006.10.0011査読無し 
68角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み 表面科学 28 11 620 625 2007年 https://doi.org/10.1380/jsssj.28.6201査読無し 
69Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on ultrathin gate dielectrics ECS Transactions 11 183 194 2007年 https://doi.org/10.1149/1.27783761査読無し 
70放射光を用いた光電子分光によるゲートスタックの評価 表面科学 Vol. 28, No. 8 p. 475 2007年  査読無し 
71X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constant for Si compounds APPLIED PHYSICS LETTERS 89 15 pp. 154103-1 &ndash; 154103-3 2006年10月 https://doi.org/10.1063/1.23611771査読無し 
72Interfacial structure of HfON/SiN/Si gate stacks The 2nd International Workshop on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy 2006年09月  査読無し 
73The dependence of the intermediate nitridation states density at Si3N4/Si interface on surface Si atoms density Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices 265 270 2006年07月  査読有り 
74Valence charges for ultrathin SiO2 films formed on Si(100) JOURNAL DE PHYSIQUE IV 132 83 86 2006年03月 https://doi.org/10.1051/jp4:20061320161査読無し 
75Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard X-ray photoelectron spectroscopy at Spring-8 International Journal of High Speed Electronics and Systems 16 353 364 2006年03月 https://doi.org/10.1142/S01291564060036801査読有り 
76Thermal stability of Gd2O3/Si(100) interfacial transition layer JOURNAL DE PHYSIQUE IV 132 273 277 2006年03月 https://doi.org/10.1051/jp4:20061320521査読無し 
77Effect of deposition temperature on chemical structure of lanthanum oxide/Si interface structure ECS Transactions 169 173 2006年 https://doi.org/10.1149/1.23562761査読無し 
78Off-angle dependence of characteristics of 4H-SiC-oxide interfaces Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pts 1 and 2 527-529 1003 1006 2006年 https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.10031査読有り 
79Hard and soft X-ray excited photoelectron spectroscopy study on high-kappa gate insulators 2006 INTERNATIONAL WORKSHOP ON NANO CMOS, PROCEEDINGS 69 2006年  査読有り 
80Study of the gate insulator/silicon interface utilizing soft and hard x-ray photoelectron spectroscopy at SPring-8 FRONTIERS IN ELECTRONICS 41 No. 1 353 2006年 https://doi.org/10.1142/S01291564060036801査読無し 
81Characterization of oxide films on 4H-SiC epitaxial (0001) faces by high-energy-resolution photoemission spectroscopy: Comparison between wet and dry oxidation Journal of Applied Physics 100 pp. 053710-1 - 053710-7 2006年 https://doi.org/10.1063/1.23454711査読無し 
82High Quality Si3N4 Gate Dielectric For Sub-100nm ULSI Devices PROCEEDINGS OF THE 3RD STUDENT-ORGANIZING INTERNATIONAL MINI-CONFERENCE ON INFORMATION ELECTRONICS SYSTEM 143 146 2005年10月  査読有り 
83Development of hard X-ray photoelectron spectroscopy at BL29XU in SPring-8 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT 547 50 55 2005年07月 https://doi.org/10.1016/j.nima.2005.05.0111査読無し 
84Angle-resolved XPS studies on transition layers at SiO2/Si interfaces JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 144 457 460 2005年06月 https://doi.org/10.1016/j.elspec.2005.01.2211査読無し 
85Angle-resolved XPS study on chemical bonds in ultrathin silicon oxynitride films MICROELECTRONIC ENGINEERING 80 No. 5 98 101 2005年06月 https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.04.0491査読無し 
86A novel probe of intrinsic electronic structure: hard X-ray photoemission spectroscopy JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA 144 1063 1065 2005年06月 https://doi.org/10.1016/j.elspec.2005.01.0441査読無し 
87Determination of electron escape depth in ultrathin silicon oxide APPLIED PHYSICS LETTERS 86 081911_1 -081911_3 2005年02月 https://doi.org/10.1063/1.18680661査読無し 
88Characterization of oxide films on SiC epitaxial (000-1) faces by angle-resolved photoemission spectroscopy measurements using synchrotron radiation Materials Science Forum 483-485 585 588 2005年 https://doi.org/10.4028/0-87849-963-6.5851査読無し 
89Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer Electrochemical Society Inc., ECS Transactions Vol. 1 No. 1 87 95 2005年  査読無し 
90ゲートスタックの誘電率と界面の評価 表面科学 Vol. 26 No. 11 p.704 2005年  査読無し 
91Nondestructive depth profiling of gate insulators by angle-resolved photoelectron spectroscopy 2005 IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS, PROCEEDINGS 155 160 2005年  査読有り 
92HR-XPS Study on Si3N4/Si Interface Structures and its Correlation with Hysteresis in C-V Curves Electrochemical Society Inc., ECS Transactions Vol. 1 No. 1 267 276 2005年  査読無し 
93Quality of SiO2 and of SiGe formed by oxidation of Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure using atomic oxygen at 400 degrees C APPLIED SURFACE SCIENCE 237 1-4 134 138 2004年10月 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.06.0421査読無し 
94Dependence of SiO2/Si interface structure on low-temperature oxidation process APPLIED SURFACE SCIENCE 234 1-4 197 201 2004年07月 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.05.0441査読無し 
95Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La2O3/Si(100) interfacial transition layer APPLIED SURFACE SCIENCE 234 1-4 493 496 2004年07月 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.05.0321査読無し 
96X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO2/Si interface structures formed by three kinds of atomic oxygen at 300 degrees C APPLIED PHYSICS LETTERS 84 19 3756 3758 2004年05月 https://doi.org/10.1063/1.17377931査読無し 
97Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer MICROELECTRONIC ENGINEERING 72 1-4 283 287 2004年04月 https://doi.org/10.1016/j.mee.2004.01.0051査読無し 
98Accurate determination of SiO2 film thickness by x-ray photoelectron spectroscopy APPLIED PHYSICS LETTERS 83 16 3422 3424 2003年10月 https://doi.org/10.1063/1.16162041査読無し 
99High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems APPLIED PHYSICS LETTERS 83 1005 1007 2003年08月 https://doi.org/10.1063/1.15957141査読無し 
100Chemical and electronic structures of Lu2O3/Si interfacial transition layer APPLIED SURFACE SCIENCE 216 1-4 234 238 2003年06月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00425-21査読無し 
101Depth profiling of oxynitride film formed on Si(100) by photon energy dependent photoelectron spectroscopy APPLIED SURFACE SCIENCE 216 1-4 287 290 2003年06月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00389-11査読無し 
102極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術) 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 103 149 25 29 2003年06月  査読無し 
103Chemical and electronic structure of SiO2/Si interfacial transition layer APPLIED SURFACE SCIENCE 212 547 555 2003年05月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00054-01査読無し 
104Surface preparation and interfacial stability of high-k dielectrics deposited by atomic layer chemical vapor deposition MICROELECTRONIC ENGINEERING 65 259 272 2003年03月 https://doi.org/10.1016/S0167-9317(02)00898-51査読無し 
105TOF-SIMS as a rapid diagnostic tool to monitor the growth mode of thin (high k) films APPLIED SURFACE SCIENCE 203 400 403 2003年01月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(02)00688-81査読無し 
106ULSIゲート絶縁膜の高輝度軟X線・硬X線光電子分光 化学工業 Vol. 54 No. 9 698 703 2003年  査読無し 
107エネルギー可変X線光電子分光法および硬X線光電子分光法 表面科学 Vol. 24 No. 11 p.715 2003年  査読無し 
108Integration issues of polysilicon with high k dielectrics deposited by Atomic Layer Chemical Vapor Deposition SEMICONDUCTOR SILICON 2002, VOLS 1 AND 2 2002 747 760 2002年  査読有り 
109Valence-band offset variation induced by the interface dipole at the SiO2/Si(111) interface PHYSICAL REVIEW B 64 15 155325-1-155325-6 2001年10月  査読無し 
110Influence of interface structure on oxidation rate of silicon JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 40 1AB L68 L70 2001年01月 https://doi.org/10.1143/jjap.40.L681査読無し 
111Valence-band offset variation induced by the interface dipole at the (formula presented) interface Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 64 15 2001年 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.1553251査読有り 
112X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出 J. Vac. Soc. Jpn. 44 715 719 2001年 https://doi.org/10.3131/jvsj.44.7151査読無し 
113Layer-by-layer Oxidation of Silicon Vol. 2001-17 169 173 2001年  査読無し 
114Gate stack preparation with high-k materials in a cluster tool 2001 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, CONFERENCE PROCEEDINGS 395 398 2001年  査読有り 
115Atomic structure of SiO2 at SiO2/Si interfaces APPLIED SURFACE SCIENCE 166 1-4 455 459 2000年10月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00469-41査読無し 
116Detection of interface states correlated with SiO2/Si(111) interface structures APPLIED SURFACE SCIENCE 166 1-4 460 464 2000年10月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00472-41査読無し 
117Elastic scattering of Si 2p photoelectrons in ultrathin silicon oxides APPLIED SURFACE SCIENCE 162 304 308 2000年08月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00208-71査読無し 
118Atomic-scale surface morphology of ultrathin thermal oxide formed on Si(100) surface APPLIED SURFACE SCIENCE 162 62 68 2000年08月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00171-91査読無し 
119Periodic changes in interface state distribution in accordance with layer-by-layer oxidation on Si(100) APPLIED SURFACE SCIENCE 159 67 71 2000年06月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00052-01査読無し 
120The initial growth steps of ultrathin gate oxides MICROELECTRONIC ENGINEERING 48 1-4 17 24 1999年09月 https://doi.org/10.1016/S0167-9317(99)00329-91査読無し 
121Compositional and structural transition layer studied by the energy loss of O 1s photoelectrons THIN SOLID FILMS 343 401 403 1999年04月 https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)01664-21査読無し 
122Elastic scattering of Si 2p photoelectrons in silicon oxide APPLIED SURFACE SCIENCE 144-45 297 300 1999年04月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(98)00813-71査読無し 
123Structural transition layer at SiO2/Si interfaces PHYSICAL REVIEW B 59 5617 5621 1999年02月 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.59.56171査読無し 
124Energy loss of O1s photoelectrons in compositional and structural transition layer at and near the SiO2/Si interface Solid State Phenomena 65-66 241 244 1999年 https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.65-66.2411査読有り 
125Energy loss of O1s photoelectrons in compositional and structural transition layer at and near the SiO(2)/Si interface SOLID STATE PHENOMENA 65-6 241 244 1999年  査読無し 
126Valence band edge of ultra-thin silicon oxide near the interface APPLIED SURFACE SCIENCE 123 546 549 1998年01月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(97)00568-01査読無し 
127Initial stage of SiO2 valence band formation APPLIED SURFACE SCIENCE 123 542 545 1998年01月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(97)00567-91査読無し 
128SiO2 valence band near the SiO2/Si(111) interface APPLIED SURFACE SCIENCE 117 119 122 1997年06月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(97)80063-31査読無し 
129Valence band discontinuity at and near the SiO2/Si(111) interface SCIENCE AND TECHNOLOGY OF SEMICONDUCTOR SURFACE PREPARATION 477 421 425 1997年  査読無し 
130Initial stage of oxidation of hydrogen-terminated silicon surfaces APPLIED SURFACE SCIENCE 104 323 328 1996年09月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00165-11査読無し 
131Effect of chemical preoxidation treatment on the structure of SiO2/Si interfaces APPLIED SURFACE SCIENCE 104 359 363 1996年09月 https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00171-71査読無し 
132EFFECT OF PREOXIDE ON THE STRUCTURE OF THERMAL OXIDE JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 34 245 248 1995年01月 https://doi.org/10.1143/JJAP.34.2451査読無し 
133PREPARATION OF YBBA2CU3O7-X FILMS ON SI(100) SUBSTRATES USING SRTIO3 BUFFER LAYERS APPLIED PHYSICS LETTERS 61 12 1459 1461 1992年09月 https://doi.org/10.1063/1.1075171査読無し 
134INITIAL-STAGE OF SIO2 SI INTERFACE FORMATION ON SI(111) SURFACE JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 31 5B L638 L641 1992年05月 https://doi.org/10.1143/JJAP.31.L6381査読無し 
135PREPARATION OF AS-DEPOSITED YB-BA-CU-O SUPERCONDUCTING FILMS BY DC ARC-DISCHARGE EVAPORATION METHOD JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 29 12 L2466 L2468 1990年12月  査読無し 
136PREPARATION OF YB-BA-CU-O SUPERCONDUCTING FILMS USING AN ARC-DISCHARGE EVAPORATION METHOD JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 28 L816 L818 1989年05月  査読無し 

 

MISC  
No.MISCタイトル誌名開始ページ終了ページ出版年月(日)
1ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池応用に向けたALD-TiO2層のXPS評価 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年 
2ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池応用に向けたALD-TiO2層の評価 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年 
3HAXPESによる界面ダイポール変調発生の確認 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年 
4分極反転させたAlScN膜中の元素の化学結合状態のHAXPES評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年 
5HAXPESによる界面ダイポール変調機構の解明 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2279 2279 2021年 
6プラズマ窒化処理が4H-SiC表面の化学結合状態に及ぼす影響 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 3157 3157 2020年 
7AR-XPSを用いたAlScNの化学結合状態の評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 885 885 2020年 
8Interface Dipole Modulation in HfO <inf>2</inf> /SiO <inf>2</inf> MOS Stack Structures Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2018-December 7.6.1 7.6.4 2019年01月16日 
9HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 電子情報通信学会技術研究報告 118 429(SDM2018 81-90) 27 30 2019年 
10角度分解硬X線光電子分光法によるダイヤモンド半導体表面のsoft-ICPエッチングダメージ評価 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 1460 1460 2019年 
11バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 3026 3026 2019年 
12角度分解硬X線光電子分光法によるダイヤモンド半導体表面のICPエッチングダメージ評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 1266 1266 2019年 
13AR-XPSによる4H-SiC (0001) on-Axis, 4° Off-Axis基板の初期酸化過程の解明 Ⅱ 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 3430 3430 2018年09月05日 
14溶液処理による結晶Lu-doped La2O3/La2O3/Ge(111)MIS界面特性改善 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 3082 3082 2018年 
15AR-XPSによる4H-SiC(0001)on-Axis,4°Off-Axis基板の初期酸化過程の解明 II 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年 
16Formation of Mo<inf>2</inf>C electrodes using stacked sputtering process for thermally stable SiC Schottky barrier diodes 17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017 81 82 2017年06月30日 
17エネルギー値高精度較正の為のピークエネルギー値再考—Discussions for highly precise and accurate energy calibration for the peak energies—表面分析研究会 第48回研究会 講演資料 Journal of surface analysis / 表面分析研究会 編 23 2017年03月 
18エネルギー値高精度較正の為のピークエネルギー値再考 Journal of Surface Analysis 23 2017年 
19ARXPSによるsoft-ICPエッチングプロセスがダイヤモンド半導体表面に与える影響 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年 
20Siキャップ/Ge量子ドット積層構造のXPS評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年 
21高空間分解能HXPESによるGe2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年 
22エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl2O3層の形成と評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年 
23XPS測定を用いた積層Mo/C電極とSiCショットキー接合界面の特性評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.14p‐P9‐4 2016年09月01日 
24AR-XPSによる4H-SiC(0001)on-Axis,4°Off-Axis基板の初期酸化過程の解明 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年 
25La2xA2(1-x)O3(A=Lu,Y)/La2O3/Ge(111)MIS構造におけるC-V特性の改善 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年 
26高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd 2015年 
27ドライ酸化プロセスの制御によるC関連欠陥の減少 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年 
28Zr Lα線源を用いたAESによるSiO2/Si界面構造の評価 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd 2015年 
29結晶性La2O3/Ge(111)高品質界面のXPS分析 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年 
30AR-XPSによる4H-SiC(0001)の初期酸化過程の解明 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年 
31角度分解X線光電子分光法を用いた4H-SiCの初期酸化過程の解明—Initial stage of oxidation on 4H-SiC using angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy—シリコン材料・デバイス 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 255 35 39 2014年10月 
32硬X線光電子分光を用いた金属/AlGaN/GaNのバンド構造の解析 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.17P-A27-5 2014年09月01日 
33液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年 
34中性粒子ビーム酸化膜を用いた超高速歪みGeチャネルデバイス開発 東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学研究拠点活動報告書 2013 2014年 
35高空間分解能HXPESによる一軸歪み量の違いがSiGe価電子帯に与える影響の検出 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年 
36角度分解X線光電子分光法を用いた4H-SiCの初期酸化過程の解明 電子情報通信学会技術研究報告 114 255(SDM2014 84-95) 2014年 
37AR-XPSによる4H-SiCの初期酸化過程の解明(II) 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年 
38AR-XPSによる4H-SiCの初期酸化過程の解明 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st 2014年 
39企画の意図 応用物理 82 421 2013年05月10日 
40企画の意図 応用物理 82 330 2013年04月10日 
41企画の意図 應用物理 82 263 2013年03月10日 
42企画の意図 應用物理 82 162 2013年02月10日 
43企画の意図 應用物理 82 68 2013年01月10日 
44Detection of oxidationinduced compressive stress in Si(100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution USB 2013年 
45Comparison of Oxide Hole/Electron Trap Densities of ~1 nm-SiO2 Films Formed on Si(100) and Si(111) Substrates CDROM 41 42 2013年 
46Detection of Oxidation-Induced Compressive Stress in Si(100) Substrate Near the SiO2/Si Interface by X-Ray Photoelectron Spectroscopy CD-ROM 111 112 2013年 
47The XPS Study on Depth Profile of N Atom in Oxynitride Film Formed on 4H-SiC by Radical Nitridation USB 2013年 
48XPSによるラジカル窒化処理をしたSiO2/4H-SiC界面における窒素分布の評価 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年 
49Detection of oxidationinduced compressive stress in Si(100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution USB 2013年 
50Comparison of Oxide Hole/Electron Trap Densities of ~1 nm-SiO2 Films Formed on Si(100) and Si(111) Substrates CDROM 41 42 2013年 
51中性粒子ビーム酸化膜を用いた超高速歪みGeチャネルデバイス開発 東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学研究拠点活動報告書 2012 2013年 
52Niシリサイド/Siショットキー接合界面における偏析不純物の活性化の評価 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年 
53HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の化学結合状態評価 II 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年 
54AR-XPSによる異なる酸化雰囲中のIn0.53Ga0.47Asの初期酸化過程の評価 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年 
55熱処理によるゲート金属(Ti or TiSi2)/AlGaN界面の化学結合状態変化 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年 
56高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年 
57Si酸化膜正孔トラップ密度のSi面方位依存性 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年 
58HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の評価 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年 
59The XPS Study on Depth Profile of N Atom in Oxynitride Film Formed on 4H-SiC by Radical Nitridation USB 2013年 
60Detection of Oxidation-Induced Compressive Stress in Si(100) Substrate Near the SiO2/Si Interface by X-Ray Photoelectron Spectroscopy CD-ROM 111 112 2013年 
61基礎講座 應用物理 81 12 1040 2012年12月10日 
62角度分解X線光電子分光法によるGeにδドープしたSbの深さ方向分布 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd ROMBUNNO.13P-PA10-6 2012年08月27日 
63Si‐capによるHfO2/歪みGe界面のHfジャーマネイト形成の抑制 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th ROMBUNNO.15P-GP1-13 2012年02月29日 
64Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Boron Doped on Top Surfaces and Sidewalls of Si Fin Structures IWJT 2012 - 2012 12th International Workshop on Junction Technology 2012-January 2012年01月01日 
65AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 電子情報通信学会技術研究報告 112 263(SDM2012 89-97) 2012年 
66TiN-capがW/high-k絶縁膜/In0.53Ga0.47Asの熱安定性に及ぼす効果 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd 2012年 
67XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の評価 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd 2012年 
68硬X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiC構造の酸化膜中の炭素分布の推定 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd 2012年 
69AR-XPSによる種々の表面処理したIn_<0.53>Ga_<0.47>As表面の化学結合状態の評価 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 249 53 58 2011年10月13日 
70角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 III 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 58th ROMBUNNO.27A-KW-4 2011年03月09日 
71第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定 第 16 回ゲートスタック 研究会 - 材料・プロセス・評価の物理 - 131 134 2011年 
72角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 電子情報通信学会技術研究報告 111 249(SDM2011 97-114) 2011年 
73XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 58th 2011年 
74第一原理分子軌道計算を用いた Si (Al) 化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法 応用物理学会薄膜・表面物理分科会並びに応用物理学会シリコ ンテクノロジー分科会 127 130 2011年 
75XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 電子情報通信学会技術研究報告 111 114(SDM2011 50-70) 2011年 
76Study of High-k/In0.53Ga0.47As Interface by HX-PES 89 90 2011年 
77Direct contact of high-k/Si gate stack for EOT below 0.7 nm using LaCe-silicate layer with V<inf>fb</inf> controllability Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 69 70 2010年10月19日 
78角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 II 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st ROMBUNNO.15P-ZA-12 2010年08月30日 
79角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 57th ROMBUNNO.18P-P9-10 2010年03月03日 
80第一原理計算を用いたSiO₂/Si界面の誘電率推定 第 15 回ゲートスタック 研究会 - 材料・プロセス・評価の物理 - 193 196 2010年 
81Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2010年 
82Depth profiling of chemical bonding states of impurity atoms and their correlation with electrical activity in Si shallow junctions IWJT-2010: Extended Abstracts - 2010 International Workshop on Junction Technology 174 177 2010年 
83Depth profiling of chemical bonding states of impurity atoms and their correlation with electrical activity in Si shallow junctions IWJT-2010: Extended Abstracts - 2010 International Workshop on Junction Technology 174 177 2010年 
84第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定 ゲートスタック研究会ー材料・プロセス・評価の物理ー(第14回研究会) AP082202 175 178 2009年 
85角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 電子情報通信学会技術研究報告 108 236(SDM2008 149-168) 69 74 2008年10月02日 
86HfO2/SiO2/Si構造で観測されるHf光電子スペクトルのブロードニング 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th 842 2008年03月27日 
87Annealing-Temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Bonding of HfLaOx /SiO2/Si Layer Abst & CD-ROM 29 30 2008年 
88Pr-Si-O Gate Stack with an Ultrathin Interfacial Layer Grown by MOCVD and PDA under Low O2 Partial Pressure Abst & CD-ROM 67 68 2008年 
89Relationship between the Dipole Moment Induced in Photoemission Process and the Optical Dielectric Constant Abst & CD-ROM 143 144 2008年 
90HfLaOx/SiO2/Siの組成分布に及ぼす熱処理の効果 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th 2008年 
91First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds Book of Abstracts 7th Symposium SiO₂ Advanced Dielectrics and Related Devices 51 52 2008年 
92High Resolution Hard X‐ray Photoemission Spectroscopy at SPring‐8: Basic Performance and Characterization AIP Conference Proceedings 879 Pt.2 1597 1602 2007年 
93LaOX/ScOX/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理温度依存性 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th 2007年 
94プラズマドーピングで形成したp+極浅層における活性化ボロン深さ分布 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th 2007年 
95Investigation of FePt Nano-Dots Fabricated by Self-Assembled Nano-Dot Deposition Method Using X-ray Photoelectron Spectroscopy Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials CDROM 1026 1027 2007年 
96極薄熱酸化膜を界面層に用いたMOCVD堆積Pr系高誘電率絶縁膜の電気特性評価 応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th 2007年 
97直接接合HfO2/Si構造で生じる負のVfbシフト 応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th 716 2006年08月29日 
98XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106 108 119 124 2006年06月14日 
99MOCVD法によるPrシリケートゲート絶縁膜のN2アニール効果の検討 応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th 2006年 
100Al酸化物・窒化物における相対的ケミカルシフトと誘電率の関係の検証 応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th 2006年 
101Electric characteristics of Si3N4 films formed by directly radical nitridation on Si (110) and Si (100) surfaces J-3-4 386 387 2006年 
102XPSを用いたAu/極薄SiO₂界面のバリアハイトの測定 シリコンテクノロジー 82-2 55 60 2006年 
103硬X線光電子分光法による極薄SiO₂膜の誘電率の推定) ゲートスタック研究会ー材料・プロセス・評価の物理ー(第11回研究会) AP062204 91 96 2006年 
104X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interfaces ICSICT-2006 368 371 2006年 
10528aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長)) 日本物理学会講演概要集 61 2006年 
106Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer CDROM p. 18 2006年 
107X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study on Dielectric Properties of AlN and Al2O3 Films 25 26 2006年 
108Effect of Post-Deposition Annealing on the Electrical Properties of MOCVD-grown Praseodymium Silicate MIS Diode 103 104 2006年 
109Electric characteristics of Si3N4 films formed by directly radical nitridation on Si (110) and Si (100) surfaces J-3-4 386 387 2006年 
110Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer CDROM p. 18 2006年 
111Effect of Post-Deposition Annealing on the Electrical Properties of MOCVD-grown Praseodymium Silicate MIS Diode 103 104 2006年 
112X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study on Dielectric Properties of AlN and Al2O3 Films 25 26 2006年 
113Thermal Stability of GdOx/Si Interfacial Transition Layer PII-5 2005年 
114Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy for HfON/SiN/Si System CDROM 2005年 
115極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術) 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス pp. 540-541 108 49 54 2005年 
116シリコン表面近傍にプラズマドープしたボロン原子の化学結合状態 応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th 2005年 
117Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Gate Insulators Volume 2005-01 19 32 2005年 
118Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy for HfON/SiN/Si System CDROM 2005年 
119Thermal Stability of GdOx/Si Interfacial Transition Layer PII-5 2005年 
120Depth Profile of Various Bonding Configration of Nitrogen Atoms in Silicon Oxynitrides formed by Plasma Nitridation 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス pp. 540-541 108 49 54 2005年 
121Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Gate Insulators Volume 2005-01 19 32 2005年 
122LaOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性 応用物理学会学術講演会講演予稿集 65th 688 2004年09月 
123Angle-resolved XPS Studies on Al2O3/SiON Interface Reaction CDROM 111 112 2004年 
124Influence of Thermal Annealing on Chemical Structure of Lanthanum oxide/Si Interfacial Transition Layer P5-15, pp.540-541 2004年 
125Angle-resolved XPS Studies on Al2O3/SiON Interface Reaction CDROM 111 112 2004年 
126Influence of Thermal Annealing on Chemical Structure of Lanthanum oxide/Si Interfacial Transition Layer P5-15, pp.540-541 2004年 
127Effect of Post-Deposition Annealing of Composition and Chemical Structures of La2O3 film/Si(100) Interfacial Transition Layers CDROM 113 114 2004年 
128Structural and Electrical Properties of Praseodymium Silicate Ultrathin Gate Dielectrics Grown by MOCVD CDROM 19 20 2004年 
129Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies on Compositional and Structural Transition Layers at SiO2/Si Interfaces CDROM 43 44 2004年 
130Effect of Post-Deposition Annealing of Composition and Chemical Structures of La2O3 film/Si(100) Interfacial Transition Layers CDROM 113 114 2004年 
131Angle-Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies on Compositional and Structural Transition Layers at SiO2/Si Interfaces CDROM 43 44 2004年 
132Structural and Electrical Properties of Praseodymium Silicate Ultrathin Gate Dielectrics Grown by MOCVD CDROM 19 20 2004年 
133Pr-silicate Ultrathin Films for High-k Gate Dielectrics Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 46th Electronic Materials Conference 2004年 
13413aXC-10 硬 X 線光電子分光の高分解能化・高効率化(吸収分光・MCD・光電子分光, 領域 5) 日本物理学会講演概要集 59 2004年 
135Chemical Structures of HfO2/Si Interfacial Transition Layer D-9-2 818 819 2003年 
136Energy-dependent x-ray photoelectron spectroscopy and Hard X-ray photoemission spectroscopy Journal of The Surface Science Society of Japan Vol. 24 No. 11 p.715 2003年 
137Chemical Structures of HfO2/Si Interfacial Transition Layer D-9-2 818 819 2003年 
138Characterization of ALCVD-Al2O3 and ZrO2 layer using X-ray photoelectron spectroscopy JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 303 83 87 2002年05月 
139Compositional depth profiling of ultrathin oxynitride/Si interface using XPS APPLIED SURFACE SCIENCE 190 1-4 39 42 2002年05月 
140Compositional depth profiling of ultrathin oxynitride/Si interface using XPS APPLIED SURFACE SCIENCE 190 1-4 39 42 2002年05月 
141Characterization of ALCVD-Al2O3 and ZrO2 layer using X-ray photoelectron spectroscopy JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 303 83 87 2002年05月 
142Depth Profiling of High-K Dielectric/Si Interfacial Transition Layer C-8-2 758 759 2002年 
143結晶質シリコンの酸化過程に及ぼす応力の効果 応用物理学関係連合講演会講演予稿集 49th 2002年 
144Chemical and Electronic Structures of LuOx/Si Interfacial Transition Layer A4-5 2002年 
145Depth Profiling of High-K Dielectric/Si Interfacial Transition Layer C-8-2 758 759 2002年 
146Influence of interface structure on oxidation rate of silicon JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 40 1AB L68 L70 2001年01月 
147Infrared Interface Analysis of High-k Dielectrics Deposited by Atomic Layer Chemical Vapour Deposition 8.4 226 229 2001年 
148Physical Characterisation of High-k Gate Stacks Deposited on HF-Last Surfaces 5.2 86 91 2001年 
149Accurate determination of SiO2 film thickness by x-ray photoelectron spectroscopy J. Vac. Soc. Jpn. Vol.44 715 719 2001年 
150Atomic-Scale Depth Profiling of Oxides/Si(111) and Oxynitrides/Si(100) Interface B-6-2 224 225 2001年 
151Surface and interface morphologies of ultrathin oxynitrides films formed on Si(100) Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator, IWGI 2001 7.13 152 155 2001年 
152Atomic-Scale Depth Profiling of Oxides/Si(111) and Oxynitrides/Si(100) Interface B-6-2 224 225 2001年 
153SiO₂/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性(第5回研究会) AP002201 203 208 2000年 
154Periodic changes in interface state distribution in accordance with layer-by-layer oxidation on Si(100) Applied Surface Science 159 67 71 2000年 
155X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出ー酸化膜中の光電子の弾性散乱を考慮した場合ー 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性(第5回研究会) AP002201 197 202 2000年 
156Chemical structures of oxynitride/Si(100) interface PHYSICS AND CHEMISTRY OF SIO2 AND THE SI-SIO2 INTERFACE - 4 2000 181 186 2000年 
157XPS時間依存測定法によるラジカル(Kr/O²)酸化膜中電荷トラップの解析 シリコンテクノロジー 21 18 21 2000年 
158Detection of interfaces states correlated with layer-by-layer oxidation on Si(100) Materials Research Society Symposium - Proceedings 592 33 37 2000年 
159Elastic scattering of Si 2p photoelectrons in silicon oxide APPLIED SURFACE SCIENCE 144-45 297 300 1999年04月 
160Elastic scattering of Si 2p photoelectrons in silicon oxide APPLIED SURFACE SCIENCE 144-45 297 300 1999年04月 
161シリコン酸化膜中のSi2p光電子の弾性散乱と非弾性散乱 シリコンテクノロジー 24 25 1999年 
162Atomic Structure of SiO2 at SiO2/Si Interface 041 p. 128 1999年 
163Accurate Thickness Determination of Ultrathin Silicon Oxide Film by XPS LP-2 1999年 
164Structural transition layer at SiO₂/Si interfaces Physical Review B 59 5617 5621 1999年 
165Accurate Thickness Determination of Ultrathin Silicon Oxide Film by XPS LP-2 1999年 
166SiO₂/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討 シリコンテクノロジー 12 18 19 1999年 
167シリコン酸化膜中のSi 2p光電子の弾性散乱と非弾性散乱 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性(第4回研究会) AP992204 271 274 1999年 
168Correlation between Interface States and Structures in Ultrathin SiO2/Si System pp. 83-93 1999年 
169Elastic and Inelastic Scattering of Si 2p photoelectrons in Silicon Oxides 23a-6-4 39 40 1999年 
170Atomic-Scale Surface Morphology of Ultrathin Thermal Oxide Formed on Si(100) Surface WE.B 14.30 O 1999年 
171Detection of Inteitace States Correlated with SiO2/Si(111)Interface Structures 042 p. 129 1999年 
172Surface morphology of ultrathin oxide formed on Si(100) ULTRATHIN SIO2 AND HIGH-K MATERIALS FOR ULSI GATE DIELECTRICS 567 163 167 1999年 
173Elastic and Inelastic Scattering of Si 2p photoelectrons in Silicon Oxides 23a-6-4 39 40 1999年 
174Detection of Interfaces States Correlated with Layer-by-Layer Oxidation on Si(100) p.316 AM T1.7 1999年 
175Atomic-Scale Surface Morphology of Ultrathin Thermal Oxide Formed on Si(100) Surface WE.B 14.30 O 1999年 
176Atomic Structure of SiO2 at SiO2/Si Interface 041 p. 128 1999年 
177Periodic changes in interface state distribution in accordance with layer-by-layer oxidation on Si(100) A2-6 1999年 
178Detection of Inteitace States Correlated with SiO2/Si(111)Interface Structures 042 p. 129 1999年 
179Structural Origin of Carrier Trap Levels at SiO2/Si Interface pp. 130-131 1998年 
180Valence band edge of ultra-thin silicon oxide ThP161 1997年 
181Atomic Scale Oxidation Process on Hydrogen-Terminated Silicon Surface pp. 341-343 1996年 
182Atomic Scale Oxidation Process on Hydrogen-Terminated Silicon Surface pp. 341-343 1996年 
183Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces Tu-1510 p. 40 1995年 
184Effect of Chemical Oxide on SiO2/Si(111) Interface Structure EM-ThP-27 p. 456 1995年 
185Effect of Preoxide on Structure of Oxide and SiO2/Si Interface EM-ThP-26 p. 456 1995年 
186Initial Stage of SiO2/Si Interface Formation on Hydrogen-Terminated Si Surfaces pp. 497-499 1995年 
187Initial Stage of SiO2/Si Interface Formation on Hydrogen-Terminated Si Surfaces pp. 497-499 1995年 
188Initial Stage of SiO2/Si Interface Formation on Hydrogen-Terminated Si(111)1&times;1 Surfaces F-6 165 166 1995年 
189Effect of Preoxides on Structures of SiO2 and SiO2/Si Interfaces Tu-P-56 p. 128 1995年 
190Initial Stage of SiO2/Si Interface Formation on Hydrogen-Terminated Si(111)1&times;1 Surfaces F-6 165 166 1995年 
191Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces 385 387 1994年 
192Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 185 385 387 1994年 
193Initial stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surface B3-1 1993年 
194Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surface 603 605 1993年 
195Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Silicon Surface 603 605 1993年 
196INITIAL-STAGE OF SIO2/SI INTERFACE FORMATION ON HYDROGEN-TERMINATED SILICON SURFACES SURFACE CHEMICAL CLEANING AND PASSIVATION FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING 315 387 392 1993年 
197Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Si (100) and Si (111) 89 90 1992年 
198Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Si (100) and Si (111) 89 90 1992年 
199Preparation of YbBa2Cu3O7-x Films on Si (100) Substrates Using SrTiO3 Buffer Layers 505 507 1991年 
200Epitaxial Growth of YbBa2Cu3O7-x Films on SrTiO3 by Monolayer Stacking in Arc Discharge Evaporation Method PF05 52 55 1991年 
201Preparation of YbBa2Cu3O7-x Films on Si (100) Substrates Using SrTiO3 Buffer Layers 505 507 1991年 
202PREPARATION OF AS-DEPOSITED YB-BA-CU-O SUPERCONDUCTING FILMS BY DC ARC-DISCHARGE EVAPORATION METHOD JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 29 12 L2466 L2468 1990年12月 
203As-Deposited Yb-Ba-Cu-O Superconducting Films by DC Arc Discharge Evaporation Method 585 588 1990年 

 

講演・口頭発表等  
No.講演・口頭発表タイトル会議名発表年月日主催者開催地
1ALD法を用いたLa2O3/In0.53Ga0.47As構造に及ぼす(NH4)2S表面処理の効果 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014年 
2Detection of Effect of Uniaxial Strain on the Valence Band of SiGe by HXPES with High Spatial Resolution 19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2014年 
3The XPS Study on Depth Profile of N Atom in Oxynitride Film Formed on 4H-SiC by Radical Nitridation 19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2014年 
4HXPES Study of Fe3 Si/Ge Hetero Structure 19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2014年 
5The Effect of (NH4)2S Surface Treatment on La2O3/In0.53Ga0.47As Using ALD 19th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2014年 
6Elucidation of the initial oxidation process of 4H-SiC by AR-XPS study The 61th JSAP Spring Meeting, 2013 2014年 
7AR-XPS による4H-SiC の初期酸化過程の解明 第61 回応用物理学会春季学術講演会 2014年 
8ラジカル窒化処理したSiO2/4H-SiCの窒素分布のXPSによる評価 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014年 
9HXPESによるFe3 Si/Geヘテロ構造の評価 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014年 
10高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2014年 
11The Effect of TiN-cap on Thermal Stability of W/high-k Dielectrics/In0.53Ga0.47As 18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2013年 
12X線光電子分光の原理に基づいた誘電率・絶縁破壊電界の推定モデル シリコンテクノロジー分科会モデリング研究会 第162回 研究集会 2013年 
13高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会(同志社大) 2013年 
14放射光を用いた光電子分光によるSiO2/SiおよびSiO2/SiC界面構造の評価 日本学術振興会 結晶加工と評価技術第145委員会 第135回研究会 2013年 
15HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の化学結合状態評価Ⅱ 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会(同志社大) 2013年 
16AR-XPSによる異なる酸化雰囲中のIn0.53Ga0.47Asの初期酸化過程の評価 第60回応用物理学関係連合講演会 2013年 
17Niシリサイド/Siショットキー接合界面における偏析不純物の活性化の評価 第60回応用物理学関係連合講演会 2013年 
18HEPESによるFe3 Si/Geヘテロ構造の評価 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第18回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2013年 
19XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の評価 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第18回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2013年 
20角度分解X線光電子分光法によるGeに&delta;ドープしたSbの深さ方向分布の評価 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第18回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2013年 
21W/high-k絶縁膜/In0.53Ga0.47Asの熱安定性に及ぼすTiN-capの効果 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第18回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2013年 
22第一原理分子軌道計算を用いたゲート絶縁膜の局所的な誘電応答と絶縁破壊電界の関係性の解明 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第18回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2013年 
23HEPESによるFe3Si/Geヘテロ構造の評価 第60回応用物理学関係連合講演会 2013年 
24SiO2ゲート絶縁膜における静的誘電率の変化:その推定法の精度とMOSFETの出力電流への影響 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第18回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2013年 
25熱処理によるゲート金属(Ti or TiSi2)/AlGaN界面の化学結合状態変化 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会(同志社大) 2013年 
26X線光電子分光法によるラジカル窒化処理をしたSiO2/4H-SiC界面における窒素分布の評価 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会(同志社大) 2013年 
27Si酸化膜正孔トラップ密度のSi面方位依存性 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会(同志社大) 2013年 
28Study of SiO2/Si and SiO2/SiC Interface Structure by Synchrotron Radiation excited Photoelectron Spectroscopy 145th Committee on Processing and Characterization of Crystals 2013年 
29HEPES study of Fe3Si/Ge heterostructure The 60th JSAP Spring Meeting, 2013 2013年 
30Initial Stage of Oxidation on In0.53Ga0.47As in Different Oxidative Atmosphere Studied by AR-XPS The 60th JSAP Spring Meeting, 2013 2013年 
31HEPES Study of Fe3 Si/Ge Hetero Structure 18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2013年 
32Evaluation of electrical activation of impurities segregated at Ni-silicide/Si Schottky junction interface The 60th JSAP Spring Meeting, 2013 2013年 
33Depth Profile of &delta; Doped Sb in Ge Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy 18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2013年 
34XPS Time-Dependent Measurement of SiO2/Si Interfaces 18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2013年 
35Elucidation of the Relationship between Local Dielectric Response and Breakdown Electric-Field Strength of Gate Dielectrics Using First-Principles Molecular Orbital Calculation Technique 18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2013年 
36Variations in Static Dielectric Constants of SiO2 Gate Insulator Films : Accuracy of an Estimation Technique and Influence on Output Currents of MOSFETs 18th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2013年 
37Initial Stage of Oxidation on In0.53Ga0.47As Surface Studied by AR-XPS The 59th Spring Meeting, 2012 2012年 
38Valence number of Ce and Ce silicate at cerium oxide/Si(100) interface The 59th Spring Meeting, 2012 2012年 
39Estimation of Breakdown Electric-Field Strength of Defective Silicon Dioxide Gate Dielectrics Using First-Principles Molecular Orbital Calculation Technique 17th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2012年 
40Annealing temperature dependence of chemical bonding states of Boron in Si The 59th Spring Meeting, 2012 2012年 
41Angle-Resolved XPS Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces The 59th Spring Meeting, 2012 2012年 
42Si-cap によるHfO2/ 歪みGe 界面のHf ジャーマネイト形成の抑制 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年 
43Estimation Method for Static Dielectric Constants of Polymorphic Forms of Silicon Dioxide with a First-principles Calculation System 17th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2012年 
44Study on concentration depth profiles of B clusters in ultra-shallow heavily doped region in Si by soft X-ray photoelectron spectroscopy The 59th Spring Meeting, 2012 2012年 
45Angle-Resolved XPS Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces 222nd Meeting of The Electrochemical Society ( PRiME 2012), Honolulu, HI, USA 2012年 
46AR-XPS and HAX-PES Studies on Chemical bonding states at SiO2/SiC Interfaces The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2012年 
47Detection of impurities having various chemical bonding states and their depth profiles in ultra shallow junctions The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2012年 
48AR-XPS Study on Chemical Bounding State of In0.53Ga0.47 Surface treated by Various Surface Treatments 17th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2012年 
49The suppression of hafnium germanate formation by Si-cap layer at HfO2/strained-Ge interface The 59th Spring Meeting, 2012 2012年 
50SiO2/SiC 界面構造の角度分解光電子分光法による評価 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年 
51XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の評価 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会(愛媛大・松山大) 2012年 
52第一原理計算を用いたSiO2多形の静的誘電率推定 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第17回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2012年 
53XPS とXAFS を用いたZnO/CdS 界面の化学結合状態評価 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年 
54TiN-capがW/high-k絶縁膜/In0.53Ga0.47Asの熱安定性に及ぼす効果 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会(愛媛大・松山大) 2012年 
55軟X 線光電子分光法を用いたSi 中B の化学結合状態の熱処理温度依存性 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年 
56In0.53Ga0.47As 表面の初期酸化過程のAR-XPS による評価 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年 
57Ce 酸化物/Si(100) 界面におけるCe の価数とCe シリケート 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年 
58軟X線光電子分光法によるSi中の極浅高濃度Bドープ層におけるクラスター濃度分布解析 第59回応用物理学関係連合講演会 2012年 
59Angle-Resolved XPS Studies on Transition Layers at SiO2/SiC Interfaces 222nd Meeting of The Electrochemical Society ( PRiME 2012), Honolulu, HI, USA 2012年 
60硬X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiC構造の酸化膜中の炭素分布の推定 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会(愛媛大・松山大) 2012年 
61AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 電子情報通信学会技術研究会報告 シリコン材料・デバイス 2012年 
62種々の表面処理によるIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の角度分解光電子分光法による評価 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第17回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2012年 
63角度分解X線光電子分光法によるGeに&delta;ドープしたSbの深さ方向分布 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会(愛媛大・松山大) 2012年 
64極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 電子情報通信学会技術研究会報告 シリコン材料・デバイス 2012年 
65第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO2の絶縁破壊電界の推定 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第17回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2012年 
66Chemical Bonding States Analysis at ZnO/CdS Interfaces by XPS and XAFS The 59th Spring Meeting, 2012 2012年 
67The Estimation of Local Breakdown Voltage of Si&bull;Al Compounds Using First-principles Molecular Orbitals Calculation 16th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2011年 
68第一原理計算を用いた Si 化合物の静的誘電率推定 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第16回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2011年 
69角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第16回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2011年 
70第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第16回研究会) (旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会) 2011年 
71XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会137回研究集会(共催:電子情報通信学会SDM研究会) 2011年 
72[招待講演] 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 電子情報通信学会技術研究会報告 シリコン材料・デバイス 2011年 
73AR-XPSによる種々の表面処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価 電子情報通信学会技術研究会報告 シリコン材料・デバイス 2011年 
74(Invited) XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-&micro; Gate Stacks for Advanced CMOS 220th Meeting of The Electrochemical Society, Boston, MA, USA 2011年 
75Si中にドープされたAsの軟X線光電子分光による化学結合状態の検出とその深さ方向分布 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会(山形大) 2011年 
76軟X線光電子分光法を用いたFin構造中の不純物化学結合状態分析 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会(山形大) 2011年 
77Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La2O3/In0.53Ga0.47As and on In0.53Ga0.47As Surface 220th Meeting of The Electrochemical Society, Boston, MA, USA 2011年 
78第一原理分子軌道計算を用いた SiO2 の局所構造を反映した 絶縁破壊電界の推定 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会(山形大) 2011年 
79AR-XPSによる(NH4)2S処理したIn0.53Ga0.47As表面の化学結合状態の評価 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会(山形大) 2011年 
80第一原理計算を用いた SiO2/Si 界面近傍中間酸化物の静的誘電率推定 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会(山形大) 2011年 
81Dependence of carrier traps at SiO2/Si interfaces on Si surface orientation studied by XPS time-dependent measurement Silicon Technology 2011年 
82Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La2O3/In0.53Ga0.47As and on In0.53Ga0.47As Surface 220th Meeting of The Electrochemical Society, Boston, MA, USA 2011年 
83(Invited) XPS Study on Chemical Bonding States of high-kappa/high-&micro; Gate Stacks for Advanced CMOS 220th Meeting of The Electrochemical Society, Boston, MA, USA 2011年 
84AR-XPS Study on Chemical Bonding State of In0.53Ga0.47As Surface treated by Various Surface Treatments The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2011年 
85Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectroscopy The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2011年 
86Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectroscopy 16th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2011年 
87Estimation Method for Permittivity due to Electronic and Lattice Polarization by using First-principles Calculation 16th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterization 2011年 
88Study of HfO2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy 218th Meeting of The Electrochemical Society, Las Vegas, NV, USA 2010年 
89実験室硬X線光電子分光装置の開発とその半導体への応用 第57回応用物理学関係連合講演会 2010年 
90XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS 217th Meeting of The Electrochemical Society, Vancouver, Canada 2010年 
91HfO2/La2O3/In0.53Ga0.47As構造の熱安定性 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会(長崎大) 2010年 
92SiO2/Si 界面の誘電率のSi面方位依存性についての考察 第57回応用物理学関係連合講演会 2010年 
93XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS 217th Meeting of The Electrochemical Society, Vancouver, Canada 2010年 
94Study on chemical bonding states of As and P in Si detected by X-ray photoelectron spectroscopy The 57th Spring Meeting, 2010 2010年 
95Study on Chemical Bonding States at high-&kappa;/Si and high-&kappa;/Ge Interfaces by XPS 2010年 
96Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Activation and Deactivation of Impurities in Shallow Junctions 2010年 
97Siエピタキシャル層にドープされたボロンの軟X線光電子分光 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会(長崎大) 2010年 
98Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会(長崎大) 2010年 
99SrO/La2O3/CeO2/Si(100) 構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第15回研究会) 2010年 
100角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 第57回応用物理学関係連合講演会 2010年 
101格子分極起因の誘電率推定法についての考察 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会(長崎大) 2010年 
102第一原理計算を用いたSiO2/Si 界面の誘電率推定 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第15回研究会) 2010年 
103第一原理分子軌道計算を用いたSi・Al化合物の絶縁破壊電界の推定 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会(長崎大) 2010年 
104光電子分光により検出したSi中のAsおよびPの化学結合状態の評価 第57回応用物理学関係連合講演会 2010年 
105Study of HfO2/Si/Strained-Ge/SiGe Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy 218th Meeting of The Electrochemical Society, Las Vegas, NV, USA 2010年 
106角度分解X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪Ge/SiGe構造の評価 II 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会(長崎大) 2010年 
107A study of the orientation dependence of dielectric constant at SiO2/Si interfaces The 57th Spring Meeting, 2010 2010年 
108Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectro The 57th Spring Meeting, 2010 2010年 
109Development of Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy System and Applications to Semiconductors The 57th Spring Meeting, 2010 2010年 
110Influence of Post Deposition Annealing on Compositional Depth Profile and Chemical Structures of SrO/La2O3/CeO2/Si(100) 15th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterizations - 2010年 
111Dielectric Constant Estimation for SiO2/Si Interface Based on the First-principles Calculation 15th Workshop on Gate Stacks - Physics in Materials, Fablication Processes and Characterizations - 2010年 
112CeO2/La2O3/Si(100)構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第14回研究会) 2009年 
113SrO/La2O3/CeO2/Si(100)構造の熱安定性 第70回応用物理学会学術講演会 2009年 
114第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第14回研究会) 2009年 
115第一原理計算を用いたSiO2/Si 界面の誘電率推定 第70回応用物理学会学術講演会 2009年 
116軟X線光電子分光法によるゲートスタック構造の評価 SPring-8講習会 「高輝度放射光を利用した光電子分光技術」 2009年 
117光電子分光によるSi中Asの化学結合状態評価 第56回応用物理学関係連合講演会 2009年 
118Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure 216th Meeting of The Electrochemical Society, Vienna, Austria 2009年 
119第一原理計算を用いたSiO2多形間の誘電率の違いについての検討 第56回応用物理学関係連合講演会 2009年 
120光電子分光により検出したSi中のSbの化学結合状態の評価 第70回応用物理学会学術講演会 2009年 
121第一原理計算によるSi中のAsドーパントのXPS解析 第70回応用物理学会学術講演会 2009年 
122CeO2/La2O3/Si(100)構造の熱安定性 (2) 第56回応用物理学関係連合講演会 2009年 
123角度分解光電子分光法によるシリコン窒化膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第14回研究会) 2009年 
124Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure 216th Meeting of The Electrochemical Society, Vienna, Austria 2009年 
125LaOx/ScOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理温度依存性 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第13回研究会) 2008年 
126Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer 214th Meeting of The Electrochemical Society, Honolulu, Hawaii, USA 2008年 
127光電子分光によるSi中Asの活性化状態の深さ方向分布評価 第69回応用物理学会学術講演会 2008年 
128HfLaOx/SiO2/Si(100)からの光電子の結合エネルギーの熱処理依存性 第69回応用物理学会学術講演会 2008年 
129HfLaOx/SiO2/Siの組成分布に及ぼす熱処理の効果 第55回応用物理学関係連合講演会 2008年 
130Pr-silicate極薄膜界面化学結合状態に及ぼす低酸素分圧アニールの影響 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第13回研究会) 2008年 
131HfO2/SiO2/Si構造で観測されるHf光電子スペクトルのブロードニング 第55回応用物理学関係連合講演会 2008年 
132角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 電子情報通信学会技術研究会報告 シリコン材料・デバイス 2008年 
133CeO2/La2O3/Si(100)構造の熱安定性 第69回応用物理学会学術講演会 2008年 
134Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profile and Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si and ScOx/LaOx/Si Interfacial Transition Layer 214th Meeting of The Electrochemical Society, Honolulu, Hawaii, USA 2008年 
135Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2008年 
136第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定 第69回応用物理学会学術講演会 2008年 
137MOCVD法により作製したPrシリケート極薄膜の化学結合状態のアニール処理依存性 第54回応用物理学関係連合講演会 2007年 
138極浅高濃度ボロンドーピング層における正孔移動度深さ分布 第68回応用物理学会学術講演会予稿集 2007年 
139Siのラジカル窒化により形成したSi3N4/Si界面におけるサブナイトライドと価電子帯オフセット 第54回応用物理学関係連合講演会 2007年 
140XPSによるFePtナノドットの評価 第68回応用物理学会学術講演会予稿集 2007年 
141プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 電子情報通信学会技術研究会報告 シリコン材料・デバイス 2007年 
142MOCVD法により作製したPrシリケート極薄膜の化学結合状態のアニール処理依存性 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第12回研究会) 2007年 
143極薄熱酸化膜を界面層に用いたMOCVD堆積Pr系高誘電率絶縁膜の電気特性評価 第68回応用物理学会学術講演会予稿集 2007年 
144角度分解光電子分光法の新しい試み 第54回応用物理学関係連合講演会 2007年 
145Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Ultrathin Gate Dielectrics 212th Meeting of The Electrochemical Society, Washington, USA, 2007年 
146Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Study on Ultrathin Gate Dielectrics 212th Meeting of The Electrochemical Society, Washington, USA, 2007年 
147LaOx/ScOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理温度依存性 第54回応用物理学関係連合講演会 2007年 
148プラズマドーピングで形成したp+極浅層における活性化ボロン深さ分布 第54回応用物理学関係連合講演会 2007年 
149Study on subnitride and valence band offset at Si3N4 / Si interface formed using nitrogen radicals The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2007年 
150LaOX/Si 界面組成遷移層の熱安定性 第53回応用物理学関係連合講演会予稿集 2006年 
151直接接合HfO2/Si構造で生じる負のVfbシフト 第67回応用物理学会学術講演会予稿集 2006年 
152X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interfaces 2006年 
153硬X線光電子分光による極薄SiO2膜の誘電率の推定 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 2006年 
154直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性 電子情報通信学会技術研究会報告 シリコン材料・デバイス 2006年 
155Si(100),(110)面上の極薄Si3N4-Si界面構造とその電気的特性 電子情報通信学会技術研究会報告 シリコン材料・デバイス 2006年 
156XPSによるAu/極薄SiO2界面のバリアハイトについての検討 第53回応用物理学関係連合講演会予稿集 2006年 
157NH*による直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 2006年 
158Effect of Deposition Temperature on Chemical Structure of Lanthanum Oxide/Si Interface Structure Symposium on Advanced Gate Stack, Source/Drain and Channel Engineering for Si-Based CMOS 2: New Materials, Processes, and Equipment, 210th Meeting, The Electrochemical Society, Cancun, Mexico 2006年 
159SiO2/HfO2/SiO2積層トンネル膜を用いたスタック型二重フローティングゲートメモリ 第53回応用物理学関係連合講演会予稿集 2006年 
160硬X 線光電子分光法によるゲートスタック構造のSiOx の誘電率の推定 第53回応用物理学関係連合講演会予稿集 2006年 
161プラズマ窒化により形成したSi/Si3N4界面のSi 2p3/2 XPSスペクトルの第一原理計算 第53回応用物理学関係連合講演会予稿集 2006年 
162MOCVD法によるPrシリケートゲート絶縁膜のN2アニール効果の検討 第67回応用物理学会学術講演会予稿集 2006年 
163Al酸化物・窒化物における相対的ケミカルシフトと誘電率の関係の検証 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2006年 
164XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定 電子情報通信学会技術研究会報告 シリコン材料・デバイス 2006年 
165プラズマドープしたボロンの化学結合形態とその深さ方向分布のSpike RTA による変化 第67回応用物理学会学術講演会予稿集 2006年 
166角度分解光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/Si界面の評価 SPring-8 ナノテクノロジー総合支援プロジェクト第2回成果発表会 2006年 
167XPS studies on barrier height at Au/ultra-thin SiO2 interface The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2006年 
168Effect of Deposition Temperature on Chemical Structure of Lanthanum Oxide/Si Interface Structure Symposium on Advanced Gate Stack, Source/Drain and Channel Engineering for Si-Based CMOS 2: New Materials, Processes, and Equipment, 210th Meeting, The Electrochemical Society, Cancun, Mexico 2006年 
169The dependence of the intermediate nitridation states density at Si3N4/Si interface on surface Si atoms density The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2006年 
170LaOX/YOX/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集 2005年 
171high-k膜のXPSによる評価 電気学会主催 電気材料研究会 2005年 
172HR-XPS Study on Si3N4/Si Interface Structures and its Correlation with Hysteresis in C-V Curves 208th Meeting of The Electrochemical Society, The Westin Bonaventure Hotel and Suites, Los Angeles, CA, USA, 2005. 2005年 
173ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第10回研究会) 2005年 
174Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer 208th Meeting of The Electrochemical Society, The Westin Bonaventure Hotel and Suites, Los Angeles, CA, USA, 2005 2005年 
175様々な傾斜角を有するSiC基板上の酸化膜の評価 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集 2005年 
176軟X線光電子分光によるSiO2/Si(100)界面遷移構造の検出(Ⅱ) 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2005年 
177極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会/電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 共催 第70回研究集会 2005年 
178硬X線光電子分光による極薄SiO2膜の電子状態の検討 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2005年 
179HRBS測定に基づく角度分解XPS解析による高誘電率膜/シリコン界面構造の原子スケール深さ方向分析 文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト「分子・物質総合合成・解析支援グループ」成果発表会「分子・物質に視点をおいたナノテクノロジー・ナノサイエンスIII」における発表および討論 2005年 
180高誘電率ゲート絶縁膜/Si(100)界面遷移層の熱安定性 シンポジウム「来るべきナノCMOS 時代に向けての挑戦とその課題」 (於 早稲田大学) 2005年 
181H*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会/電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 共催 第70回研究集会 2005年 
182X線光電子分光法によるAl2O3/OI-SiN/Si(100)構造の元素組成とバンドオフセットの決定 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2005年 
183極薄シリコン酸窒化膜中の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布 (Ⅱ) 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2005年 
184極薄シリコン酸窒化膜中の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集 2005年 
185XPS時間依存測定法による金蒸着SiO2薄膜の電荷捕獲現象の検討 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2005年 
186OI-SiN膜上へのAl2O3の堆積により生じる化学反応の角度分解光電子分光法による検出 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2005年 
187低オフ角C面SiC基板上の酸化膜の評価 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2005年 
188プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第10回研究会) 2005年 
189LaOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第10回研究会) 2005年 
190軟X 線光電子分光によるラジカル酸化膜/Si界面遷移層構造の面方位依存性についての検討 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集 2005年 
191HR-XPS Study on Si3N4/Si Interface Structures and its Correlation with Hysteresis in C-V Curves 208th Meeting of The Electrochemical Society, The Westin Bonaventure Hotel and Suites, Los Angeles, CA, USA, 2005. 2005年 
192Thermal Stability of Lanthanum Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer 208th Meeting of The Electrochemical Society, The Westin Bonaventure Hotel and Suites, Los Angeles, CA, USA, 2005 2005年 
193Nondestructive Depth Profiling of Gate Insulators by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy 2005年 
194シリコン表面近傍にプラズマドープしたボロン原子の化学結合状態 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2005年 
195LaOX/YOX/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性 Ⅱ 第66回応用物理学会学術講演会予稿集 2005年 
196硬X線電子分光による極薄SiO2膜の電子状態の検討 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集 2005年 
197角度分解X線光電子分光法によるPrシリケート/Si(100)界面近傍の深さ方向化学結合状態分析 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集 2005年 
198Determination of electron escape depth in ultrathin silicon oxide formed on Si(100) Abstract of the 15th Symposium of the Materials Research Society of Japan 2004年 
199プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光 第65回応用物理学会学術講演会 2004年 
200軟X線光電子分光によるSiO2/Si(100)界面遷移構造の検出 第65回応用物理学会学術講演会 2004年 
201ラジカル酸化および熱酸化法によりSi(111)面上に形成した構造遷移層中の電子の脱出深さ 第65回応用物理学会学術講演会 2004年 
202Al2O3/SiON界面反応のX線光電子分光法による検出 第51回応用物理学関係連合講演会 2004年 
203高エネルギーXPSおよび高分解能RBSによるHfO2/Si界面の化学状態分析 第17回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム 2004年 
204歪みSi/Si0.7Ge0.3の酸化による深さ方向組成変化 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第9回研究会 2004年 
205プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光 電子情報通信学会技術研究報告 SDM2004-173~179 信学技報 2004年 
206原子状酸素により300℃で形成したSiO2/Si界面構造 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第9回研究会 2004年 
207シンクロトロン放射光を用いた角度分解光電子分光法によるSiC(0001_)エピ面上酸化膜の評価 第51回応用物理学関係連合講演会予稿集 2004年 
208材料科学のための高エネルギー高分解能XPS 第17回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム 2004年 
209MOCVD法によるPrシリケート膜の作製と特性評価 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第9回研究会 2004年 
210Si(100)面上に形成したガドリニウム酸化膜の組成・化学結合状態の深さ方向分析 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第9回研究会 2004年 
211MOCVD法によるPrシリケート膜の作製及び特性評価 第51回応用物理学関係連合講演会 2004年 
212LaOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性 第65回応用物理学会学術講演会 2004年 
213活性酸素原子により300℃で形成した高品質シリコン酸化膜の光電子分光法による評価(Ⅲ) 第51回応用物理学関係連合講演会予稿集 2004年 
214硬X線角度分解光電子分光法と高分解能ラザフォード後方散乱法によるHfO2/Si(100)の化学結合状態の深さ方向分析 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第9回研究会 2004年 
215Si(100)面上に形成したランタンシリケート膜の組成・化学結合状態の深さ方向分析 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第9回研究会 2004年 
216ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ 電子情報通信学会技術研究報告 SDM2004-173~179 信学技報 2004年 
217Determination of electron escape depth in ultrathin silicon oxide formed on Si(100) Abstract of the 15th Symposium of the Materials Research Society of Japan 2004年 
218GdOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の深さ方向分布の熱処理依存性 第65回応用物理学会学術講演会 2004年 
219Atomic-scale Depth Profile of Composition, Chemical Structure and Electronic Band Structure of La2O3/Si(100) System Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain 2003年 
220Oxidation of ultrathin strained Si layer formed on Si0.7Ge0.3 layer Abstract of 7th Int Conf.on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Nara, Japan 2003年 
221Oxidation Process Dependence of SiO2/Si Interface Structure observed by Synchrotron Radiation High Energy Soft X-ray Photoemission Spectroscopy Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain 2003年 
222極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造 応用物理学会分科会シリコンテクノロジー 2003年 
223高輝度放射光励起光電子分光法によるSiO2/Si界面構造の酸化プロセス依存性の検出 第50回応用物理学関係連合講演会 2003年 
224LaOx極薄膜の深さ方向組成・化学結合状態分析 第50回応用物理学関係連合講演会 2003年 
225X線光電子分光法による極薄ゲート絶縁膜/シリコン界面の評価 第4回関西半導体解析技術研究会 2003年 
226Study of HfO2 Gate Dielectrics by Combination of High Resolution Synchrotron Radiation Hard X-Ray ESCA and Meadium Energy Rutherford Backscattering Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain 2003年 
227LaOx極薄膜の組成・化学結合状態 の深さ方向分析(Ⅱ) 第64回応用物理学会学術講演会 2003年 
228高輝度放射光励起光電子分光法によるSiO2/Si界面構造の酸化プロセス依存性の検出(Ⅱ) 第64回応用物理学会学術講演会 2003年 
229SPring-8, 分光エリプソメトリ, C-V法による4H及び6H-SiC上酸化膜の評価 第64回応用物理学会学術講演会 2003年 
230HRBSとHXPSによるHfO2膜の深さ方向組成・化学結合状態分析 第64回応用物理学会学術講演会 2003年 
231酸化による歪みSi/Si0.7Ge0.3の深さ方向組成変化 第64回応用物理学会学術講演会 2003年 
232フォトンエネルギー可変光電子分光法による酸窒化膜の深さ方向分析 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第8回研究会 2003年 
233希土類酸化物極薄膜中のシリケートとシリサイド 第50回応用物理学関係連合講演会 2003年 
234極薄ゲート絶縁膜の組成、化学結合状態および電子状態 文部科学省特定領域研究(A)「超機能グローバルインテグレーション研究」研究会(於東工大) 2003年 
235XPSにより何が解明されたか?-ゲート絶縁膜/シリコン界面遷移層の場合- 応用物理学会分科会シリコンテクノロジー 2003年 
236LuOx/Si(100)界面遷移層の化学結合状態と電子帯構造 応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する第8回研究会 2003年 
237Study of HfO2 Gate Dielectrics by Combination of High Resolution Synchrotron Radiation Hard X-Ray ESCA and Meadium Energy Rutherford Backscattering Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain 2003年 
238Oxidation of ultrathin strained Si layer formed on Si0.7Ge0.3 layer Abstract of 7th Int Conf.on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Nara, Japan 2003年 
239Oxidation Process Dependence of SiO2/Si Interface Structure observed by Synchrotron Radiation High Energy Soft X-ray Photoemission Spectroscopy Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain 2003年 
240Atomic-scale Depth Profile of Composition, Chemical Structure and Electronic Band Structure of La2O3/Si(100) System Abstract of 9th Intern. Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces, Madrid, Spain 2003年 
241LuOx極薄膜中のシリケート 第50回応用物理学関係連合講演会 2003年 
242極薄歪みSi層/Si0.7Ge0.3界面近傍の酸化過程 第50回応用物理学関係連合講演会 2003年 
243Study High Resolution - High Energy X-ray Photoemission Spectroscopy by Synchrotron Radiation for Si- Insulator Interface Study 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan 2002年 
244Atomic-Scale Depth Profiling of Oxynitride/Si(100) Interface International Semiconductor Technology Conference ISTC 2002 Meeting, Tokyo, Japan 2002年 
245Atomic-Scale Depth Profiling of Oxynitride/Si(100) Interface International Semiconductor Technology Conference ISTC 2002 Meeting, Tokyo, Japan 2002年 
246Chemical and Electronic Structures of Lu2O3/Si Interfacial Transition Layer 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan 2002年 
247SiO2/Si(100)界面層の高エネルギー放射光励起Si 1s光電子スペクトル 第63回応用物理学会学術講演会 2002年 
248Depth Profiling of Oxynitride/Si(100) Interface using Synchrotron Radiation 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan 2002年 
249酸窒化膜/シリコン界面近傍における各種の結合形態の深さ方向分析 第49回応用物理学関係連合講演会 2002年 
250Si 2p光電子スペクトルに及ぼすSi内のバンド間直接遷移の影響 第49回応用物理学関係連合講演会 2002年 
251Si(100)面上に形成した極薄シリコン酸窒化膜の表面形態および界面形態 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究報告 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 (熱川ハイツ) 2002年 
252HfO2/Si(100)界面遷移層の高エネルギー放射光励起角度分解Si 1sスペクトル 第63回応用物理学会学術講演会 2002年 
253GdOxおよびLuOxの極薄膜の角度分解X線光電子分光分析 第49回応用物理学関係連合講演会 2002年 
254GdOx/Si(100)およびLuOx/Si(100)界面遷移層の角度分解X線光電子分光分析 第63回応用物理学会学術講演会 2002年 
255放射光のフォトン・エネルギーを変化させて求めた酸窒化膜の深さ方向組成分布 第63回応用物理学会学術講演会 2002年 
256Study High Resolution - High Energy X-ray Photoemission Spectroscopy by Synchrotron Radiation for Si- Insulator Interface Study 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan 2002年 
257Depth Profiling of Oxynitride/Si(100) Interface using Synchrotron Radiation 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan 2002年 
258Chemical and Electronic Structures of Lu2O3/Si Interfacial Transition Layer 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan 2002年 
259酸化膜のNO処理により形成した酸窒化膜/シリコン界面の構造 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性(第6回研究会) 2001年 
260Detection of Interface States Correlated with Interface Structure 8th Int Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces 2001年 
261Layer-by-layer Oxidation of Silicon Intern. Conf. on Semiconductor Technology 2001年 
262Compositional Depth Profiling of Ultrathin Oxinitride/Si Interface using XPS 8th Int Conf on Formation of Semiconductor Interfaces 2001年 
263Detection of Interface States Correlated with Interface Structure 8th Int Conf.on Formation of Semiconductor Interfaces 2001年 
264Characterization of ALCVD-Al2O3 and ZrO2 Layer using X-Ray Photoelectron Spectroscopy European Materials Research Society Spring Meeting, Strasbourg (France) 2001年 
265Si(111)面の酸化過程に及ぼす界面構造の影響 薄膜・表面物理分科会主催特別研究会研究報告極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 2001年 
266界面における窒素量が極薄シリコン酸窒化膜/シリコン界面の形態に及ぼす効果(Effect of Interface-Nitrogen Concentration on Morphology of SiO 第48回応用物理学関係連合講演会 2001年 
267活性酸素原子により形成したSiO2/Si(111)界面の原子スケールの深さ方向分析 第48回応用物理学関係連合講演会 2001年 
268SiO2/Si(111)界面構造と関係づけられる界面準位の検出 第62回応用物理学会学術講演会 2001年 
269Characterization of ALCVD-Al2O3 and ZrO2 Layer using X-Ray Photoelectron Spectroscopy European Materials Research Society Spring Meeting, Strasbourg (France) 2001年 
270SiO2/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究報告 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 第5回研究会 (熱川ハイツ) 2000年 
271水素終端したSi(100)-2&times;1面の酸化の初期過程 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究報告 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 第5回研究会 (熱川ハイツ) 2000年 
272極薄シリコン酸化膜/シリコン界面構造に及ぼす窒素添加の効果(Ⅱ) 第47回応用物理学関係連合講演会 2000年 
273Si(100)面の層状酸化と関係づけられる界面準位の検出 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究報告 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 第5回研究会 (熱川ハイツ) 2000年 
274SiO2/Si(100)界面の界面準位密度分布に及ぼす水素ラジカルの影響 第47回応用物理学関係連合講演会 2000年 
275酸素ラジカルにより形成したSiO2/Si(111)界面構造 第47回応用物理学関係連合講演会 2000年 
276SiO2/Si(111)界面における価電子帯オフセット振動の検討 第47回応用物理学関係連合講演会 2000年 
277X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出 -酸化膜中の光電子の弾性散乱を考慮した場合- 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催 特別研究報告 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 第5回研究会 (熱川ハイツ) 2000年 
278SiO2/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討 応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会主催第3回ミニ学術講演会 1999年 
279SiO2/Si界面の構造遷移層のDV-Xa法による検討 第46回応用物理学関係連合講演会 1999年 
280シリコン酸化膜中のSi 2p光電子の弾性散乱と非弾性散乱 第46回応用物理学関係連合講演会 1999年 
281シリコン酸化膜中のSi 2p光電子の弾性散乱と非弾性散乱(2) 第60回応用物理学会学術講演会 1999年 
282極薄シリコン/シリコン界面構造に及ぼす窒素添加の効果 第60回応用物理学会学術講演会 1999年 
283極薄シリコン酸化膜における界面準位密度分布に及ぼす水素ラジカルの影響 第46回応用物理学関係連合講演会 1999年 
284SiO2/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討 第60回応用物理学会学術講演会 1999年 
285Energy Loss of O1s Photoelectrons in Compositional and Structural Transition Layer Reported at 14th Int. Vacuum Congress and 10th Int. Conf. on Solid Surfaces, Birmingham, UK 1998年 
286Energy Loss of O1s Photoelectrons in Compositional and Structural Transition Layer at and near the SiO2/Si Interface 4th Intern. Symp. on UCPSS '98, held in Ostend, Belgium 1998年 
287Energy Loss of O1s Photoelectrons in Compositional and Structural Transition Layer at and near the SiO2/Si Interface 4th Intern. Symp. on UCPSS '98, held in Ostend, Belgium 1998年 
288Energy Loss of O1s Photoelectrons in Compositional and Structural Transition Layer Reported at 14th Int. Vacuum Congress and 10th Int. Conf. on Solid Surfaces, Birmingham, UK 1998年 
289Valence Band Discontinuity at and near the SiO2/Si(111) Interface Abstr. MRS Spring Meeting, San Francisco, California, USA. 1997年 
2900 1s光電子の極薄シリコン酸化膜中での非弾性散乱 第58回応用物理学会学術講演会 1997年 
291SiO2/Si(100)界面近傍の価電子帯の上端の酸化に伴う変化 第44回応用物理学会関係連合講演会、船橋 1997年 
292SiO2/Si(100)界面近傍の価電子帯に及ぼす酸化温度の効果 第58回応用物理学会学術講演会 1997年 
293水素終端したSi(111)‐1&times;1面上の原子スケール酸化過程 応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する特別研究会 1997年 
294界面および界面近傍におけるシリコン酸化膜の価電子帯 応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」に関する特別研究会 1997年 
295界面構造の変化に伴う界面準位密度の変化 第58回応用物理学会学術講演会 1997年 
296SiO2/Si界面の構造遷移層の検討 第58回応用物理学会学術講演会 1997年 
297Valence Band Discontinuity at and near the SiO2/Si(111) Interface Abstr. MRS Spring Meeting, San Francisco, California, USA. 1997年 
298シリコン酸化膜の価電子帯形成過程のDV‐X&alpha;の法による検討 第44回応用物理学会関係連合講演会、船橋 1997年 
299極薄シリコン酸化膜の表面、界面、価電子帯の構造 平成8年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究 A-2「ULSI用高品質酸化膜形成プロセスの研究」討論会 1997年 
300SiO2の価電子帯形成の初期過程 第43回応用物理学関係連合講演会 1996年 
301水素終端したSi(111)面の初期酸化過程 第43回応用物理学関係連合講演会 1996年 
302水素終端シリコンの初期酸化と界面、表面、価電子帯構造 文部省科学研究費補助金基盤研究「水素媒介新物質の物理と化学」に関する研究会 1996年 
303酸化膜の構造に及ぼすプレオキサイドの効果 第43回応用物理学関係連合講演会 1996年 
304界面における価電子帯端の不連続量の酸化の進行に伴う変化 第57回応用物理学会学術講演会 1996年 
305Initial stage of SiO2 valence band formation 2nd Intern. Conf. Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa 1996年 
306Initial stage of SiO2 valence band formation 2nd Intern. Conf. Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa 1996年 
307水素終端したSiの酸化の初期過程 平成7年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究 A-2「ULSI用高品質酸化膜形成プロセスの研究」討論会 1996年 
308テラス幅がSiO2/Si界面構造に及ぼす影響 第43回応用物理学関係連合講演会 1996年 
309Orientation Dependent Changes in Interface Structures with Progress of Thermal Oxidation 25th IEEE Semiconductor Specialist Conf. 1994年 

 

共同研究・競争的資金等の研究課題  
No.提供機関制度名課題名等資金種別研究期間
1日本学術振興会 科学研究費助成事業 界面ダイポール変調の抵抗変化型メモリ応用とスイッチング機構の解明  2019年04月 - 2022年03月 
2日本学術振興会 科学研究費助成事業 多層界面ダイポール変調不揮発メモリの酸化膜界面構造最適化とアナログ動作モデリング  2016年04月 - 2019年03月 
3日本学術振興会 科学研究費助成事業 角度分解光電子分光法によるダイヤモンド表面の終端構造と電子帯構造の解明  2015年04月 - 2018年03月 
4日本学術振興会 科学研究費助成事業 光電子分光法を用いた極薄SiO2/Si界面の欠陥とアモルファス構造の研究  2014年04月 - 2017年03月 
5日本学術振興会 科学研究費助成事業 革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発  2009年 - 2012年 
6日本学術振興会 科学研究費助成事業 光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/歪GeおよびSiチャネルの界面構造の決定  2009年 - 2011年 
7日本学術振興会 科学研究費助成事業 硬X線光電子分光法と第一原理計算を用いた極薄酸化膜の光学的誘電率の研究  2009年 - 2011年 
8日本学術振興会 科学研究費助成事業 金属酸化膜/半導体界面におけるダイポール発生機構の解明と制御  2007年 - 2008年 
9日本学術振興会 科学研究費助成事業 超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定  2007年 - 2009年 
10日本学術振興会 科学研究費助成事業 光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/Geチャネル界面構造の決定  2007年 - 2008年 
11日本学術振興会 科学研究費助成事業 積層ゲート絶縁膜の局所的誘電率の研究  2006年 - 2008年 
12日本学術振興会 科学研究費助成事業 高誘電体/シリコン界面形成の原子スケール制御による高品質界面の実現  2004年 - 2005年 
13日本学術振興会 科学研究費助成事業 高エネルギー光電子分光法開発と高誘電率膜/シリコン界面の化学結合状態分析への応用  2003年 - 2005年 
14日本学術振興会 科学研究費助成事業 角度分解X線光電子分光法による高誘電体薄膜/シリコン界面構造の深さ方向分析  2002年 - 2003年 
15日本学術振興会 科学研究費助成事業 断面光電子分光法による非晶質シリコン酸化膜の組成および結合状態密度の深さ方向分析  2001年 - 2003年 
16日本学術振興会 科学研究費助成事業 極薄シリコン酸化膜/シリコン界面のキャリア捕獲準位と微視的構造との関係の解明  1998年 - 2000年 
17日本学術振興会 科学研究費助成事業 酸化の進行に伴う酸化膜の価電子帯形成過程の角度分解X線光電子分光法による解明  1997年 - 1998年 
18日本学術振興会 科学研究費助成事業 水素終端されたシリコン面の初期酸化過程の角度分解紫外線光電子分光法による解明  1996年 - 1997年 
19日本学術振興会 科学研究費助成事業 シリコン酸化膜/シリコン界面形成の原子スケール制御による超平坦界面の実現  1996年 - 1997年 
20日本学術振興会 科学研究費助成事業 原子スケールで平坦なシリコン表面上のAlの初期成長過程のX線光電子分光法による解明  1994年 - 1994年 
21日本学術振興会 科学研究費助成事業 水素終端したシリコン面の熱酸化による超平坦シリコン酸化膜/シリコン界面の実現  1994年 - 1995年 
22日本学術振興会 科学研究費助成事業 原子レベルで平坦なシリコン表面の初期酸化過程のX線光電子分光法による解明  1992年 - 1992年 
23日本学術振興会 科学研究費助成事業 水素終端シリコンの初期酸化機構と極薄金属膜/極薄シリコン酸化膜界面構造の解明  1992年 - 1993年 
24AR-XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks 競争的資金    
25SiO2の価電子帯形成の初期過程の解明 競争的資金    
26シリコンの初期酸化過程の解明 競争的資金    
27角度分解X線光電子分光法による高誘電体薄膜/半導体界面の評価 競争的資金    
28Initial stage of SiO2 valence band formation 競争的資金    
29Initial Stage of Oxidation of Silicon Surfaces 競争的資金